公开(公告)号：CN112779507B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN201911094854.X

申请日：2019-11-11

申请人： 株式会社新柯隆

发明人： 盐田有广 ,  青山贵昭 ,  远藤光人 ,  长江亦周

IPC分类号： C23C14/34

摘要： 本申请提供一种成膜装置，包括：真空容器；绕垂直轴线转动的基板保持单元，其能保持多个基板；位于所述真空容器内部的成膜区域，所述成膜区域能够通过溅射从靶材释放出溅射离子到达所述基板；可拆卸地安装于所述真空容器内的隔离单元，其将所述成膜区域与所述真空容器内的其他区域隔开。本申请提供的成膜装置能够改善成膜质量。

公开(公告)号：CN109207932A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201710524216.1

申请日：2017-06-30

申请人： 株式会社新柯隆

发明人： 长江亦周 ,  高坂佳弘 ,  青山贵昭 ,  远藤光人

IPC分类号： C23C14/26

摘要： 本发明公开一种成膜装置，包括：容器，其内部能容置基板；能将所述容器内部排气至真空状态的排气机构；储藏溶液的储藏机构；能将所述溶液排出至所述基板上的喷嘴；加热机构，其能对所述喷嘴和/或所述容器内部加热。本发明提供的成膜装置能够减少或消除基板在成膜过程中形成的液迹。

公开(公告)号：CN113337809A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202010092653.2

申请日：2020-02-14

申请人： 株式会社新柯隆

发明人： 长江亦周 ,  宫内充祐 ,  高坂佳弘 ,  青山贵昭 ,  远藤光人

IPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  G02B1/10 ,  G02B1/11

摘要： 本申请公开一种低折射率薄膜形成装置，包括：用于容纳基板的真空成膜室；用于向所述真空成膜室导入气体的导入机构；用于在所述真空成膜室中形成等离子体的等离子源；所述等离子源能在所述基板上利用所述气体进行等离子体化学气相沉积成膜。本申请所公开的薄膜形成装置能够制造大面积的实用化的且成本的低折射率的薄膜。

公开(公告)号：CN112779507A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201911094854.X

申请日：2019-11-11

申请人： 株式会社新柯隆

发明人： 盐田有广 ,  青山贵昭 ,  远藤光人 ,  长江亦周

IPC分类号： C23C14/34

摘要： 本申请提供一种成膜装置，包括：真空容器；绕垂直轴线转动的基板保持单元，其能保持多个基板；位于所述真空容器内部的成膜区域，所述成膜区域能够通过溅射从靶材释放出溅射离子到达所述基板；可拆卸地安装于所述真空容器内的隔离单元，其将所述成膜区域与所述真空容器内的其他区域隔开。本申请提供的成膜装置能够改善成膜质量。

公开(公告)号：CN207016846U

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201720789110.X

申请日：2017-06-30

申请人： 株式会社新柯隆

发明人： 长江亦周 ,  高坂佳弘 ,  青山贵昭 ,  远藤光人

IPC分类号： C23C14/26

摘要： 本实用新型公开一种成膜装置，包括：容器，其内部能容置基板；能将所述容器内部排气至真空状态的排气机构；储藏溶液的储藏机构；能将所述溶液排出至所述基板上的喷嘴；加热机构，其能对所述喷嘴和/或所述容器内部加热。本实用新型提供的成膜装置能够减少或消除基板在成膜过程中形成的液迹。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207126724U

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201720780692.5

申请日：2017-06-30

申请人： 株式会社新柯隆

发明人： 青山贵昭 ,  远藤光人

IPC分类号： B05B15/52

摘要： 本实用新型公开一种成膜装置，包括：容器，其内部能够容置基板；储藏机构，其储藏含有成膜材料的溶液；喷嘴，其与所述储藏机构连通；所述喷嘴能将所述溶液排出至所述基板上；除残机构，其能将所述喷嘴内残留的所述溶液排出所述喷嘴。