公开(公告)号：CN119789528A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411356359.2

申请日：2024-09-26

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 花田明纮 ,  海东拓生 ,  汤川统央

IPC: H10D86/60 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明涉及显示装置及显示装置的制造方法。提供高精细的显示装置。显示装置具有:包含多晶结构的氧化物半导体层；设置在氧化物半导体层之上的栅极绝缘层；在栅极绝缘层之上与氧化物半导体层对置的栅电极；与栅电极相接地设置的第1氮化硅层；与第1氮化硅层相接地设置且与氧化物半导体层电连接的源极布线；与源极布线及第1氮化硅层相接地设置的第2氮化硅层；与氧化物半导体层电连接的第1透明导电层；和与第1透明导电层及第2氮化硅层相接地设置的第3氮化硅层，栅电极的沟道长度为2.0μm以下。

公开(公告)号：CN119317337A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202410925292.3

申请日：2024-07-10

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 汤川统央 ,  铃村功 ,  游津元希

IPC: H10K71/00 ,  H10K71/60 ,  H10K30/81 ,  H10K30/60 ,  H10K39/38

Abstract: 本发明涉及光检测装置及其制造方法。课题在于提供容易进行有机层的图案化、且品质提高的光检测装置及其制造方法。光检测装置包括：下部结构；设置在前述下部结构之上的1个以上的公共布线连接部及1个以上的像素电极；有机光电转换层，其以在前述1个以上的像素电极之上重叠、并且与前述1个以上的公共布线连接部不重叠的方式设置；和透明电极层，其以与前述有机光电转换层重叠、并且在前述1个以上的公共布线连接部之上也重叠的方式设置，前述透明电极层之中，与前述1个以上的像素电极重叠的部分比其他部分厚。