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公开(公告)号：CN113544807B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202080018643.2
申请日：2020-02-28
Applicant: 株式会社大赛璐 , 学校法人东京理科大学
Abstract: 本发明提供对于形成具有高蓄电容量和高能量密度的电化学电容器的电极而言有用的电化学电容器用电极形成材料。本发明的电化学电容器用电极形成材料含有:比表面积为110m2/g以上且20℃下的电导率为5.0×10‑3S/cm以上的硼掺杂纳米金刚石(A)、和金属氧化物(B)，上述(B)的含量为上述(A)与(B)的合计含量的20～95质量％。
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公开(公告)号：CN113544807A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202080018643.2
申请日：2020-02-28
Applicant: 株式会社大赛璐 , 学校法人东京理科大学
Abstract: 本发明提供对于形成具有高蓄电容量和高能量密度的电化学电容器的电极而言有用的电化学电容器用电极形成材料。本发明的电化学电容器用电极形成材料含有:比表面积为110m2/g以上且20℃下的电导率为5.0×10‑3S/cm以上的硼掺杂纳米金刚石(A)、和金属氧化物(B)，上述(B)的含量为上述(A)与(B)的合计含量的20～95质量％。
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公开(公告)号：CN111356651A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201880074239.X
申请日：2018-08-28
Applicant: 株式会社大赛璐 , 学校法人东京理科大学
Abstract: 本发明提供比表面积大、具有高电导率的硼掺杂纳米金刚石、包含硼掺杂纳米金刚石的电极、以及具备上述电极的传感器或蓄电设备。本发明的硼掺杂纳米金刚石的特征在于，比表面积为110m2/g以上，且20℃下的电导率为5.0×10-3S/cm以上。上述硼掺杂纳米金刚石的中值粒径优选为200nm以下。另外，本发明的电极的特征在于包含上述硼掺杂纳米金刚石。
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公开(公告)号：CN113573735A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202080020343.8
申请日：2020-03-03
Applicant: 国立研究开发法人产业技术总合研究所 , 株式会社大赛璐
Abstract: 本发明提供以下述式(I)表示的光发热性复合材料。CNM‑(Y1‑R)n1(I)(式中，CNM表示碳纳米材料。Y1表示2价的连接基团。R表示来自于荧光物质或色素的基团。n1表示1以上的整数)。
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公开(公告)号：CN111727061A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201880089432.0
申请日：2018-11-30
Applicant: 国立研究开发法人产业技术总合研究所 , 株式会社大赛璐
IPC: A61K47/02 , A61K9/14 , A61K31/4745 , A61K47/44 , C01B32/28
Abstract: 本发明提供一种纳米簇，其是碳纳米材料经自组装而成的，所述碳纳米材料以下述式(I)：-Y1-R(式中，Y1表示2价的连接基团，R表示有机基团)所示的官能团进行了修饰。
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公开(公告)号：CN104937456A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201480005268.2
申请日：2014-01-08
Applicant: 株式会社大赛璐
Inventor： 郑贵宽
CPC classification number: G02B27/0101 , G02B5/30 , G02B5/3033 , G02B5/305 , G02B27/0172 , G02B27/283 , G02B27/286 , G02B27/288 , G02B2027/0112 , G02B2027/0118 , G02B2027/0194 , G02B2027/0196 , G03B21/604 , G03B21/62
Abstract: 提供一种偏光叠层体，该偏光叠层体即使是对于包含扩散型偏振片的半透明屏幕，也可以一边保持从投影仪投影的映像的视认性、一边显示清晰的透射像。作为透明且用于显示从投影仪投影的映像的半透明投影仪屏幕中包含的偏光叠层体，将扩散型偏光层和吸收型偏光层两层的透射轴大致平行地进行叠层，其中，该扩散型偏光层包含包括第1透明热塑性树脂的连续相，以及包括具有与该连续相不同的折射率的第2透明热塑性树脂的分散相。上述扩散型偏光层也可以包括拉伸片，连续相的面内双折射小于0.05，分散相的面内双折射为0.05以上，且连续相与分散相对于直线偏振光的折射率差在拉伸方向和垂直于该拉伸方向的方向上不同。
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公开(公告)号：CN106661773B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201580043328.4
申请日：2015-08-26
Applicant: 株式会社大赛璐
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种具有耐热性、耐溶剂性、加工成形性优异的直径4μm以下的高熔点树脂纤维及由高熔点树脂纤维形成的无纺布。另外，本发明的目的在于，提供一种使用激光熔融静电纺丝法、效率良好地制造直径为4μm以下的高熔点树脂纤维的制造方法。本发明的高熔点树脂纤维由熔点为250℃以上的树脂形成，直径为4μm以下。另外，本发明的高熔点树脂纤维的熔点为250℃以上的树脂优选为PEEK，结晶度优选为30％以下。
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公开(公告)号：CN102947949A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201180031140.X
申请日：2011-04-13
Applicant: 株式会社大赛璐
IPC: H01L31/042 , C08F210/00 , C08F232/00 , H01L33/56
CPC classification number: H01L31/0203 , B32B2457/12 , C08F4/65908 , C08F4/65912 , C08F4/65925 , C08F210/02 , C08F230/08 , C08F232/08 , H01L31/0481 , H01L33/56 , H01L2933/005 , Y02E10/50 , C08F4/645
Abstract: 本发明制备光半导体保护材料，其含有以链状烯烃和环状烯烃作为聚合成分的链状烯烃-环状烯烃共聚物弹性体。所述弹性体以α-链状C2-4烯烃和多环式烯烃作为聚合成分，且两者的摩尔比可以为α-链状C2-4烯烃/多环式烯烃＝80/20~99/1。所述光半导体保护材料可以进一步含有具有水解性缩合基团的有机硅化合物。所述有机硅化合物可以为具有(甲基)丙烯酰基的硅烷偶联剂。该光半导体保护材料（1）适于作为用于密封太阳能电池元件（4）的太阳能电池的密封材料或填充材料（3）。该光半导体保护材料的透明性及耐候性高，具有适当的弹性，可以有效地保护光半导体。
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公开(公告)号：CN106661773A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580043328.4
申请日：2015-08-26
Applicant: 株式会社大赛璐
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种具有耐热性、耐溶剂性、加工成形性优异的直径4μm以下的高熔点树脂纤维及由高熔点树脂纤维形成的无纺布。另外，本发明的目的在于，提供一种使用激光熔融静电纺丝法、效率良好地制造直径为4μm以下的高熔点树脂纤维的制造方法。本发明的高熔点树脂纤维由熔点为250℃以上的树脂形成，直径为4μm以下。另外，本发明的高熔点树脂纤维的熔点为250℃以上的树脂优选为PEEK，结晶度优选为30％以下。
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