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公开(公告)号：CN107405878A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201580066995.4
申请日：2015-12-23
申请人： 株式会社斗山
IPC分类号： B32B15/08 , B32B15/20 , B32B27/00 , B32B37/10 , B32B37/12 , B32B37/26 , B32B33/00 , H05K9/00
CPC分类号： B32B15/08 , B32B15/20 , B32B37/12 , B32B37/26 , H05K9/00 , B32B27/00 , B32B33/00 , B32B37/10 , B32B37/1284 , B32B2037/268 , B32B2255/10 , B32B2255/26 , B32B2307/212 , B32B2311/12 , B32B2457/08 , H05K9/0088
摘要： 本发明提供一种电磁波屏蔽膜的制造方法，包括：(i)在第一基材膜的第一面上涂布绝缘层形成用热固性树脂组合物以形成绝缘层的步骤；(ii)在所述绝缘层上层叠由第二铜箔、粘接层和载体第一铜箔构成的分离型(peelable)双层铜箔，且接合绝缘层和第二铜箔后拆卸所述载体第一铜箔的步骤；(iii)在第二基材膜的第一面上涂布包含导电性填料和热固性树脂的导电性粘接层形成用树脂组合物后干燥，以形成导电性粘接层的步骤；以及(iv)层叠第一基材膜和第二基材膜，且配置成所述第一基材膜的第二铜箔与第二基材膜的导电性粘接层彼此接触后通过加压工序压接的步骤。本发明中，不但可以使以往制造电磁波屏蔽膜时为了形成多个涂布层而反复执行多层涂布工序所导致的原材料的损失最小化，还可以实现制造工序简单化，从而提高经济性。
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公开(公告)号：CN113227284A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980085552.8
申请日：2019-08-23
申请人： 株式会社斗山
IPC分类号： C09J7/20 , C09J163/00 , C09J11/06 , C09J11/04 , H01L21/56 , H01L23/482 , H01L23/00 , H01L23/48
摘要： 本发明涉及半导体封装体用非导电性粘接膜及利用其的半导体封装体的制造方法，上述半导体封装体用非导电性粘接膜包含基材、以及配置在上述基材的一面且25℃时的储能模量(storage modulus)为2至4GPa的粘接层。
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公开(公告)号：CN107405878B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201580066995.4
申请日：2015-12-23
申请人： 株式会社斗山
IPC分类号： B32B15/08 , B32B15/20 , B32B27/00 , B32B37/10 , B32B37/12 , B32B37/26 , B32B33/00 , H05K9/00
摘要： 本发明提供一种电磁波屏蔽膜的制造方法，包括：(i)在第一基材膜的第一面上涂布绝缘层形成用热固性树脂组合物以形成绝缘层的步骤；(ii)在所述绝缘层上层叠由第二铜箔、粘接层和载体第一铜箔构成的分离型(peelable)双层铜箔，且接合绝缘层和第二铜箔后拆卸所述载体第一铜箔的步骤；(iii)在第二基材膜的第一面上涂布包含导电性填料和热固性树脂的导电性粘接层形成用树脂组合物后干燥，以形成导电性粘接层的步骤；以及(iv)层叠第一基材膜和第二基材膜，且配置成所述第一基材膜的第二铜箔与第二基材膜的导电性粘接层彼此接触后通过加压工序压接的步骤。本发明中，不但可以使以往制造电磁波屏蔽膜时为了形成多个涂布层而反复执行多层涂布工序所导致的原材料的损失最小化，还可以实现制造工序简单化，从而提高经济性。
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