公开(公告)号：CN102906881A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180025311.8

申请日：2011-04-27

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 远藤佑太 ,  佐佐木俊成 ,  野田耕生 ,  佐藤瑞穗

IPC分类号： H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC分类号： H01L29/78606 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明的目的是制造一种半导体装置，其中在使用氧化物半导体的晶体管中，电特性的变动小且可靠性高。作为形成沟道的氧化物半导体层的基底绝缘层，使用通过加热从其放出氧的绝缘层。从该基底绝缘层放出氧，由此可以降低该氧化物半导体层中的氧缺乏及该基底绝缘层与该氧化物半导体层之间的界面态。从而，可以制造电特性的变动小且可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN102906882A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180025328.3

申请日：2011-05-11

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 远藤佑太 ,  佐佐木俊成 ,  野田耕生 ,  佐藤瑞穗

IPC分类号： H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50 ,  H05B33/22

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

摘要： 通过氧从绝缘层放出，可以降低氧化物半导体层中的氧缺陷及所述绝缘层与所述氧化物半导体层之间的界面态。因此，可以制造电特性的变动小且可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN102906881B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201180025311.8

申请日：2011-04-27

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 远藤佑太 ,  佐佐木俊成 ,  野田耕生 ,  佐藤瑞穗

IPC分类号： H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC分类号： H01L29/78606 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明的目的是制造一种半导体装置，其中在使用氧化物半导体的晶体管中，电特性的变动小且可靠性高。作为形成沟道的氧化物半导体层的基底绝缘层，使用通过加热从其放出氧的绝缘层。从该基底绝缘层放出氧，由此可以降低该氧化物半导体层中的氧缺乏及该基底绝缘层与该氧化物半导体层之间的界面态。从而，可以制造电特性的变动小且可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN102906882B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180025328.3

申请日：2011-05-11

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 远藤佑太 ,  佐佐木俊成 ,  野田耕生 ,  佐藤瑞穗

IPC分类号： H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50 ,  H05B33/22

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

摘要： 通过氧从绝缘层放出，可以降低氧化物半导体层中的氧缺陷及所述绝缘层与所述氧化物半导体层之间的界面态。因此，可以制造电特性的变动小且可靠性高的半导体装置。