公开(公告)号：CN116722019A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310739461.X

申请日：2010-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  三宅博之 ,  津吹将志 ,  野田耕生

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明涉及一种显示设备，包括：包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管，所述沟道形成区包括氧化物半导体；电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极；以及与所述像素电极相邻的液晶材料，其中，所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。

公开(公告)号：CN116343705A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310341421.X

申请日：2010-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  三宅博之 ,  津吹将志 ,  野田耕生

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及一种显示设备，包括：包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管，所述沟道形成区包括氧化物半导体；电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极；以及与所述像素电极相邻的液晶材料，其中，所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。

公开(公告)号：CN102668062B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201080047983.4

申请日：2010-10-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  野田耕生 ,  丰高耕平 ,  渡边一德 ,  原田光

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G06F15/76 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/1112 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/60 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78696

Abstract: 一个目的是提供一种存储器装置，其中包括能够由具有低截止态电流的薄膜晶体管没有问题地来操作的存储器元件。所提供的是一种存储器装置，其中包括包含氧化物半导体层的至少一个薄膜晶体管的存储器元件配置成矩阵。包括氧化物半导体层的薄膜晶体管具有高场效应迁移率和低截止态电流，并且因而能够有利地没有问题地来操作。另外，功率消耗能够降低。在包括氧化物半导体层的薄膜晶体管设置在显示装置的像素中的情况下，这种存储器装置特别有效，因为存储器装置和像素能够在一个衬底之上形成。

公开(公告)号：CN103367820A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310114649.1

申请日：2013-04-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野村真澄 ,  野田耕生

IPC: H01M10/42

CPC classification number: H02J7/0031 ,  H02J7/0068 ,  H02J2007/0037

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种降低了电池组的保护电路中的电流截断用开关所使用的晶体管的泄漏电流的安全且长使用寿命的保护电路模块及电池组。本发明的一个方式是一种保护电路模块，其包括保护电路、充电控制用开关以及放电控制用开关。充电控制用开关及放电控制用开关与保护电路电连接。保护电路检测二次电池的电压并将其与预定电压进行比较，并根据上述比较结果对充电控制用开关或放电控制用开关输出控制信号，以便使充电控制用开关或放电控制用开关变为开启或关闭。充电控制用开关及放电控制用开关具有：包括氧化物半导体的晶体管；以及与包括氧化物半导体的晶体管并联的二极管。

公开(公告)号：CN102683386A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210058573.0

申请日：2012-02-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤瞳 ,  斋藤隆行 ,  野田耕生 ,  高山徹

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明对将难以控制阈值电压的半导体膜用于活性层的晶体管赋予稳定的电特性从而提供一种可靠性高的半导体装置。可以通过将具有负的固定电荷的氧化硅膜用于与晶体管的活性层接触的膜或活性层附近的膜，从而利用负的固定电荷使负电场一直重叠于活性层，使阈值电压向正方向漂移。因此，可以对晶体管赋予稳定的电特性从而制造一种可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN102683386B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201210058573.0

申请日：2012-02-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤瞳 ,  斋藤隆行 ,  野田耕生 ,  高山徹

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明对将难以控制阈值电压的半导体膜用于活性层的晶体管赋予稳定的电特性从而提供一种可靠性高的半导体装置。可以通过将具有负的固定电荷的氧化硅膜用于与晶体管的活性层接触的膜或活性层附近的膜，从而利用负的固定电荷使负电场一直重叠于活性层，使阈值电压向正方向漂移。因此，可以对晶体管赋予稳定的电特性从而制造一种可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN106200185A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610843907.3

申请日：2010-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  三宅博之 ,  津吹将志 ,  野田耕生

IPC: G02F1/1368 ,  G09G3/36 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G09G3/3611 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3674 ,  G09G3/3677 ,  G09G5/18 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2320/103 ,  G09G2330/021 ,  G09G2330/022 ,  G09G2330/027 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及一种显示设备，包括：包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管，所述沟道形成区包括氧化物半导体；电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极；以及与所述像素电极相邻的液晶材料，其中，所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。

公开(公告)号：CN105810753A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610240258.8

申请日：2010-08-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  野田耕生 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  丸山穗高

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件及其制造方法。本发明的一个目的是制造含有电特性稳定的薄膜晶体管的高度可靠的半导体器件。覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层的绝缘层含有硼元素或铝元素。通过使用含有硼元素或铝元素的硅靶或氧化硅靶的溅射法来形成含有硼元素或铝元素的绝缘层。可选地，含有替代硼元素的锑(Sb)元素或磷(P)元素的绝缘层覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN102473731B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201080032159.1

申请日：2010-06-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  细羽幸 ,  野田耕生 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  坂田淳一郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 包括具有稳定电特性的薄膜晶体管的高度可靠半导体器件，以及其制造方法。在制造包括薄膜晶体管(其中包括沟道形成区的半导体层是氧化物半导体层)在内的半导体器件的方法中，在氧气气氛中执行减少诸如湿气之类的杂质来改进氧化物半导体层的纯度并氧化该氧化物半导体层的热处理(用于脱水或脱氢的热处理)。不仅减少氧化物半导体层中诸如湿气之类的杂质，还减少了栅绝缘层中已经存在的那些杂质，且减少了诸如在氧化物半导体层与被设置在与氧化物半导体层接触的上面和下面的膜之间界面中存在的湿气之类的杂质。

公开(公告)号：CN102723364B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201210173533.0

申请日：2010-10-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  野田耕生 ,  丰高耕平 ,  渡边一德 ,  原田光

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/105 ,  G06F15/78

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G06F15/76 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/1112 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/60 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78696

Abstract: 一个目的是提供一种存储器装置，其中包括能够由具有低截止态电流的薄膜晶体管没有问题地来操作的存储器元件。所提供的是一种存储器装置，其中包括包含氧化物半导体层的至少一个薄膜晶体管的存储器元件配置成矩阵。包括氧化物半导体层的薄膜晶体管具有高场效应迁移率和低截止态电流，并且因而能够有利地没有问题地来操作。另外，功率消耗能够降低。在包括氧化物半导体层的薄膜晶体管设置在显示装置的像素中的情况下，这种存储器装置特别有效，因为存储器装置和像素能够在一个衬底之上形成。