公开(公告)号：CN117637763A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311088862.X

申请日：2023-08-28

申请人： 株式会社日本显示器

发明人： 花田明纮 ,  田中仁

IPC分类号： H01L27/12 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

摘要： 根据一个实施方式，显示装置包括：透明的半导体；第1绝缘层，其覆盖所述半导体；栅电极，其配置在所述第1绝缘层之上；第2绝缘层，其覆盖所述栅电极；源电极，其配置在所述第2绝缘层之上；第3绝缘层，其覆盖所述源电极；透明电极，其配置在所述第3绝缘层之上，在贯穿所述第1绝缘层、所述第2绝缘层及所述第3绝缘层的第2接触孔中与所述半导体相接；第4绝缘层，其覆盖所述透明电极；彩色滤光片，其配置在所述第4绝缘层之上；以及像素电极，其配置在所述彩色滤光片的上方，与所述彩色滤光片相对置，与所述透明电极电连接，所述第1绝缘层及所述第2绝缘层是氧化硅层，所述第3绝缘层及所述第4绝缘层中的至少一方是氮化硅层。

公开(公告)号：CN114497076A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111242644.8

申请日：2021-10-25

申请人： 株式会社日本显示器

发明人： 金子寿辉 ,  花田明纮

IPC分类号： H01L27/12 ,  G09F9/33 ,  G09F9/35

摘要： 一种显示装置，具备：第一栅电极，配置于周边区域，且包含于栅极驱动器；第二栅电极，配置于显示区域，且与由栅极驱动器驱动的栅极线一体；第一氧化物半导体，配置于第一栅电极的上方；第二氧化物半导体，配置于第二栅电极的上方；第一源电极，在第二绝缘膜的第一开口处与第一氧化物半导体接触；第一漏电极，在第二绝缘膜的第二开口处与第一氧化物半导体接触；第二源电极，在第二绝缘膜的第三开口处与第二氧化物半导体接触；以及第二漏电极，在第二绝缘膜的第四开口处与第二氧化物半导体接触，第一开口与第二开口之间的第二绝缘膜和第一源电极的层叠体的长度大于第三开口与第四开口之间的第二绝缘膜和第二源电极的层叠体的长度。

公开(公告)号：CN107492557B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201710426030.2

申请日：2017-06-08

申请人： 株式会社日本显示器

发明人： 花田明纮 ,  渊正芳

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L21/77

摘要： 一种半导体装置，具备：绝缘基板；第1半导体层，位于绝缘基板的上方；第2半导体层，位于绝缘基板的上方，由与第1半导体层不同的物质形成；绝缘层，位于绝缘基板的上方，覆盖第1半导体层与第2半导体层，并形成有贯通至第1半导体层的第1接触孔与贯通至第2半导体层的第2接触孔；阻挡层，覆盖第1接触孔内的第1半导体层与上述第2接触孔内的第2半导体层中的某一方，并具有导电性；以及第1导电层，与阻挡层接触。

公开(公告)号：CN111554692A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010082372.9

申请日：2020-02-07

申请人： 株式会社日本显示器

发明人： 铃村功 ,  神内纪秀 ,  渡壁创 ,  花田明纮 ,  小野寺凉

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

摘要： 本发明要解决的技术问题在于，提供能够使有机平坦化膜中含有的水分减少、并且使薄膜晶体管的特性的变动减少的半导体器件和半导体器件的制造方法。本发明的半导体器件包括：形成有具有源极电极的薄膜晶体管的半导体基片；像素电极；有机平坦化膜；形成在上述有机平坦化膜上的阻挡膜；形成在上述阻挡膜上的电容绝缘膜；和贯通孔，其设置在上述有机平坦化膜、上述阻挡膜和上述电容绝缘膜中，使得上述源极电极露出。上述贯通孔具有：上述有机平坦化膜露出的第一部分；和上述有机平坦化膜不露出的第二部分。上述像素电极在上述贯通孔的内部与上述源极电极连接。

公开(公告)号：CN111587453B

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN201880086103.0

申请日：2018-12-04

申请人： 株式会社日本显示器

发明人： 花田明纮 ,  伊藤友幸

IPC分类号： G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H10K59/12 ,  H05B33/02

摘要： 本发明的课题为，在使用了聚酰亚胺基板的显示装置中，抑制由基板带电引起的TFT的特性变动。本发明的概要为一种显示装置，在由树脂形成的基板(100)的一面，存在由氧化物半导体(107)形成的第一TFT与由第一多晶硅(102)形成的第二TFT，其特征在于，所述第一TFT与所述第二TFT形成于俯视观察时不同的部位，所述第二TFT与所述第一TFT相比，形成为在剖视观察时更靠近所述基板(100)，所述氧化物半导体(107)具有沟道长度与沟道宽度，在所述氧化物半导体(107)与所述基板(100)之间存在第二多晶硅(50)，该第二多晶硅(50)由与所述第一多晶硅(102)相同的材料形成，并形成在与形成有所述第一多晶硅(100)的层相同的层之上。

公开(公告)号：CN114467184A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202080065097.8

申请日：2020-09-16

申请人： 株式会社日本显示器

发明人： 花田明纮 ,  海东拓生 ,  渡壁创

IPC分类号： H01L29/786

摘要： 本发明的课题为在使用了氧化物半导体TFT的半导体装置中防止由金属电极夺取氧化物半导体膜的氧而导致的TFT的特性变动。为了解决该课题，本发明采取如下结构。半导体装置的特征在于，具有TFT，该TFT在栅极电极(104)之上形成有栅极绝缘膜(105)，在上述栅极绝缘膜(105)之上形成有氧化物半导体膜(106)，上述氧化物半导体膜(106)具有沟道区域(1061)、漏极区域(1063)、源极区域(1064)，俯视下，在上述栅极电极的上表面，在与上述氧化物半导体膜(106)的上述沟道区域(1061)相对的部分，形成有金属氮化膜(10)，上述栅极电极(104)的上表面的一部分不存在上述金属氮化膜(10)。

公开(公告)号：CN114258595A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202080056742.X

申请日：2020-07-30

申请人： 株式会社日本显示器

发明人： 花田明纮 ,  海东拓生 ,  津吹将志

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

摘要： 本发明的课题是在由氧化物半导体形成的薄膜晶体管(TFT)中抑制阈值电压的变动ΔVth。用于解决这样的课题的本发明的代表手段如下所述。半导体器件，其具有由氧化物半导体形成的TFT，其特征在于，上述氧化物半导体具有沟道区域104、源极区域1042、漏极区域1043，和处于上述沟道区域与上述源极区域及上述漏极区域之间的LDD(Lightly Doped Drain)区域1041，上述LDD区域1041的电阻率比上述沟道区域的电阻率小、比上述源极区域或上述漏极区域的电阻率大，源电极108与上述源极区域1042重叠地形成，漏电极109与上述漏极区域1043重叠地形成，上述氧化物半导体的上述LDD区域1041的厚度大于上述沟道区域104的厚度。

公开(公告)号：CN107492557A

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201710426030.2

申请日：2017-06-08

申请人： 株式会社日本显示器

发明人： 花田明纮 ,  渊正芳

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L21/77

摘要： 一种半导体装置，具备：绝缘基板；第1半导体层，位于绝缘基板的上方；第2半导体层，位于绝缘基板的上方，由与第1半导体层不同的物质形成；绝缘层，位于绝缘基板的上方，覆盖第1半导体层与第2半导体层，并形成有贯通至第1半导体层的第1接触孔与贯通至第2半导体层的第2接触孔；阻挡层，覆盖第1接触孔内的第1半导体层与上述第2接触孔内的第2半导体层中的某一方，并具有导电性；以及第1导电层，与阻挡层接触。

公开(公告)号：CN117855287A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311224445.3

申请日：2023-09-21

申请人： 株式会社日本显示器

发明人： 渡壁创 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成 ,  花田明纮 ,  田丸尊也

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24

摘要： 本发明涉及半导体装置、半导体装置的制造方法。提供含有防止氢向沟道区域侵入的氢陷阱区域的半导体装置。半导体装置包含氧化物绝缘层、氧化物半导体层、栅电极、栅极绝缘层及第1绝缘层。在与栅电极重叠的第1区域中的栅极绝缘层的厚度为200nm以上。第1区域中，栅电极与第1绝缘层相接，在不与栅电极重叠而与氧化物半导体层重叠的第2区域中，氧化物半导体层与第1绝缘层相接。所述第2区域中的所述氧化物半导体层所包含的杂质的量多于所述第1区域中的所述氧化物半导体层所包含的所述杂质的量，与栅电极及氧化物半导体层不重叠的所述第3区域中的所述氧化物绝缘层所包含的所述杂质的量多于所述第2区域中的所述氧化物绝缘层所包含的所述杂质的量。

公开(公告)号：CN117334701A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311328162.3

申请日：2020-02-05

申请人： 株式会社日本显示器

发明人： 神内纪秀 ,  渡壁创 ,  花田明纮 ,  小野寺凉 ,  铃村功

IPC分类号： H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

摘要： 本发明涉及半导体器件。能在同一基板内形成LTPS TFT和氧化物半导体TFT。显示装置，其特征在于，具有形成有使用氧化物半导体(109)的第一TFT和使用多晶硅半导体的第二TFT的基板，第一TFT中，覆盖氧化物半导体而形成第一绝缘膜(112)，第一漏电极(110)介由第一绝缘膜中形成的第一通孔(132)连接于氧化物半导体，第一源电极(111)介由第二通孔(133)连接于氧化物半导体，覆盖第一漏电极及第一源电极而形成第二绝缘膜(115)，漏极布线(120)介由第二绝缘膜中形成的第三通孔(130)连接于第一漏电极，源极布线(122)介由第二绝缘膜中形成的第四通孔(131)连接于第一源电极。