公开(公告)号：CN107924795B

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201580082518.7

申请日：2015-08-20

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 川浪义实 ,  小原笃 ,  桥诘富博 ,  志知广康 ,  松原信一

IPC: H01J27/26

Abstract: 本发明的离子束装置不会损耗发射极电极而清洗腔室内部，从而抑制离子释放电流的变动。离子束装置包含GFIS(1)，该GFIS(1)具有：有针状前端的发射极电极(21)；在发射极电极前端方向与该发射极电极间隔的位置处有开口的引出电极(23)；以及内含发射极电极的腔室(10)。GFIS(1)具有：在对发射极电极施加了离子束产生电压以上的电压的状态下，向腔室导入离子化用气体的离子化用气体导入路径(30)；以及在对发射极电极施加了低于离子束产生电压的电压的状态或者未施加电压的状态中的任一状态下，向腔室导入清洗用气体的清洗用气体导入路径(60)；导入了清洗用气体的状态下的腔室的压力高于导入离子化用气体时的腔室的压力。

公开(公告)号：CN107924795A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201580082518.7

申请日：2015-08-20

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 川浪义实 ,  小原笃 ,  桥诘富博 ,  志知广康 ,  松原信一

IPC: H01J27/26

Abstract: 本发明的离子束装置不会损耗发射极电极而清洗腔室内部，从而抑制离子释放电流的变动。离子束装置包含GFIS(1)，该GFIS(1)具有：有针状前端的发射极电极(21)；在发射极电极前端方向与该发射极电极间隔的位置处有开口的引出电极(23)；以及内含发射极电极的腔室(10)。GFIS(1)具有：在对发射极电极施加了离子束产生电压以上的电压的状态下，向腔室导入离子化用气体的离子化用气体导入路径(30)；以及在对发射极电极施加了低于离子束产生电压的电压的状态或者未施加电压的状态中的任一状态下，向腔室导入清洗用气体的清洗用气体导入路径(60)；导入了清洗用气体的状态下的腔室的压力高于导入离子化用气体时的腔室的压力。