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公开(公告)号：CN114250448A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111096352.8
申请日：2021-09-17
申请人： 株式会社国际电气
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/06 , C23C16/12 , C23C16/14 , C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/02 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质。对在表面形成有图案的衬底上形成的膜的面内膜厚分布进行控制。通过将下述(a)和(b)非同时地执行规定次数从而在衬底上形成包含规定元素的氧化膜：(a)针对在表面形成有图案的衬底，通过从衬底的外周向衬底的面内供给包含规定元素的原料气体，从而在表面形成包含规定元素的第1层的工序；(b)针对衬底，通过从衬底的外周向衬底的面内供给氧化气体，从而将第1层氧化，在表面形成包含规定元素的氧化层的工序，在(b)中，选择向衬底供给氧化气体的供给时间，以使氧化膜在衬底面内的厚度分布成为规定分布。
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公开(公告)号：CN110402482B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201880017674.9
申请日：2018-03-28
申请人： 株式会社国际电气
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/316
摘要： 本发明的课题是提供一种清洁技术，能够将由含氟气体难以蚀刻的高介电常数氧化膜等膜高效地除去。解决手段是进行以下工序来将所述高介电常数氧化膜除去：(a)以第一压力向附着了高介电常数氧化膜的处理室供给氯系气体的工序，(b)从所述处理室排气的工序，(c)向所述处理室供给含氧气体的工序，(d)从所述处理室排气的工序，(e)以比所述第一压力低的第二压力向所述处理室供给所述氯系气体的工序，(f)从所述处理室排气的工序，和(g)向所述处理室供给还原气体来进行后处理的工序。
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公开(公告)号：CN107086189B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201710076980.7
申请日：2017-02-13
申请人： 株式会社国际电气
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/455
摘要： 本发明提供一种能抑制喷嘴的黑色化并改善膜质的表面间的均匀性的衬底处理装置。具有：搭载并收纳多个衬底的处理室；以规定温度加热处理室的加热系统；原料气体供给系统，具有原料气体喷嘴，并且从原料气体喷嘴向处理室供给原料气体，原料气体喷嘴在处理室的衬底搭载方向上延伸并且具有多个供给孔和多个减压孔，多个供给孔在与衬底的搭载区域对应的高度开口，多个减压孔在比多个供给孔更靠下部且原料气体喷嘴内变得比规定温度低的位置开口并降低原料气体喷嘴内的压力；反应气体供给系统，向处理室供给与原料气体反应的反应气体；和控制部，构成为以在衬底上形成膜的方式控制加热系统、原料气体供给系统和反应气体供给系统。
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公开(公告)号：CN113574640B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201980094010.7
申请日：2019-03-15
申请人： 株式会社国际电气
发明人： 野野村一树
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , H01L21/316
摘要： 提供一种技术，具有通过将以下工序非同时地进行预定次数从而在基板上形成膜的工序：对于处理室内的基板供给原料气体的工序和对于处理室内的基板供给分子结构与原料气体不同的反应气体的工序；在供给反应气体的工序中，在处理室内的压力不稳定的状态下，将对于处理室内的基板的反应气体的供给和反应气体从处理室内的排气反复进行预定次数。
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公开(公告)号：CN113519041A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN201980093547.1
申请日：2019-09-12
申请人： 株式会社国际电气
发明人： 野野村一树
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44 , H01L21/316
摘要： 本发明提供一种基板处理装置，其具备：反应容器，其供具有支承基板的基板支承区域的基板支承工具以及设于基板支承区域的下部的隔热部插入，在反应容器的内壁的与基板支承区域相对置的部分的下侧配置有朝向反应容器的内侧突出的突出部的端部；以及向基板供给处理气体的气体供给部。
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公开(公告)号：CN113519041B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201980093547.1
申请日：2019-09-12
申请人： 株式会社国际电气
发明人： 野野村一树
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44 , H01L21/316
摘要： 本发明提供一种基板处理装置，其具备：反应容器，其供具有支承基板的基板支承区域的基板支承工具以及设于基板支承区域的下部的隔热部插入，在反应容器的内壁的与基板支承区域相对置的部分的下侧配置有朝向反应容器的内侧突出的突出部的端部；以及向基板供给处理气体的气体供给部。
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公开(公告)号：CN116426900A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202211565850.7
申请日：2022-12-07
申请人： 株式会社国际电气
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/52
摘要： 本发明涉及清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。本发明能够在短时间内且抑制对处理室内的构件的损伤的情况下减少进行了清洁处理后的处理室内残留的卤元素的量。其具有：(a)对在被加热至第1温度的状态下被供给了包含卤元素的清洁气体后的处理室内一边进行真空排气，一边从第1温度降低至第2温度的工序，该第2温度是在处理室内进行衬底处理的温度以下的温度；和(b)在(a)之后，一边对处理室内进行真空排气，一边向处理室内供给含有水蒸气的气体，使处理室内残留的卤元素与水蒸气反应的工序。
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公开(公告)号：CN113614881A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201980094512.X
申请日：2019-03-25
申请人： 株式会社国际电气
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455
摘要： 本发明提供一种技术，具有以下工序：在处理室内积载并容纳多个基板的工序；从第一喷嘴和第二喷嘴针对多个基板供给原料气体的工序，上述第一喷嘴在处理室内沿多个基板的基板积载方向设置且从基板积载方向的上部供给的气体的流量比从下部供给的气体的流量多，上述第二喷嘴在处理室内沿基板积载方向设置且从基板积载方向的下部供给的气体的流量比从上部供给的气体的流量多；以及针对多个基板供给反应气体的工序。
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公开(公告)号：CN113574640A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201980094010.7
申请日：2019-03-15
申请人： 株式会社国际电气
发明人： 野野村一树
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , H01L21/316
摘要： 提供一种技术，具有通过将以下工序非同时地进行预定次数从而在基板上形成膜的工序：对于处理室内的基板供给原料气体的工序和对于处理室内的基板供给分子结构与原料气体不同的反应气体的工序；在供给反应气体的工序中，在处理室内的压力不稳定的状态下，将对于处理室内的基板的反应气体的供给和反应气体从处理室内的排气反复进行预定次数。
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公开(公告)号：CN110402482A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201880017674.9
申请日：2018-03-28
申请人： 株式会社国际电气
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/316
摘要： 本发明的课题是提供一种清洁技术，能够将由含氟气体难以蚀刻的高介电常数氧化膜等膜高效地除去。解决手段是进行以下工序来将所述高介电常数氧化膜除去：(a)以第一压力向附着了高介电常数氧化膜的处理室供给氯系气体的工序，(b)从所述处理室排气的工序，(c)向所述处理室供给含氧气体的工序，(d)从所述处理室排气的工序，(e)以比所述第一压力低的第二压力向所述处理室供给所述氯系气体的工序，(f)从所述处理室排气的工序，和(g)向所述处理室供给还原气体来进行后处理的工序。
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