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公开(公告)号：CN118412259A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410111304.9
申请日：2024-01-25
Abstract: 本发明提供能够容易地变更从离子源照射的离子束的离子电流密度分布、小型且廉价的离子源、离子电流密度分布变更方法以及基材处理装置。离子源(6)具有：放电室(61)，其具有释放离子的开口，并由绝缘体形成；磁铁，其使放电室(61)内部产生磁场；阳极(65)，其配置在放电室(61)的底部；以及磁力变更部，其变更磁铁的磁力的强度，在产生了磁场和电场的放电室(61)中，从与放电室(61)的开口相邻配置的中和器(7)插入电子，从放电室(61)的开口释放离子，根据处理对象基材变更从放电室(61)释放的离子的电流密度分布。
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