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公开(公告)号：CN108496238B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201680079872.9
申请日：2016-02-05
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 本发明在使用离子束的试样表面的观察、加工中，为了实现提高支配观察分辨率、可加工幅度的聚焦性能、提高光束稳定性以及降低光束照射时试样表面的损坏，使用H3+离子作为离子束。能够使用在氢气气氛中对前端以三个以下的原子终结的针状发射头施加引出电压时出现的第二峰(23)附近的电压范围(21)的探针电流而得到H3+离子。
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公开(公告)号：CN108496238A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201680079872.9
申请日：2016-02-05
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 本发明在使用离子束的试样表面的观察、加工中，为了实现提高支配观察分辨率、可加工幅度的聚焦性能、提高光束稳定性以及降低光束照射时试样表面的损坏，使用H3+离子作为离子束。能够使用在氢气气氛中对前端以三个以下的原子终结的针状发射头施加引出电压时出现的第二峰(23)附近的电压范围(21)的探针电流而得到H3+离子。
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公开(公告)号：CN109314031A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201680086672.6
申请日：2016-07-14
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/30 , H01J27/04 , H01J37/08 , H01J37/12 , H01J37/305
Abstract: 为了提供能够抑制束成形电极的污染的离子铣削装置，使离子铣削装置具备：包含将离子束成形的束成形电极的离子枪(101)、将通过离子束(102)的照射来加工的试料(106)进行固定的试料保持器(107)、将试料(106)的一部分从离子束(102)遮蔽的掩模(110)、以及控制离子枪(101)的离子枪控制部(103)。
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公开(公告)号：CN108735565A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810237376.2
申请日：2018-03-22
Applicant: 日本株式会社日立高新技术科学
IPC: H01J37/08 , H01J37/28 , H01J37/305
Abstract: 提供一种离子束装置，能够减轻对试样造成的损伤，并且在短时间内切换观察和加工。本发明所涉及的离子束装置切换照射将H3+离子包含得最多的离子束的动作模式和照射将比H3+重的离子包含得最多的离子束的动作模式。
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公开(公告)号：CN107949899A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201580082721.4
申请日：2015-09-25
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/305 , H01J27/04 , H01J37/08
Abstract: 为了提供能抑制从电子显微镜镜筒放出的观察用电子束的轨道移位的离子铣削装置，离子铣削装置具备：包含永久磁铁(114)并产生加工样品的离子的潘宁放电方式的离子枪(100)；和用于观察样品的扫描电子显微镜，在该离子铣削装置中设置用于减少从永久磁铁(114)向电子显微镜镜筒的泄漏磁场的磁屏蔽(172)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107949899B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201580082721.4
申请日：2015-09-25
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/305 , H01J27/04 , H01J37/08
Abstract: 为了提供能抑制从电子显微镜镜筒放出的观察用电子束的轨道移位的离子铣削装置，离子铣削装置具备：包含永久磁铁(114)并产生加工样品的离子的潘宁放电方式的离子枪(100)；和用于观察样品的扫描电子显微镜，在该离子铣削装置中设置用于减少从永久磁铁(114)向电子显微镜镜筒的泄漏磁场的磁屏蔽(172)。
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公开(公告)号：CN107924795A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201580082518.7
申请日：2015-08-20
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J27/26
Abstract: 本发明的离子束装置不会损耗发射极电极而清洗腔室内部，从而抑制离子释放电流的变动。离子束装置包含GFIS(1)，该GFIS(1)具有：有针状前端的发射极电极(21)；在发射极电极前端方向与该发射极电极间隔的位置处有开口的引出电极(23)；以及内含发射极电极的腔室(10)。GFIS(1)具有：在对发射极电极施加了离子束产生电压以上的电压的状态下，向腔室导入离子化用气体的离子化用气体导入路径(30)；以及在对发射极电极施加了低于离子束产生电压的电压的状态或者未施加电压的状态中的任一状态下，向腔室导入清洗用气体的清洗用气体导入路径(60)；导入了清洗用气体的状态下的腔室的压力高于导入离子化用气体时的腔室的压力。
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公开(公告)号：CN109314031B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201680086672.6
申请日：2016-07-14
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/30 , H01J27/04 , H01J37/08 , H01J37/12 , H01J37/305
Abstract: 为了提供能够抑制束成形电极的污染的离子铣削装置，使离子铣削装置具备：包含将离子束成形的束成形电极的离子枪(101)、将通过离子束(102)的照射来加工的试料(106)进行固定的试料保持器(107)、将试料(106)的一部分从离子束(102)遮蔽的掩模(110)、以及控制离子枪(101)的离子枪控制部(103)。
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公开(公告)号：CN108735565B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201810237376.2
申请日：2018-03-22
Applicant: 日本株式会社日立高新技术科学
IPC: H01J37/08 , H01J37/28 , H01J37/305
Abstract: 提供一种离子束装置，能够减轻对试样造成的损伤，并且在短时间内切换观察和加工。本发明所涉及的离子束装置切换照射将H3+离子包含得最多的离子束的动作模式和照射将比H3+重的离子包含得最多的离子束的动作模式。
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公开(公告)号：CN107924795B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201580082518.7
申请日：2015-08-20
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J27/26
Abstract: 本发明的离子束装置不会损耗发射极电极而清洗腔室内部，从而抑制离子释放电流的变动。离子束装置包含GFIS(1)，该GFIS(1)具有：有针状前端的发射极电极(21)；在发射极电极前端方向与该发射极电极间隔的位置处有开口的引出电极(23)；以及内含发射极电极的腔室(10)。GFIS(1)具有：在对发射极电极施加了离子束产生电压以上的电压的状态下，向腔室导入离子化用气体的离子化用气体导入路径(30)；以及在对发射极电极施加了低于离子束产生电压的电压的状态或者未施加电压的状态中的任一状态下，向腔室导入清洗用气体的清洗用气体导入路径(60)；导入了清洗用气体的状态下的腔室的压力高于导入离子化用气体时的腔室的压力。
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