公开(公告)号：CN105705679B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201480061427.0

申请日：2014-11-06

申请人： LPE公司

发明人： 弗朗西斯科·科里亚 ,  温森佐·奥格里阿里 ,  弗兰科·佩雷蒂 ,  马里奥·佩雷蒂

IPC分类号： C23C16/458 ,  C30B25/12 ,  H01L21/687

CPC分类号： C23C16/4583 ,  C30B25/12 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/6875

摘要： 本发明涉及用于外延生长反应器的衬托器；其大体上由主体(601)组成，该主体具有面(602)，该面包括至少一个区域(603)，该区域适用于接纳待经受外延生长的衬底；该区域(603)具有用于搁置所述衬底的搁置表面(604)或与该搁置表面相关联；该搁置表面(604)设置有图案，该图案包括拱形凹槽(606)的至少三个复数体(605A、605B、605C)；特别是，所述凹槽(606)的凹面朝向搁置表面(604)的边缘。

公开(公告)号：CN109037136A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201710439022.1

申请日：2017-06-12

申请人： 上海新昇半导体科技有限公司

发明人： 王燕 ,  王华杰 ,  保罗·邦凡蒂

IPC分类号： H01L21/687 ,  C30B25/12

CPC分类号： H01L21/6875 ,  C30B25/12 ,  H01L21/68785

摘要： 本发明提供一种支撑台、改善晶圆或外延生长晶圆表面的顶针痕迹的方法，所述支撑台包括基座、顶针和涂层，所述基座设有多个开孔，所述顶针的数量与所述开孔的数量相同，所述顶针对应设置在所述开孔中用于支撑晶圆，所述涂层涂覆于所述开孔中。本发明提供的支撑台、改善晶圆或外延生长晶圆表面的顶针痕迹的方法，所述支撑台包括基座和顶针，由所述基座的开孔中的顶针来支撑晶圆，由于所述开孔中具有涂层，可减少顶针与开孔之间的间隙，改善由于工艺气体经由开孔形成的顶针痕迹，使得晶圆表面的顶针痕迹的高度减小，从而可降低顶针痕迹对产品质量的影响。

公开(公告)号：CN108884589A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780019048.9

申请日：2017-03-20

申请人： 洛佩诗公司

发明人： 温森佐·奥格里阿里 ,  西尔维奥·佩雷蒂

IPC分类号： C30B25/12 ,  C23C16/458

CPC分类号： C30B25/12 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4586

摘要： 用于外延沉积反应器的衬托器包括盘形部分(11、12)，该盘形部分适于水平放置并且在顶部处具有至少一个圆柱形的袋(200)，待经受外延沉积工艺的基底(100)放置在该袋处；袋(200)具有底部；流体连接到吸气系统(300)的一个或更多个导管(13)在袋(200)的底部上开口；当基底(100)被放置在袋(200)的底部上并且吸气系统(300)处于工作状态时，基底(100)保持附着到袋(200)的底部。特别地：上部主体(12)在上方具有袋(200)，导管(13)仅竖直地穿过上部主体(12)，导管(13)流体连接到集气室(14)，集气室在袋(200)下方位于下部主体(11)和上部主体(12)之间，集气室(14)流体连接到吸气系统(300)；由此当基底(100)被放置在袋(200)的底部上并且吸气系统(300)处于工作状态时，下部主体(11)和上部主体(12)保持结合。

公开(公告)号：CN105088187B

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201510488320.0

申请日：2011-11-23

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

发明人： 尹志尧 ,  姜勇

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/458

CPC分类号： C23C16/458 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/12

摘要： 一种化学气相沉积反应器或外延层生长反应器，包括一反应腔，所述反应腔内设置至少一基片承载架和一用于支撑所述基片承载架的支撑装置，所述基片承载架包括一第一表面和一第二表面，所述基片承载架的第二表面设置有至少一个向内凹陷的凹进部；所述支撑装置包括：主轴部；与所述主轴部的一端相连接、并沿所述主轴部外围向外延伸开来的支撑部，所述支撑部包括一支撑面；以及与所述主轴部相连接、并沿着向所述基片承载架的第一表面方向延伸一高度的插接部；所述支撑装置的插接部可分离地插接于所述凹进部内，从而使所述基片承载架放置于所述支撑装置上并由其支撑。本发明的基片承载架在基片加工过程中能够实现平衡、可靠地旋转。

公开(公告)号：CN105088186B

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201510488112.0

申请日：2011-11-23

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

发明人： 尹志尧 ,  姜勇

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/458

CPC分类号： C23C16/458 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/12

摘要： 一种化学气相沉积反应器或外延层生长反应器，包括一反应腔，所述反应腔内设置至少一基片承载架和一用于支撑所述基片承载架的支撑装置，所述基片承载架包括一第一表面和一第二表面，所述基片承载架的第二表面设置有至少一个向内凹陷的凹进部；所述支撑装置包括：主轴部；与所述主轴部的一端相连接、并沿所述主轴部外围向外延伸开来的支撑部，所述支撑部包括一支撑面；以及与所述主轴部相连接、并沿着向所述基片承载架的第一表面方向延伸一高度的插接部；所述支撑装置的插接部可分离地插接于所述凹进部内，从而使所述基片承载架放置于所述支撑装置上并由其支撑。本发明的基片承载架在基片加工过程中能够实现平衡、可靠地旋转。

公开(公告)号：CN106471614A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201580035249.9

申请日：2015-07-02

申请人： LPE公司

发明人： 温森佐·奥格里阿里 ,  弗朗西斯科·科里亚 ,  弗兰科·佩雷蒂

IPC分类号： H01L21/683

CPC分类号： H01L21/6838 ,  B25J15/0616 ,  C23C16/4582 ,  C30B25/12

摘要： 外延反应器中的用于操纵衬底的工具(1)包括臂(2)、抓取盘(3)和球接头(4)；所述抓取盘纵的衬底(6)；所述抓取盘(3)通过所述球接头(4)安装在臂(2)上，球接头相对于所述抓取盘(3)居中地放置；所述抓取盘(3)成形为使得仅与待操纵的所述衬底(6)的上边缘接触；所述抓取盘(3)相对于所述臂(1)具有两个旋转运动自由度以允许适合于衬底在外延反应器的基座的袋状部中的位置。(3)具有在其下面上的座(5)，该座用于接纳待操

公开(公告)号：CN106463450A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580026819.8

申请日：2015-06-09

申请人： 应用材料公司

发明人： 安哈图·恩戈 ,  舒伯特·S·楚 ,  尼欧·O·谬 ,  保罗·布里尔哈特 ,  黄奕樵 ,  朱作明 ,  凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔 ,  卡尔蒂克·萨哈 ,  埃德里克·唐 ,  李学斌 ,  丛者澎 ,  巴拉苏布拉马尼恩·拉马钱德雷

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/324 ,  H01L21/20

CPC分类号： C30B25/12 ,  C23C16/4586

摘要： 在一个实施方式中，提供用于热处理腔室的底座。该底座包含基座，该基座具有前侧及后侧，该后侧相对于该前侧且由热传导材料制成，其中该基座包含周边区域，该周边区域围绕凹陷区，该凹陷区厚度小于该周边区域的厚度；以及多个突起特征结构，该多个突起特征由该前侧及该后侧中的一者或两者突出。

公开(公告)号：CN106463323A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580026810.7

申请日：2015-05-28

申请人： 应用材料公司

发明人： 邦妮·T·基亚 ,  贾勒帕里·拉维 ,  曼朱纳塔·科普帕 ,  维诺德·孔达·普拉斯 ,  振雄·马修·蔡 ,  阿拉维德·米亚尔·卡马斯

IPC分类号： H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01L21/68742 ,  C23C16/46 ,  C30B25/12 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6831

摘要： 于此提供升降销组件的实施方式。在一些实施方式中，升降销组件包含：伸长底座，由第一材料所形成，并具有形成在底座的远端中的第一特征结构，以与尖端接合并可移除地支撑尖端；及尖端，由不同于第一材料的第二材料所形成，并在尖端的第一侧及尖端的相对第二侧上具有支撑表面，其中相对第二侧包含第二特征结构，以匹配底座的第一特征结构，以可移除地将尖端保持于底座的远端上。

公开(公告)号：CN106245111A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610885382.X

申请日：2016-10-10

申请人： 无锡宏纳科技有限公司

发明人： 吕耀安

IPC分类号： C30B25/12

CPC分类号： C30B25/12

摘要： 本发明涉及一种低压化学气相沉淀腔的晶圆支撑结构，所述支撑结构包括一支撑管，所述支撑管轴向设置于所述环形腔套中，所述支撑管的周壁上借助卡夹夹持晶圆，支撑管中轴承设有内导气管，所述内导气管与所述支撑管之间设有多根导管，所述导管的出气端置于相邻的卡夹之间。本发明的支撑结构，其支撑管采用放射方式固定晶圆，大大降低晶圆的支撑体积，减小整个沉淀腔的体积，并采用内导气结构，提高反应气体与晶圆的接触均匀度。

公开(公告)号：CN106206400A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510239192.6

申请日：2015-05-12

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林逸宏 ,  李志鸿 ,  卢昶伸 ,  李资良 ,  李启弘

IPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC分类号： C30B25/12 ,  B23Q3/18 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/46 ,  C30B25/10 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68757

摘要： 本发明提供了一种具有改进的热均匀性的衬底保持器件。在一个示例性实施例中，衬底保持器件包括具有限定的周边的基本圆形的第一表面、设置在周边处的多个接触区域、以及也设置在周边处的多个非接触区域。接触区域与非接触区域穿插设置。在非接触区域中的每一个内，第一表面延伸经过第一表面结束于接触区域中的每一个内。在一些这种实施例中，多个接触区域中的每个区域包括设置在第一表面上方的接触表面。本发明还涉及具有改进的热特性的晶圆基座。