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公开(公告)号：CN112313567B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201980042873.X
申请日：2019-05-24
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/13 , G02F1/13357 , G02F1/1343 , G03B7/095 , G03B9/08 , G03B30/00
Abstract: 提供一种能够实现窄边框化的电子设备。该电子设备具备：摄像头；第1偏振片；第2偏振片；位于所述第1偏振片与所述第2偏振片之间的液晶面板；以及控制所述液晶面板的控制器，所述液晶面板具有与所述摄像头重叠的第1区域以及第2区域，所述控制器对在所述第1区域以及所述第2区域透光的第1开口模式、和将所述第1区域的透射光量减少至比所述第2区域的透射光量少的第2开口模式进行控制。
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公开(公告)号：CN114258595B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202080056742.X
申请日：2020-07-30
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明的课题是在由氧化物半导体形成的薄膜晶体管(TFT)中抑制阈值电压的变动ΔVth。用于解决这样的课题的本发明的代表手段如下所述。半导体器件，其具有由氧化物半导体形成的TFT，其特征在于，上述氧化物半导体具有沟道区域104、源极区域1042、漏极区域1043，和处于上述沟道区域与上述源极区域及上述漏极区域之间的LDD(Lightly Doped Drain)区域1041，上述LDD区域1041的电阻率比上述沟道区域的电阻率小、比上述源极区域或上述漏极区域的电阻率大，源电极108与上述源极区域1042重叠地形成，漏电极109与上述漏极区域1043重叠地形成，上述氧化物半导体的上述LDD区域1041的厚度大于上述沟道区域104的厚度。
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公开(公告)号：CN119789528A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411356359.2
申请日：2024-09-26
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及显示装置及显示装置的制造方法。提供高精细的显示装置。显示装置具有:包含多晶结构的氧化物半导体层；设置在氧化物半导体层之上的栅极绝缘层；在栅极绝缘层之上与氧化物半导体层对置的栅电极；与栅电极相接地设置的第1氮化硅层；与第1氮化硅层相接地设置且与氧化物半导体层电连接的源极布线；与源极布线及第1氮化硅层相接地设置的第2氮化硅层；与氧化物半导体层电连接的第1透明导电层；和与第1透明导电层及第2氮化硅层相接地设置的第3氮化硅层，栅电极的沟道长度为2.0μm以下。
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公开(公告)号：CN114582979A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111367388.5
申请日：2021-11-18
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L27/32 , G09G3/3233
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其提高包含使用了氧化物半导体的薄膜晶体管的半导体装置的可靠性。半导体装置在各像素中具有薄膜晶体管。所述薄膜晶体管具有：氧化物半导体层；栅极绝缘层；隔着所述栅极绝缘层与所述氧化物半导体层重叠的栅极电极；与所述氧化物半导体层接触的源极电极；与所述氧化物半导体层接触的漏极电极；和第1金属层，其与所述氧化物半导体层接触，并且与所述源极电极和所述漏极电极隔开间隔地配置在所述源极电极与所述漏极电极之间。
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公开(公告)号：CN114582886A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111367815.X
申请日：2021-11-18
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , H01L27/32 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，抑制薄膜晶体管的占用面积并提高半导体装置的可靠性。半导体装置在各像素中具有薄膜晶体管。所述薄膜晶体管具有：氧化物半导体层；栅极绝缘层；隔着所述栅极绝缘层与所述氧化物半导体层重叠的栅极电极；与所述氧化物半导体层接触的源极电极；与所述氧化物半导体层接触的漏极电极；和与所述氧化物半导体层接触，并且以横穿所述氧化物半导体层的方式配置在所述源极电极与所述漏极电极之间的n(n为自然数)个金属层，在俯视时，所述氧化物半导体层在所述源极电极与所述漏极电极之间具有(n+1)个沟道区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112313567A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201980042873.X
申请日：2019-05-24
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/13 , G02F1/13357 , G02F1/1343 , G03B7/095 , G03B9/08 , G03B30/00
Abstract: 提供一种能够实现窄边框化的电子设备。该电子设备具备：摄像头；第1偏振片；第2偏振片；位于所述第1偏振片与所述第2偏振片之间的液晶面板；以及控制所述液晶面板的控制器，所述液晶面板具有与所述摄像头重叠的第1区域以及第2区域，所述控制器对在所述第1区域以及所述第2区域透光的第1开口模式、和将所述第1区域的透射光量减少至比所述第2区域的透射光量少的第2开口模式进行控制。
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公开(公告)号：CN105280674A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510302995.1
申请日：2015-06-04
Applicant: 株式会社日本显示器
CPC classification number: H01L27/322 , H01L51/0097 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L2251/5338 , H01L27/3241 , H01L51/5256
Abstract: 本发明提供一种能够抑制发光元件的劣化的显示装置。本发明一实施方式中的显示装置包括：第一基板；配置在第一基板上的发光元件；具有防湿性的与第一基板相对的第二基板；第一阻挡层，其配置在第二基板上，具有比第二基板的防湿性高的防湿性；有机层，其配置在第一阻挡层上的与发光元件相对的位置；和第二阻挡层，其配置在有机层上，具有比第二基板的防湿性高的防湿性。
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公开(公告)号：CN114467184A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202080065097.8
申请日：2020-09-16
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明的课题为在使用了氧化物半导体TFT的半导体装置中防止由金属电极夺取氧化物半导体膜的氧而导致的TFT的特性变动。为了解决该课题，本发明采取如下结构。半导体装置的特征在于，具有TFT，该TFT在栅极电极(104)之上形成有栅极绝缘膜(105)，在上述栅极绝缘膜(105)之上形成有氧化物半导体膜(106)，上述氧化物半导体膜(106)具有沟道区域(1061)、漏极区域(1063)、源极区域(1064)，俯视下，在上述栅极电极的上表面，在与上述氧化物半导体膜(106)的上述沟道区域(1061)相对的部分，形成有金属氮化膜(10)，上述栅极电极(104)的上表面的一部分不存在上述金属氮化膜(10)。
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公开(公告)号：CN114258595A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202080056742.X
申请日：2020-07-30
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本发明的课题是在由氧化物半导体形成的薄膜晶体管(TFT)中抑制阈值电压的变动ΔVth。用于解决这样的课题的本发明的代表手段如下所述。半导体器件，其具有由氧化物半导体形成的TFT，其特征在于，上述氧化物半导体具有沟道区域104、源极区域1042、漏极区域1043，和处于上述沟道区域与上述源极区域及上述漏极区域之间的LDD(Lightly Doped Drain)区域1041，上述LDD区域1041的电阻率比上述沟道区域的电阻率小、比上述源极区域或上述漏极区域的电阻率大，源电极108与上述源极区域1042重叠地形成，漏电极109与上述漏极区域1043重叠地形成，上述氧化物半导体的上述LDD区域1041的厚度大于上述沟道区域104的厚度。
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