公开(公告)号：CN103323987A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310110859.3

申请日：2013-03-21

Applicant: 株式会社日本显示器东

Inventor： 平塚崇人 ,  伊东理 ,  山本昌直 ,  园田大介 ,  石垣利昌

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/133345 ,  G02F1/133377 ,  G02F1/134336

Abstract: 一种壁电极方式的液晶显示装置，抑制在壁状构造的根附近产生的壁电极断线，并抑制由形成间隙时的压力导致的层间绝缘膜的破裂，提高成品率。液晶显示装置呈矩阵状地配置多个像素，各像素在像素边界具有绝缘体的壁状构造，在壁状构造之间具有比壁状构造小的小壁状构造，包括：由在像素边界的壁状构造的侧面形成的壁状电极及与该电极相连的、从壁状电极与基板接触的面开始沿平面方向延伸的平面电极构成的壁电极；由覆盖小壁状构造的TFT侧电极及与该电极相连的、沿基板的平面方向延伸的保持电容电极构成的电极；形成在保持电容电极和平面电极之间的层间绝缘膜，在像素边界的壁状构造的上表面、侧面及根部分未形成由无机膜形成的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN103389605A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201310114477.8

申请日：2013-03-25

Applicant: 株式会社日本显示器东

Inventor： 石垣利昌 ,  高桥文雄 ,  栗山英树

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F2201/40 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/288 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/78606 ,  H01L33/08

Abstract: 本发明提供一种显示装置，在高精细画面中，通过使连接源电极与像素电极的通孔的直径减小，使像素的透射率提高，使像素亮度提高。在像素内配置有TFT和突起(BK)，TFT的源电极(ST)覆盖突起地延伸，覆盖TFT和突起地形成无机钝化膜(PAS)，覆盖TFT上的所述无机钝化膜地形成有机钝化膜(IN)，覆盖有机钝化膜地形成对置电极(CT)，覆盖对置电极地形成上部绝缘膜(UPS)，在上部绝缘膜上形成像素电极(PX)，像素电极在突起上经由在所述无机钝化膜(PAS)以及上部绝缘膜(UPS)形成的连接孔(CH)与源电极导通。由此能够使通孔(CH)的直径减小，能够使像素的透射率提高。

公开(公告)号：CN103217838A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310028150.9

申请日：2013-01-17

Applicant: 株式会社日本显示器东

Inventor： 伊东理 ,  平塚崇人 ,  山本昌直 ,  石垣利昌 ,  园田大介

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133377 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/133707 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134318 ,  G02F2001/134381 ,  H01L33/0041

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置及液晶显示装置的制造方法。在壁电极方式的液晶显示装置中，将壁构造和电极的平面分布最优化，提高成品率。所述液晶显示装置呈矩阵状地配置有多个像素，各像素包括：绝缘体的壁构造，其形成于像素边界；源电极，其由形成在上述像素边界的壁构造的侧面的壁电极、及与该壁电极连续且从壁电极与基板接触的位置开始在平面方向延伸的平面电极构成；第一公共电极，其设置于像素两侧的源电极之间，且隔着绝缘层与上述平面电极有一部分重叠，从而形成保持电容；以及第二公共电极，其设置在上述像素两侧的壁电极之间，在所述液晶显示装置中，将成为相邻两像素的壁电极的边界的狭缝只配置在上述壁构造的顶部。