公开(公告)号：CN104805414B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201510018491.7

申请日：2015-01-14

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 赤江尚德 ,  四谷达也

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/507 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274

Abstract: 一种半导体器件的制造方法及衬底处理装置，提高在衬底上形成的膜的衬底面内均匀性，包括如下工序：通过将以不同时的方式进行对处理室内的衬底供给原料气体的工序、除去处理室内的原料气体的工序、对处理室内的衬底供给化学结构不同于原料气体的反应气体的工序、以及除去处理室内的反应气体的工序作为一循环，进行规定次数的所述循环，由此在衬底上形成膜，在除去反应气体的工序中，交替重复进行将处理室内减压排气的工序和用惰性气体吹扫处理室内的工序。

公开(公告)号：CN104821267A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201410091655.4

申请日：2014-03-13

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丰田一行 ,  高崎唯史 ,  芦原洋司 ,  佐野敦 ,  赤江尚德 ,  野内英博

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02263 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4557 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32577

Abstract: 为解决在使用喷头的装置中也能维持高运转效率的课题，本发明提供一种衬底处理装置，具有：第一气体供给系统，具有与原料气体源连接并设有原料气体供给控制部的原料气体供给管；第二气体供给系统，具有与反应气体源连接并设有反应气体供给控制部的反应气体供给管；第三气体供给系统，具有与清洁气体源连接并设有清洁气体供给控制部的反应气体供给管；喷头部，具有与第一、第二、第三气体供给系统连接的缓冲室；处理室，设于喷头下方内有载置衬底的衬底载置部；等离子体生成区域切换部，对在缓冲室和处理室生成等离子体切换；等离子体生成部，具有等离子体生成区域切换部和电源；控制部，至少控制原料气体供给部、反应气体供给控制部和等离子体生成部。

公开(公告)号：CN105304525B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201510401574.4

申请日：2015-07-09

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丰田一行 ,  芦原洋司 ,  佐野敦 ,  赤江尚德 ,  野内英博

IPC: H01L21/67

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/4585

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。通过本发明，能够提高形成于衬底上的膜的特性和对衬底面内的处理均匀性、以及提高制造生产能力，并抑制颗粒产生。本发明的衬底处理装置具有：处理室，收纳衬底；衬底支承部，支承所述衬底，且外周具有突出部；分隔部，设置在所述处理室内，与所述突出部相接触，分隔所述处理室与输送所述衬底的输送空间；气体供给部，向所述处理室供给处理气体；以及，分隔吹扫气体供给部，向在对所述衬底供给所述处理气体时在所述接触的部位产生的所述突出部与所述分隔部之间的间隙，供给吹扫气体。

公开(公告)号：CN103035485A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210365930.8

申请日：2012-09-18

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 汤浅和宏 ,  赤江尚德 ,  寺崎昌人

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/022 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67109

Abstract: 本申请涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置。提高具有氧化膜和氮化膜的层合构造的绝缘膜的膜厚均匀性等。实施如下工序：通过对于处于小于大气压的压力下的处理容器内的被加热到第一温度的衬底实施规定次数的包括供给第一原料气体的工序和供给氧化气体及还原气体的工序的循环，由此在衬底上形成氧化膜的工序；通过对于处理容器内的被加热到第一温度以上第二温度以下的温度的衬底供给氮化气体，由此在氧化膜的表面上形成种晶层的工序；通过对于处理容器内的被加热到第二温度的衬底实施规定次数的包括供给第二原料气体的工序和供给氮化气体的工序的循环，由此在形成在氧化膜的表面上的种晶层上形成氮化膜的工序。

公开(公告)号：CN102034702A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010500176.5

申请日：2010-09-30

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 赤江尚德 ,  广濑义朗 ,  高泽裕真 ,  太田阳介 ,  笹岛亮太

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31608 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法及衬底处理装置。制造方法包括：将衬底搬入处理容器的工序；对衬底进行处理的工序，即交替重复进行以下工序：通过向处理容器内供给含有规定元素的第1原料气体和含有规定元素的第2原料气体进行排气，在衬底上形成含有规定元素的层的工序，和通过向处理容器内供给与第1原料气体及第2原料气体不同的反应气体进行排气，将含有规定元素的层改性为氧化层、氮化层或氮氧化层的工序，由此在衬底上形成规定膜厚的氧化膜、氮化膜或氮氧化膜；将经处理的衬底从处理容器搬出的工序。第1原料气体的反应性高于第2原料气体，在形成含有规定元素的层的工序中第1原料气体的供给量少于第2原料气体。

公开(公告)号：CN105981140B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201580008398.6

申请日：2015-02-16

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 高木康祐 ,  森田慎也 ,  赤江尚德 ,  山崎惠信

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4401 ,  C23C16/4409 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67126

Abstract: 提供一种能够抑制副生成物的附着且能够抑制产生微粒的技术。具有：反应管，其处理衬底；炉口部，其设置在反应管的下端，在炉口部的上表面的内周面侧，遍及一周地形成有凹陷部和鼓出部，该鼓出部形成有将凹陷部与内周面连通的至少一个缺口；罩，其从炉口部的内周面隔开规定间隔地设置，并覆盖炉口部的至少所述内周面；和至少一个气体供给部，其向炉口部的凹陷部供给气体。

公开(公告)号：CN105981140A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580008398.6

申请日：2015-02-16

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 高木康祐 ,  森田慎也 ,  赤江尚德 ,  山崎惠信

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4401 ,  C23C16/4409 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67126

Abstract: 提供一种能够抑制副生成物的附着且能够抑制产生微粒的技术。具有：反应管，其处理衬底；炉口部，其设置在反应管的下端，在炉口部的上表面的内周面侧，遍及一周地形成有凹陷部和鼓出部，该鼓出部形成有将凹陷部与内周面连通的至少一个缺口；罩，其从炉口部的内周面隔开规定间隔地设置，并覆盖炉口部的至少所述内周面；和至少一个气体供给部，其向炉口部的凹陷部供给气体。

公开(公告)号：CN103035485B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201210365930.8

申请日：2012-09-18

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 汤浅和宏 ,  赤江尚德 ,  寺崎昌人

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/022 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67109

Abstract: 本申请涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置。提高具有氧化膜和氮化膜的层合构造的绝缘膜的膜厚均匀性等。实施如下工序：通过对于处于小于大气压的压力下的处理容器内的被加热到第一温度的衬底实施规定次数的包括供给第一原料气体的工序和供给氧化气体及还原气体的工序的循环，由此在衬底上形成氧化膜的工序；通过对于处理容器内的被加热到第一温度以上第二温度以下的温度的衬底供给氮化气体，由此在氧化膜的表面上形成种晶层的工序；通过对于处理容器内的被加热到第二温度的衬底实施规定次数的包括供给第二原料气体的工序和供给氮化气体的工序的循环，由此在形成在氧化膜的表面上的种晶层上形成氮化膜的工序。

公开(公告)号：CN105304525A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510401574.4

申请日：2015-07-09

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丰田一行 ,  芦原洋司 ,  佐野敦 ,  赤江尚德 ,  野内英博

IPC: H01L21/67

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67017

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。通过本发明，能够提高形成于衬底上的膜的特性和对衬底面内的处理均匀性、以及提高制造生产能力，并抑制颗粒产生。本发明的衬底处理装置具有：处理室，收纳衬底；衬底支承部，支承所述衬底，且外周具有突出部；分隔部，设置在所述处理室内，与所述突出部相接触，分隔所述处理室与输送所述衬底的输送空间；气体供给部，向所述处理室供给处理气体；以及，分隔吹扫气体供给部，向在对所述衬底供给所述处理气体时在所述接触的部位产生的所述突出部与所述分隔部之间的间隙，供给吹扫气体。

公开(公告)号：CN107112235A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580072332.3

申请日：2015-01-07

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 山腰莉早 ,  寺崎昌人 ,  尾崎贵志 ,  赤江尚德 ,  堀田英树

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/455 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316

Abstract: 具有通过将下述循环进行规定次数，从而在衬底上形成氮氧化膜的工序，所述循环为非同时地进行下述工序：对衬底经由第一喷嘴供给原料气体的工序，对衬底经由第二喷嘴供给氮化气体的工序，和对衬底经由第三喷嘴供给氧化气体的工序；在供给氮化气体的工序中，从第一喷嘴及第三喷嘴中的至少一者以第一流量供给非活性气体，在供给氧化气体的工序中，从第二喷嘴以比第一流量大的第二流量供给非活性气体。