公开(公告)号：CN102034702A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010500176.5

申请日：2010-09-30

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 赤江尚德 ,  广濑义朗 ,  高泽裕真 ,  太田阳介 ,  笹岛亮太

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31608 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法及衬底处理装置。制造方法包括：将衬底搬入处理容器的工序；对衬底进行处理的工序，即交替重复进行以下工序：通过向处理容器内供给含有规定元素的第1原料气体和含有规定元素的第2原料气体进行排气，在衬底上形成含有规定元素的层的工序，和通过向处理容器内供给与第1原料气体及第2原料气体不同的反应气体进行排气，将含有规定元素的层改性为氧化层、氮化层或氮氧化层的工序，由此在衬底上形成规定膜厚的氧化膜、氮化膜或氮氧化膜；将经处理的衬底从处理容器搬出的工序。第1原料气体的反应性高于第2原料气体，在形成含有规定元素的层的工序中第1原料气体的供给量少于第2原料气体。

公开(公告)号：CN102915910B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201210407086.0

申请日：2010-09-30

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 赤江尚德 ,  广濑义朗 ,  高泽裕真 ,  太田阳介 ,  笹岛亮太

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L21/31608 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法及衬底处理装置。制造方法包括：将衬底搬入处理容器的工序；对衬底进行处理的工序，即交替重复进行以下工序：通过向处理容器内供给含有规定元素的第1原料气体和含有规定元素的第2原料气体进行排气，在衬底上形成含有规定元素的层的工序，和通过向处理容器内供给与第1原料气体及第2原料气体不同的反应气体进行排气，将含有规定元素的层改性为氧化层、氮化层或氮氧化层的工序，由此在衬底上形成规定膜厚的氧化膜、氮化膜或氮氧化膜；将经处理的衬底从处理容器搬出的工序。第1原料气体的反应性高于第2原料气体，在形成含有规定元素的层的工序中第1原料气体的供给量少于第2原料气体。

公开(公告)号：CN102034702B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201010500176.5

申请日：2010-09-30

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 赤江尚德 ,  广濑义朗 ,  高泽裕真 ,  太田阳介 ,  笹岛亮太

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31608 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法及衬底处理装置。制造方法包括：将衬底搬入处理容器的工序；对衬底进行处理的工序，即交替重复进行以下工序：通过向处理容器内供给含有规定元素的第1原料气体和含有规定元素的第2原料气体进行排气，在衬底上形成含有规定元素的层的工序，和通过向处理容器内供给与第1原料气体及第2原料气体不同的反应气体进行排气，将含有规定元素的层改性为氧化层、氮化层或氮氧化层的工序，由此在衬底上形成规定膜厚的氧化膜、氮化膜或氮氧化膜；将经处理的衬底从处理容器搬出的工序。第1原料气体的反应性高于第2原料气体，在形成含有规定元素的层的工序中第1原料气体的供给量少于第2原料气体。

公开(公告)号：CN102915910A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210407086.0

申请日：2010-09-30

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 赤江尚德 ,  广濑义朗 ,  高泽裕真 ,  太田阳介 ,  笹岛亮太

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L21/31608 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法及衬底处理装置。制造方法包括：将衬底搬入处理容器的工序；对衬底进行处理的工序，即交替重复进行以下工序：通过向处理容器内供给含有规定元素的第1原料气体和含有规定元素的第2原料气体进行排气，在衬底上形成含有规定元素的层的工序，和通过向处理容器内供给与第1原料气体及第2原料气体不同的反应气体进行排气，将含有规定元素的层改性为氧化层、氮化层或氮氧化层的工序，由此在衬底上形成规定膜厚的氧化膜、氮化膜或氮氧化膜；将经处理的衬底从处理容器搬出的工序。第1原料气体的反应性高于第2原料气体，在形成含有规定元素的层的工序中第1原料气体的供给量少于第2原料气体。