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公开(公告)号:CN103149758A
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN201210543739.8
申请日:2012-12-06
Applicant: 株式会社日本显示器东
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1345 , G02F1/133
CPC classification number: G09G5/003 , G02F1/1345 , G02F1/136204 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H02H9/00
Abstract: 本发明提供一种在制造阶段抑制静电破坏,提高成品率的显示装置。本发明的显示装置所具有的基板包括:显示部,在显示部上形成有多个像素电路、及相对于该多个像素电路成为公共基准电压的公共电极;N根(N≥3的整数)栅极信号线,其在所述显示部延伸;栅极驱动电路,其在所述显示部的外侧并排配置有N个与各所述栅极信号线连接并供给栅极信号的移位寄存器电路;公共电压主布线,其配置在所述栅极驱动电路的相对于所述显示部的更外侧;以及M根公共电压副布线,其在N个并排配置的所述移位寄存器电路的N-1个间隔中的M个(1≤M<N-1)间隔内,分别从所述公共电压主布线向所述公共电极延伸。
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公开(公告)号:CN103033989B
公开(公告)日:2015-08-26
申请号:CN201210385190.4
申请日:2012-09-29
Applicant: 株式会社日本显示器东
IPC: G02F1/1337 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/136204 , G02F1/13306 , G02F1/133345 , G02F1/1337 , G02F1/1339 , G02F1/134336 , G02F1/1345 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/133368
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置,为了抑制信号线与取向膜阻挡部之间产生电场,具有形成在比显示区域更靠外侧的区域的、至少沿显示区域的两条不同的边形成的取向膜阻挡部,该取向膜阻挡部由对液状的取向膜材料具有疏水性的薄膜材料构成,并由第二导体层(SP)和第一导体层(SH)构成,该第二导体层(SP)在取向膜阻挡部的涂布时形成在第一基板侧的最上层,该第一导体层(SH)隔着绝缘膜配置在第二导体层(SP)的下层,并配置成,在从第二导体层(SP)侧俯视观察时第二导体层(SP)的长度方向的边缘部露出,第一导体层(SH)形成在配置在显示区域的边部的信号线与第二导体层(SP)之间的薄膜层上。
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公开(公告)号:CN103033989A
公开(公告)日:2013-04-10
申请号:CN201210385190.4
申请日:2012-09-29
Applicant: 株式会社日本显示器东
IPC: G02F1/1337 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/136204 , G02F1/13306 , G02F1/133345 , G02F1/1337 , G02F1/1339 , G02F1/134336 , G02F1/1345 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/133368
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置,为了抑制信号线与取向膜阻挡部之间产生电场,具有形成在比显示区域更靠外侧的区域的、至少沿显示区域的两条不同的边形成的取向膜阻挡部,该取向膜阻挡部由对液状的取向膜材料具有疏水性的薄膜材料构成,并由第二导体层(SP)和第一导体层(SH)构成,该第二导体层(SP)在取向膜阻挡部的涂布时形成在第一基板侧的最上层,该第一导体层(SH)隔着绝缘膜配置在第二导体层(SP)的下层,并配置成,在从第二导体层(SP)侧俯视观察时第二导体层(SP)的长度方向的边缘部露出,第一导体层(SH)形成在配置在显示区域的边部的信号线与第二导体层(SP)之间的薄膜层上。
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