公开(公告)号：CN116018884B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202180055457.0

申请日：2021-10-19

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

发明人： 山本翔太 ,  吉村文彦 ,  末永诚一 ,  大关智行

IPC分类号： C04B37/02 ,  H05K3/38 ,  H05K3/12

摘要： 一种经由含有Ag的接合层将金属板和陶瓷基板接合而成的接合体，其特征在于，在由接合层的厚度方向和其正交方向所形成的截面中的按接合层的厚度方向的长度×正交方向的长度200μm形成的测定区域中，相对于Ag浓度为50at％以下的贫Ag区，Ag浓度为60at％以上的富Ag区按面积比计存在70％以下。此外，接合层的厚度方向的长度优选在10μm以上且60μm以下的范围内。此外，陶瓷基板优选为氮化硅基板。

公开(公告)号：CN116018884A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202180055457.0

申请日：2021-10-19

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

发明人： 山本翔太 ,  吉村文彦 ,  末永诚一 ,  大关智行

IPC分类号： H05K3/12

摘要： 一种经由含有Ag的接合层将金属板和陶瓷基板接合而成的接合体，其特征在于，在由接合层的厚度方向和其正交方向所形成的截面中的按接合层的厚度方向的长度×正交方向的长度200μm形成的测定区域中，相对于Ag浓度为50at％以下的贫Ag区，Ag浓度为60at％以上的富Ag区按面积比计存在70％以下。此外，接合层的厚度方向的长度优选在10μm以上且60μm以下的范围内。此外，陶瓷基板优选为氮化硅基板。