公开(公告)号：CN105590611B

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201610156289.5

申请日：2010-09-03

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 木村肇 ,  秋元健吾 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成

IPC分类号： G09G3/36

摘要： 本发明提供一种具备具有存储器的像素的显示装置以及电子设备。在像素中至少设置显示元件、电容元件、反相器以及开关。通过使用保持在电容元件中的信号和从反相器输出的信号控制开关，向显示元件供应电压。可以使用具有相同极性的晶体管构成反相器以及开关。另外，也可以使用具有透光性的材料形成构成像素的半导体层。另外，也可以使用具有透光性的导电层形成栅电极、漏电极以及电容电极。如上所述，通过使用透光材料形成像素，可以制造透过型显示装置，该显示装置具有配置有存储器的像素。

公开(公告)号：CN104658915B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201510086663.4

申请日：2010-05-27

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 佐佐木俊成 ,  大原宏树 ,  坂田淳一郎

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L21/477 ,  H01L21/473 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/66969 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的目的之一在于提供包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体装置。另外，本发明的目的之一还在于以低成本高效地提供高可靠性的半导体装置。一种包括作为沟道形成区使用氧化物半导体层的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，其中在氮气氛下加热氧化物半导体层来将其低电阻化，以形成低电阻氧化物半导体层。另外，将在低电阻氧化物半导体层中的重叠于栅电极层的区域选择性地高电阻化来形成高电阻氧化物半导体区域。通过溅射法接触于该氧化物半导体层地形成氧化硅，以进行氧化物半导体层的高电阻化。

公开(公告)号：CN105140132B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201510510608.3

申请日：2009-11-27

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 秋元健吾 ,  佐佐木俊成 ,  桑原秀明

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L29/06 ,  H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L29/66969 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其中，在将氧化物半导体用作激活层的薄膜晶体管中，防止用作激活层的氧化物半导体区的组成、膜质或界面等的变化，且使薄膜晶体管的电特性稳定。在将第一氧化物半导体区用作激活层的薄膜晶体管中，在第一氧化物半导体区和薄膜晶体管的保护绝缘层之间形成其电导率低于第一氧化物半导体的电导率的第二氧化物半导体区，该第二氧化物半导体区用作第一氧化物半导体区的保护层，而可以防止第一氧化物半导体区的组成的变化和膜质的劣化，且使薄膜晶体管的电特性稳定。

公开(公告)号：CN102738002B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201210098750.8

申请日：2012-04-06

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 佐藤裕平 ,  佐藤惠司 ,  佐佐木俊成 ,  丸山哲纪 ,  矶部敦生 ,  村川努 ,  手塚祐朗

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/477

摘要： 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明通过对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，提供一种可靠性高的半导体装置。作为晶体管的制造工序，在依次形成氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、栅极绝缘膜、栅电极层及氧化铝膜之后，通过对氧化物半导体层及氧化铝膜进行热处理，去除含有氢原子的杂质，并形成包括含有超过化学计量比的氧的区域的氧化物半导体层。另外，通过形成氧化铝膜，即使在具有该晶体管的半导体装置或电子设备的制造工序中的热处理中，也可以防止来自大气的水或氢侵入且扩散到氧化物半导体层中，从而可以制造可靠性高的晶体管。

公开(公告)号：CN102473734B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201080033956.1

申请日：2010-07-20

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  秋元健吾 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成 ,  桑原秀明

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L33/0041 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法。在使用第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层的叠层的底栅结构的薄膜晶体管中，在与栅电极层重叠的一部分氧化物半导体层上形成与其接触的用作沟道保护层的氧化物绝缘层，并且在形成该绝缘层的相同的步骤中，形成覆盖氧化物半导体层的叠层的周缘部(包括侧表面)的氧化物绝缘层。

公开(公告)号：CN102473731B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201080032159.1

申请日：2010-06-22

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  细羽幸 ,  野田耕生 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  坂田淳一郎

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66969 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

摘要： 包括具有稳定电特性的薄膜晶体管的高度可靠半导体器件，以及其制造方法。在制造包括薄膜晶体管(其中包括沟道形成区的半导体层是氧化物半导体层)在内的半导体器件的方法中，在氧气气氛中执行减少诸如湿气之类的杂质来改进氧化物半导体层的纯度并氧化该氧化物半导体层的热处理(用于脱水或脱氢的热处理)。不仅减少氧化物半导体层中诸如湿气之类的杂质，还减少了栅绝缘层中已经存在的那些杂质，且减少了诸如在氧化物半导体层与被设置在与氧化物半导体层接触的上面和下面的膜之间界面中存在的湿气之类的杂质。

公开(公告)号：CN102473728B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201080029505.0

申请日：2010-06-17

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 佐佐木俊成 ,  坂田淳一郎 ,  大原宏树 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/477

CPC分类号： H01L29/66969 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明一个目的是提供一种包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体装置。本发明的另一个目的是以较低成本并且以高生产率制造高可靠性的半导体装置。在一种用于制造半导体装置的方法中，该半导体装置包括使用氧化物半导体层形成具有沟道形成区的半导体层、源极区及漏极区的薄膜晶体管，执行加热处理(用于脱水化或脱氢化的加热处理)，以便提高氧化物半导体层的纯度并减少诸如水分的杂质。另外，在氧气氛下对经历加热处理的氧化物半导体层缓慢冷却。

公开(公告)号：CN101794820B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201010002886.5

申请日：2010-01-15

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 坂田淳一郎 ,  岛津贵志 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/38 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC分类号： H01L29/78696 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H04M1/0266

摘要： 本发明的目的之一在于使用氧化物半导体层提供具备其电特性及可靠性优异的薄膜晶体管的半导体装置。使用包含绝缘物(绝缘氧化物、绝缘氮化物或氧氮化硅、氧氮化铝等)，典型地包含SiO2的氧化物半导体靶材进行成膜，以实现其氧化物半导体层的膜厚度方向上的Si元素浓度具有由离栅电极近的一侧至离栅电极远的一侧逐渐增加的浓度梯度的半导体装置。

公开(公告)号：CN101728435B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN200910209089.1

申请日：2009-10-30

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 秋元健吾 ,  佐佐木俊成

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34 ,  H01L21/203 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。本发明的一个目的是改善使用氧化物半导体的薄膜晶体管的场效应迁移率。另一个目的是即使在具有改善了场效应迁移率的薄膜晶体管中也能够抑制在截止电流上的增加。在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，通过将具有比氧化物半导体层更高导电率和更小厚度的半导体层形成于氧化物半导体层和栅绝缘层之间，可以改善薄膜晶体管的场效应迁移率，并且可以抑制截止电流上的增加。

公开(公告)号：CN101789451B

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201010110174.5

申请日：2010-01-22

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 坂田淳一郎 ,  岛津贵志 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L21/34 ,  H01L21/443

CPC分类号： H01L29/16 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明的目的之一在于提供具备使用氧化物半导体层并具有优良的电特性的薄膜晶体管的半导体装置。将包含SiOx的氧化物半导体层用于沟道形成区，在源电极层及漏电极层和上述包含SiOx的氧化物半导体层之间设置源区及漏区，以降低与由低电阻值的金属材料构成的源电极层及漏电极层的接触电阻。源区及漏区使用不包含SiOx的氧化物半导体层或氧氮化物膜。