公开(公告)号：CN107946177A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711168487.4

申请日：2017-11-21

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 孟祥国 ,  李全波 ,  陆连

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31111 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31058

摘要： 本发明提出一种减少光刻胶剥离工艺对器件性能影响的方法，包括下列步骤：提供半导体衬底，侧墙刻蚀形成浅沟槽隔离结构；在上述结构上生长致密氧化物薄膜层；进行光刻胶旋涂与曝光工艺处理；进行离子注入工艺处理；进行光刻胶玻璃工艺处理后进行湿法清洗处理；去除所述致密氧化物薄膜层。本发明提出的减少光刻胶剥离工艺对器件性能影响的方法，通过在侧墙刻蚀之后增加致密氧化膜的生长，在离子注入光刻胶剥离时可以有效阻止有源区的注入离子的损失和晶圆表面的膜质损失，从而避免了因光刻胶剥离工艺的变更导致的器件漂移问题。

公开(公告)号：CN107658271A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201710585284.9

申请日：2017-07-17

申请人： 潮州三环(集团)股份有限公司

发明人： 邱基华

IPC分类号： H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L21/02 ,  H01L21/033

CPC分类号： H01L23/13 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/0334 ,  H01L23/14

摘要： 本发明公开了一种防污基板，包括：基底；所述基底的表面至少具有一个功能区域；所述功能区域至少一部分具有涂层；所述功能区域上具有多个凸台，所述凸台的平均高度为10～2000nm，凸台的平均上表面积为78～1.964×105nm2，相邻凸台之间的平均间距为1～5000nm；所述涂层采用疏水材料制成。本发明提供了一种防污基板及其制备方法，本发明制备的防污基板具有较强的防污性和耐磨性，且基底有多种选择。采用本发明所述防污基板的制备方法获得的防污基板，能够制得凸台之间的间距低至1nm的防污基板，且大大缩小了小尺寸间距的凸台的制备成本，防污基板基底和凸台为一体，凸台不易从基底上脱落，提高了防污基板的耐磨性。

公开(公告)号：CN103915337B

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201310653209.3

申请日：2013-12-05

申请人： 创世舫电子日本株式会社

发明人： 小谷义之 ,  秋山深一

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/02112 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成电子渡越层；在所述电子渡越层上形成电子供应层；在所述电子供应层上形成盖层；在所述盖层上形成保护层，所述保护层包括开口部，通过所述开口部暴露一部分所述盖层；以及利用湿法工艺在所述盖层的暴露面上形成氧化膜。本发明提供的半导体器件及其制造方法能够抑制半导体器件的Id‑Vg特性中的迟滞。

公开(公告)号：CN106773418A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710036815.9

申请日：2013-03-25

申请人： 株式会社日本显示器

发明人： 石垣利昌 ,  高桥文雄 ,  栗山英树

IPC分类号： G02F1/1362

CPC分类号： G02F1/136227 ,  G02F2201/40 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/288 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/78606 ,  H01L33/08

摘要： 本发明提供一种显示装置，在高精细画面中，通过使连接源电极与像素电极的通孔的直径减小，使像素的透射率提高，使像素亮度提高。在像素内配置有TFT和突起(BK)，TFT的源电极(ST)覆盖突起地延伸，覆盖TFT和突起地形成无机钝化膜(PAS)，覆盖TFT上的所述无机钝化膜地形成有机钝化膜(IN)，覆盖有机钝化膜地形成对置电极(CT)，覆盖对置电极地形成上部绝缘膜(UPS)，在上部绝缘膜上形成像素电极(PX)，像素电极在突起上经由在所述无机钝化膜(PAS)以及上部绝缘膜(UPS)形成的连接孔(CH)与源电极导通。由此能够使通孔(CH)的直径减小，能够使像素的透射率提高。

公开(公告)号：CN103389605B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310114477.8

申请日：2013-03-25

申请人： 株式会社日本显示器

发明人： 石垣利昌 ,  高桥文雄 ,  栗山英树

IPC分类号： G02F1/1368 ,  G02F1/1333

CPC分类号： G02F1/136227 ,  G02F2201/40 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/288 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/78606 ,  H01L33/08

摘要： 本发明提供一种显示装置，在高精细画面中，通过使连接源电极与像素电极的通孔的直径减小，使像素的透射率提高，使像素亮度提高。在像素内配置有TFT和突起(BK)，TFT的源电极(ST)覆盖突起地延伸，覆盖TFT和突起地形成无机钝化膜(PAS)，覆盖TFT上的所述无机钝化膜地形成有机钝化膜(IN)，覆盖有机钝化膜地形成对置电极(CT)，覆盖对置电极地形成上部绝缘膜(UPS)，在上部绝缘膜上形成像素电极(PX)，像素电极在突起上经由在所述无机钝化膜(PAS)以及上部绝缘膜(UPS)形成的连接孔(CH)与源电极导通。由此能够使通孔(CH)的直径减小，能够使像素的透射率提高。

公开(公告)号：CN104025267B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280050751.3

申请日：2012-05-08

申请人： 新电元工业株式会社

发明人： 小笠原淳 ,  伊东浩二 ,  伊藤一彦 ,  六鎗広野

IPC分类号： H01L21/316 ,  C03C3/064 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C3/093 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L23/564 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C3/093 ,  C03C8/02 ,  C03C8/04 ,  C03C8/24 ,  C03C2207/00 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02161 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49551 ,  H01L24/73 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8613 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明中的树脂封装型半导体装置10具有台面型半导体元件100和铸模用树脂40，台面型半导体元件100包括在包围台面区域的外围锥形区域具有PN结露出部的台面型半导体基体以及至少覆盖外围锥形区域的玻璃层，铸模用树脂40用于封装台面型半导体元件100。本发明的树脂封装型半导体装置虽与以往的树脂封装型半导体装置同样具有将台面型半导体元件用树脂铸模而形成的结构，但还是一种具有比以往的树脂封装型半导体装置更高的高温反向偏压耐量的树脂封装型半导体装置。

公开(公告)号：CN106098538A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610693426.9

申请日：2016-08-19

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 唐在峰 ,  吕煜坤 ,  任昱 ,  许进

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02021 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02164

摘要： 一种降低半导体晶圆晶边金属扩散污染的方法，包括：步骤S1：通过晶边刻蚀技术设备，开发生长致密性氧化物薄膜的工艺条件；步骤S2：在晶圆晶边裸硅现象的站点，利用生长致密性氧化物薄膜的工艺条件，在无膜质保护的区域生长所述致密性氧化物薄膜；步骤S3：对所述无膜质保护之区域所生长的致密性氧化物薄膜进行膜层厚度监测。本发明通过利用晶边刻蚀技术，开发生长致密性氧化物薄膜的工艺条件，并在晶圆晶边裸硅现象的站点，利用所述生长致密性氧化物薄膜的工艺条件，在无膜质保护的区域生长所述致密性氧化物薄膜，不仅有效阻隔金属离子扩散污染，而且保证工艺稳定，提高产品良率。

公开(公告)号：CN105261654A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510743470.1

申请日：2015-11-05

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 张帅 ,  詹裕程

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1222 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02318 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78687

摘要： 本公开涉及显示技术领域，并公开一种低温多晶硅薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示面板。该低温多晶硅薄膜晶体管包括：包括设置在衬底上的有源层、源极、漏极、栅极、位于所述有源层和所述栅极之间的栅极绝缘层、以及设置在所述有源层和所述栅极绝缘层之间的氧化石墨烯层。通过在有源层和栅极绝缘层之间设置氧化石墨烯层，降低多晶硅有源层和栅极绝缘层之间界面粗糙度和界面缺陷态密度，并且不需要进行栅极绝缘层预清洗工艺。还公开了该多晶硅薄膜晶体管的制作方法、阵列基板和显示面板。

公开(公告)号：CN104884684A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380067927.0

申请日：2013-12-18

申请人： 默克专利股份有限公司

发明人： I·科勒 ,  O·多尔 ,  S·巴斯

IPC分类号： C30B31/04 ,  C23C18/12 ,  C23C18/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/48 ,  H01L31/0216 ,  C09D183/00 ,  H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/186 ,  C30B29/06 ,  C30B31/00 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/3221 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及制备可印刷的低至高粘度氧化物介质的新方法，以及该氧化物介质在制造太阳能电池中的用途。

公开(公告)号：CN103703548A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201280002226.4

申请日：2012-05-08

申请人： 新电元工业株式会社

发明人： 伊东浩二 ,  小笠原淳 ,  伊藤一彦 ,  六鎗広野

IPC分类号： H01L21/316 ,  C03C3/091 ,  C03C3/093 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L23/564 ,  C03C3/091 ,  C03C3/093 ,  C03C8/02 ,  C03C2204/00 ,  C03C2205/00 ,  C03C2207/00 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76232 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于：至少含有SiO2、B2O3、Al2O3、CaO、MgO及BaO中至少二种碱土类金属的氧化物，且实质上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K、Zn。根据本发明的半导体接合保护用玻璃复合物，可以使用不含铅的玻璃材料，制造与以往以使用以硅酸铅为主要成分的玻璃材料时同样的高耐压的半导体装置。另外，由于实质上不含有Zn，因而可以制造耐药品性（特别是耐氟酸性）较高、具有较高的可靠性的半导体装置。另外，在蚀刻除去硅氧化膜的工程等工程中，无需通过光致抗蚀剂保护玻璃层，因而还可以获得将工程简化的效果。