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公开(公告)号：CN108496238B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201680079872.9
申请日：2016-02-05
申请人： 株式会社日立高新技术
摘要： 本发明在使用离子束的试样表面的观察、加工中，为了实现提高支配观察分辨率、可加工幅度的聚焦性能、提高光束稳定性以及降低光束照射时试样表面的损坏，使用H3+离子作为离子束。能够使用在氢气气氛中对前端以三个以下的原子终结的针状发射头施加引出电压时出现的第二峰(23)附近的电压范围(21)的探针电流而得到H3+离子。
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公开(公告)号：CN108496238A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201680079872.9
申请日：2016-02-05
申请人： 株式会社日立高新技术
摘要： 本发明在使用离子束的试样表面的观察、加工中，为了实现提高支配观察分辨率、可加工幅度的聚焦性能、提高光束稳定性以及降低光束照射时试样表面的损坏，使用H3+离子作为离子束。能够使用在氢气气氛中对前端以三个以下的原子终结的针状发射头施加引出电压时出现的第二峰(23)附近的电压范围(21)的探针电流而得到H3+离子。
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公开(公告)号：CN103733296A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280040502.6
申请日：2012-05-28
申请人： 株式会社日立高新技术
IPC分类号： H01J27/26 , H01J37/08 , H01J37/18 , H01J37/28 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/28 , H01J2237/0807 , H01J2237/18 , H01J2237/31749
摘要： 在现有的气体离子化室中，存在为了避免辉光放电，只使气压下降，无法通过提高气体导入压力，增大离子电流之类的课题。本发明的目的在于通过提高气体导入压力，增大离子电流，并且防止由离子化引起的离子束散乱。通过从GND电位的结构体供给气体，不在气压更高的离子化气体的导入口附近施加高电压。另外，通过从构成加速集束透镜的透镜电极的透镜开口部进行差压排气，优先减少位于离子束通过的区域的离子化气体。
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公开(公告)号：CN103748653B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201280039776.3
申请日：2012-06-20
申请人： 株式会社日立高新技术
IPC分类号： H01J27/26 , H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/26 , H01J9/50 , H01J37/08 , H01J49/16 , H01J2237/0807 , Y02W30/828
摘要： 本发明提供一种即使反复顶点部分的再生处理，引出电压的变化也微小的离子源发射器。在与本发明有关的发射器中，顶端为以单原子为顶点的三角锥形形状，并且从顶点侧观察顶端的形状为近似六角形。
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公开(公告)号：CN107924795A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201580082518.7
申请日：2015-08-20
申请人： 株式会社日立高新技术
IPC分类号： H01J27/26
摘要： 本发明的离子束装置不会损耗发射极电极而清洗腔室内部，从而抑制离子释放电流的变动。离子束装置包含GFIS(1)，该GFIS(1)具有：有针状前端的发射极电极(21)；在发射极电极前端方向与该发射极电极间隔的位置处有开口的引出电极(23)；以及内含发射极电极的腔室(10)。GFIS(1)具有：在对发射极电极施加了离子束产生电压以上的电压的状态下，向腔室导入离子化用气体的离子化用气体导入路径(30)；以及在对发射极电极施加了低于离子束产生电压的电压的状态或者未施加电压的状态中的任一状态下，向腔室导入清洗用气体的清洗用气体导入路径(60)；导入了清洗用气体的状态下的腔室的压力高于导入离子化用气体时的腔室的压力。
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公开(公告)号：CN103733296B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201280040502.6
申请日：2012-05-28
申请人： 株式会社日立高新技术
IPC分类号： H01J27/26 , H01J37/08 , H01J37/18 , H01J37/28 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/28 , H01J2237/0807 , H01J2237/18 , H01J2237/31749
摘要： 在现有的气体离子化室中，存在为了避免辉光放电，只使气压下降，无法通过提高气体导入压力，增大离子电流之类的课题。本发明的目的在于通过提高气体导入压力，增大离子电流，并且防止由离子化引起的离子束散乱。通过从GND电位的结构体供给气体，不在气压更高的离子化气体的导入口附近施加高电压。另外，通过从构成加速集束透镜的透镜电极的透镜开口部进行差压排气，优先减少位于离子束通过的区域的离子化气体。
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公开(公告)号：CN103748653A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201280039776.3
申请日：2012-06-20
申请人： 株式会社日立高新技术
IPC分类号： H01J27/26 , H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/26 , H01J9/50 , H01J37/08 , H01J49/16 , H01J2237/0807 , Y02W30/828
摘要： 本发明提供一种即使反复顶点部分的再生处理，引出电压的变化也微小的离子源发射器。在与本发明有关的发射器中，顶端为以单原子为顶点的三角锥形形状，并且从顶点侧观察顶端的形状为近似六角形。
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公开(公告)号：CN108735565B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201810237376.2
申请日：2018-03-22
申请人： 日本株式会社日立高新技术科学
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/28 , H01J37/305
摘要： 提供一种离子束装置，能够减轻对试样造成的损伤，并且在短时间内切换观察和加工。本发明所涉及的离子束装置切换照射将H3+离子包含得最多的离子束的动作模式和照射将比H3+重的离子包含得最多的离子束的动作模式。
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公开(公告)号：CN107924795B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201580082518.7
申请日：2015-08-20
申请人： 株式会社日立高新技术
IPC分类号： H01J27/26
摘要： 本发明的离子束装置不会损耗发射极电极而清洗腔室内部，从而抑制离子释放电流的变动。离子束装置包含GFIS(1)，该GFIS(1)具有：有针状前端的发射极电极(21)；在发射极电极前端方向与该发射极电极间隔的位置处有开口的引出电极(23)；以及内含发射极电极的腔室(10)。GFIS(1)具有：在对发射极电极施加了离子束产生电压以上的电压的状态下，向腔室导入离子化用气体的离子化用气体导入路径(30)；以及在对发射极电极施加了低于离子束产生电压的电压的状态或者未施加电压的状态中的任一状态下，向腔室导入清洗用气体的清洗用气体导入路径(60)；导入了清洗用气体的状态下的腔室的压力高于导入离子化用气体时的腔室的压力。
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公开(公告)号：CN108735565A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810237376.2
申请日：2018-03-22
申请人： 日本株式会社日立高新技术科学
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/28 , H01J37/305
摘要： 提供一种离子束装置，能够减轻对试样造成的损伤，并且在短时间内切换观察和加工。本发明所涉及的离子束装置切换照射将H3+离子包含得最多的离子束的动作模式和照射将比H3+重的离子包含得最多的离子束的动作模式。
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