公开(公告)号：CN1615374A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN02827194.7

申请日：2002-11-28

申请人： 株式会社日矿材料

发明人： 山越康广 ,  宫下博仁

IPC分类号： C23C14/34 ,  C22F1/10 ,  G11B5/851

CPC分类号： C22C19/03 ,  C22F1/10 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/851 ,  H01F41/183

摘要： 本发明提供了一种具有优异溅射膜均一性的磁控溅射用高纯度镍或镍合金靶，其中所述靶的磁导率至少为100，此磁控溅射用高纯度镍或镍合金靶即使在采用300mm晶片进行淀积处理时，它也能获得有利的膜均一性(膜均匀度)和优良的等离子点火性能。本发明也提供了所述高纯度镍或镍合金靶的制造方法。

公开(公告)号：CN1759202A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200480006256.8

申请日：2004-01-21

申请人： 株式会社日矿材料

发明人： 冈部岳夫 ,  入间田修一 ,  山越康广 ,  宫下博仁 ,  铃木了

IPC分类号： C23C14/34 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： C22C27/00 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/31645 ,  Y10S148/158

摘要： 一种铪合金靶，其特征在于，Hf中含有总计100重量ppm－10重量％的Zr或Ti中的任一方或双方，并且平均结晶粒径为1－100μm；作为杂质的Fe、Cr、Ni分别为1重量ppm以下；并且{002}与从该面起35°以内的{103}、{014}、{015}四个面的晶体惯态面取向率为55％以上，并且由于位置不同而引起的四个面的强度比的总和的偏差在20％以下。得到成膜特性和成膜速度良好、很少产生颗粒、并且能够很好地适用于形成HfO或HfON膜等高电介质门绝缘膜的铪合金靶及其制造方法。

公开(公告)号：CN1529774A

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：CN02801522.3

申请日：2002-07-11

申请人： 株式会社日矿材料

发明人： 冈部岳夫 ,  相场玲宏 ,  关口淳之辅 ,  宫下博仁 ,  泽村一郎

IPC分类号： C25D17/10 ,  C25D7/12

CPC分类号： C25D7/12 ,  C25D17/10

摘要： 本发明涉及电镀铜方法，其特征在于，进行电镀铜时使用含磷铜作为阳极，且使用下面的阳极进行电镀铜：当电解时的阳极电流密度为3A/dm2或更高时，使所述的含磷铜阳极的结晶粒径为10至1500μm，当电解时的阳极电流密度低于3A/dm2时，使所述的含磷铜阳极的结晶粒径为5至1500μm。本发明提供一种电镀铜方法和用于这一电镀铜方法的含磷铜阳极，该方法可抑制粒子的产生，如电镀浴中阳极一侧所产生的淤渣，且可防止粒子附着于半导体晶片，并涉及用前述方法和阳极电镀的具有低粒子附着的半导体晶片。