公开(公告)号：CN102282654B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN200980154428.9

申请日：2009-11-20

申请人： 株式会社日立高新技术

发明人： 森泽利浩 ,  白石大辅 ,  井上智己

IPC分类号： H01L21/3065 ,  G01N21/66 ,  G01N21/71 ,  H05H1/00

CPC分类号： G01N21/68 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32972 ,  H05H1/0037

摘要： 本发明提供一种无需设定物质、化学反应的信息，而可以从大量的波长下的波形，选定代表性的少数的波长，可以削减花费大量的工时的蚀刻数据的解析，而高效地进行蚀刻的监视/测定的设定的蚀刻装置。在蚀刻装置中，具备：按批量晶片阶段的OES数据检索/取得功能(511)，取得多个沿着蚀刻处理时间轴的发光强度波形；波形变化有无判定功能(521)，判定在多个发光强度波形中有无变化；波形相关矩阵计算功能(522)，计算发光强度波形间的相关矩阵；波形分类功能(523)，将发光强度波形分类为组；代表波形选定功能(524)，从组选定代表性的发光强度波形。

公开(公告)号：CN102282654A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200980154428.9

申请日：2009-11-20

申请人： 株式会社日立高新技术

发明人： 森泽利浩 ,  白石大辅 ,  井上智己

IPC分类号： H01L21/3065 ,  G01N21/66 ,  G01N21/71 ,  H05H1/00

CPC分类号： G01N21/68 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32972 ,  H05H1/0037

摘要： 本发明提供一种无需设定物质、化学反应的信息，而可以从大量的波长下的波形，选定代表性的少数的波长，可以削减花费大量的工时的蚀刻数据的解析，而高效地进行蚀刻的监视/测定的设定的蚀刻装置。在蚀刻装置中，具备：按批量晶片阶段的OES数据检索/取得功能(511)，取得多个沿着蚀刻处理时间轴的发光强度波形；波形变化有无判定功能(521)，判定在多个发光强度波形中有无变化；波形相关矩阵计算功能(522)，计算发光强度波形间的相关矩阵；波形分类功能(523)，将发光强度波形分类为组；代表波形选定功能(524)，从组选定代表性的发光强度波形。

公开(公告)号：CN116157901A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180017687.8

申请日：2021-07-14

申请人： 株式会社日立高新技术

发明人： 野坂峻大 ,  白石大辅 ,  鹿子岛昭

IPC分类号： H01L21/3065

摘要： 提供能根据峰值的形状的特征分配适当的元素并能进行高精度的波长辨识的等离子处理装置、数据解析装置以及半导体装置制造系统。等离子处理装置具备：处理室，其对样品进行等离子处理；高频电源，其供给用于生成等离子的高频电力；和样品台，其载置所述样品，该等离子处理装置还具备：分析部，其根据通过比较作为被监视的等离子的发光的光谱波形的第一光谱波形和第二光谱波形而求得的所述第一光谱波形与所述第二光谱波形的一致度，来确定所监视的所述等离子中的元素或分子，所述第二光谱波形是与所述元素或所述分子对应且乘以了权重系数的光谱波形。