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公开(公告)号：CN101221994B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200710159739.7
申请日：2007-12-21
申请人： 株式会社日立显示器 , 松下液晶显示器株式会社
IPC分类号： H01L31/08 , H01L27/144
CPC分类号： H01L27/1214 , G06F3/0412 , G06F3/042 , H01L27/14632 , H01L27/14678 , H01L27/14692
摘要： 本发明提供一种利用平面工艺在绝缘膜基板上同时形成高灵敏度、低噪声的光传感元件和多晶硅TFT的内置光传感器的图像显示装置。在用多晶硅膜形成了光传感元件的第一电极(11)和第二电极(12)之后，在其上层用非晶形硅膜形成光传感元件的受光层(13)。这时，同时形成多晶硅TFT。
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公开(公告)号：CN1573436A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410003629.8
申请日：2004-02-04
IPC分类号： G02F1/133 , G02F1/136 , H01L29/786 , G09G3/36
CPC分类号： H01L27/1296 , G02F1/13624 , G02F1/136277 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L29/78621 , H01L29/78627
摘要： 本发明的课题是实现构成驱动以矩阵状配置的像素部用的驱动电路的薄膜晶体管的高速化。在玻璃基板SUB上的显示区域DSP中以矩阵状配置多个像素PXL，在该显示区域DSP的周边配置由漏移位寄存器DSR、数模变换器DAC、漏电平移动器DLS、缓冲器BF、取样开关SSW构成的漏侧像素驱动电路、由栅移位寄存器GSR、栅电平移动器GLS等构成的栅侧像素驱动电路和各种电路。在每个电路中使构成这些像素驱动电路的高速工作所必要的电路区域SX的薄膜晶体管的电流迁移率最佳化，使多个布局和配置结构最佳化，在各电路中满足特有的规格。
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公开(公告)号：CN101221307B
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200710160408.5
申请日：2007-12-19
申请人： 株式会社日立显示器
IPC分类号： G02F1/133 , G09G3/36 , G09G3/34 , G02F1/1362
CPC分类号： H01L31/143 , G02F1/13318 , G09G3/3406 , G09G2320/0666 , G09G2360/145 , H01L27/1446 , H01L31/02162 , H01L31/03682 , H01L31/03762 , H01L31/182 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： 提供一种图像显示装置，安装了确保安装成本、基于安装的机械可靠性、产品合格率的亮度传感器。在构成像素的绝缘基板SUB1上，利用与构成该像素的薄膜晶体管(TFT)相同的半导体膜形成由TFT构成的对检测波段不同的光进行检测的多个光传感器PSE、和根据光传感器PSE的输出而生成控制像素的亮度的信号的信号处理电路PSP。光传感器PSE由半导体膜的膜厚、或光的透射范围不同的滤光片检测波段不同的光的能量。在信号处理电路PSP中处理各传感器的输出以检测环境的亮度。将检测信号反馈到像素的亮度的控制。
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公开(公告)号：CN100595638C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200410003629.8
申请日：2004-02-04
申请人： 株式会社日立显示器
IPC分类号： G02F1/133 , G02F1/136 , H01L29/786 , G09G3/36
CPC分类号： H01L27/1296 , G02F1/13624 , G02F1/136277 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L29/78621 , H01L29/78627
摘要： 本发明的课题是实现构成驱动以矩阵状配置的像素部用的驱动电路的薄膜晶体管的高速化。在玻璃基板SUB上的显示区域DSP中以矩阵状配置多个像素PXL，在该显示区域DSP的周边配置由漏移位寄存器DSR、数模变换器DAC、漏电平移动器DLS、缓冲器BF、取样开关SSW构成的漏侧像素驱动电路、由栅移位寄存器GSR、栅电平移动器GLS等构成的栅侧像素驱动电路和各种电路。在每个电路中使构成这些像素驱动电路的高速工作所必要的电路区域SX的薄膜晶体管的电流迁移率最佳化，使多个布局和配置结构最佳化，在各电路中满足特有的规格。
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公开(公告)号：CN101207164A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710198851.1
申请日：2007-12-14
申请人： 株式会社日立显示器
IPC分类号： H01L31/112 , H01L27/144 , G09G3/00 , G02F1/1362 , H04N3/15
CPC分类号： H01L27/1214 , G09G2360/14 , H01L31/1136
摘要： 本发明提供一种高灵敏度的光传感元件和传感器驱动电路，其利用平面工艺仅用多晶材料在绝缘膜基板上形成。用多晶硅膜制作光传感元件和传感器驱动电路这两者，作为光传感元件，利用具有在绝缘性基板(10)上形成的第一电极(11)、受光区域(14)、第二电极和在受光区域(14)上形成的第三电极(13)的TFT而形成光电晶体管，在第三电极(13)下方的两侧的区域(15和16)或一侧的区域(15或16)中设置接近本征层的杂质层(活性杂质浓度在1017cm－3以下)。
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公开(公告)号：CN100444321C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200410098554.6
申请日：2004-12-09
申请人： 株式会社日立显示器
CPC分类号： H01L21/02691 , C30B1/06 , H01L21/02683 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/04
摘要： 本发明公开了一种半导体薄膜的制造方法及图像显示装置，该制造方法是在基板上形成的半导体薄膜的任意区域，通过使激光或上述基板扫描进行激光照射，来形成结晶化了的大致带状晶体，使得晶粒在上述扫描方向上生长，以在与扫描方向大致相同的方向上测量出的上述激光的光束尺寸W(μm)的值x为X轴，以扫描速度Vs(m/s)的值y为Y轴，在这样的XY坐标上，在条件1：上述光束尺寸W大于激光光束的波长，条件2：上述扫描速度Vs小于晶体生长速度的上限，条件3：x×(1/y)＜25μs全都成立的区域内进行上述结晶化处理。能得到降低了在结晶化的过程中产生的膜的粗糙度和晶体缺陷的高质量且均质的半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN101207164B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200710198851.1
申请日：2007-12-14
申请人： 株式会社日立显示器
IPC分类号： H01L31/112 , H01L27/144 , G09G3/00 , G02F1/1362 , H04N3/15
CPC分类号： H01L27/1214 , G09G2360/14 , H01L31/1136
摘要： 本发明提供一种高灵敏度的光传感元件和传感器驱动电路，其利用平面工艺仅用多晶材料在绝缘膜基板上形成。用多晶硅膜制作光传感元件和传感器驱动电路这两者，作为光传感元件，利用具有在绝缘性基板(10)上形成的第一电极(11)、受光区域(14)、第二电极和在受光区域(14)上形成的第三电极(13)的TFT而形成光电晶体管，在第三电极(13)下方的两侧的区域(15和16)或一侧的区域(15或16)中设置接近本征层的杂质层(活性杂质浓度在1017cm-3以下)。
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公开(公告)号：CN101221994A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710159739.7
申请日：2007-12-21
申请人： 株式会社日立显示器
IPC分类号： H01L31/08 , H01L27/144
CPC分类号： H01L27/1214 , G06F3/0412 , G06F3/042 , H01L27/14632 , H01L27/14678 , H01L27/14692
摘要： 本发明提供一种利用平面工艺在绝缘膜基板上同时形成高灵敏度、低噪声的光传感元件和多晶硅TFT的内置光传感器的图像显示装置。在用多晶硅膜形成了光传感元件的第一电极(11)和第二电极(12)之后，在其上层用非晶形硅膜形成光传感元件的受光层(13)。这时，同时形成多晶硅TFT。
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公开(公告)号：CN101221307A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710160408.5
申请日：2007-12-19
申请人： 株式会社日立显示器
IPC分类号： G02F1/133 , G09G3/36 , G09G3/34 , G02F1/1362
CPC分类号： H01L31/143 , G02F1/13318 , G09G3/3406 , G09G2320/0666 , G09G2360/145 , H01L27/1446 , H01L31/02162 , H01L31/03682 , H01L31/03762 , H01L31/182 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： 提供一种图像显示装置，安装了确保安装成本、基于安装的机械可靠性、产品合格率的亮度传感器。在构成像素的绝缘基板SUB1上，利用与构成该像素的薄膜晶体管(TFT)相同的半导体膜形成由TFT构成的对检测波段不同的光进行检测的多个光传感器PSE、和根据光传感器PSE的输出而生成控制像素的亮度的信号的信号处理电路PSP。光传感器PSE由半导体膜的膜厚、或光的透射范围不同的滤光片检测波段不同的光的能量。在信号处理电路PSP中处理各传感器的输出以检测环境的亮度。将检测信号反馈到像素的亮度的控制。
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公开(公告)号：CN1649089A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200410098554.6
申请日：2004-12-09
申请人： 株式会社日立显示器
CPC分类号： H01L21/02691 , C30B1/06 , H01L21/02683 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/04
摘要： 本发明公开了一种半导体薄膜的制造方法及图像显示装置，该制造方法是在基板上形成的半导体薄膜的任意区域，通过使激光或上述基板扫描进行激光照射，来形成结晶化了的大致带状晶体，使得晶粒在上述扫描方向上生长，以在与扫描方向大致相同的方向上测量出的上述激光的光束尺寸W(μm)的值x为X轴，以扫描速度Vs(m/s)的值y为Y轴，在这样的XY坐标上，在条件1：上述光束尺寸W大于激光光束的波长，条件2：上述扫描速度Vs小于晶体生长速度的上限，条件3：x×(1/y)＜25μs全都成立的区域内进行上述结晶化处理。能得到降低了在结晶化的过程中产生的膜的粗糙度和晶体缺陷的高质量且均质的半导体薄膜。
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