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公开(公告)号:CN115702343A
公开(公告)日:2023-02-14
申请号:CN202180044764.9
申请日:2021-06-10
申请人: 株式会社村田制作所
IPC分类号: G01N27/414
摘要: 本发明的半导体传感器具备:基板;电介质层,配置在所述基板上;第1电极,配置在所述电介质层上;第2电极,与所述第1电极具有间隔地配置在所述电介质层上;半导体片,在所述电介质层上配置于所述第1电极与所述第2电极之间,将所述第1电极和所述第2电极电连接;第3电极,至少一部分被所述电介质层覆盖,隔着所述电介质层与所述半导体片对置;和多个第1吸附部,配置在所述第3电极的表面和配置于所述第3电极的表面的所述电介质层中的至少一者,对检测对象物进行吸附。
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公开(公告)号:CN115151813A
公开(公告)日:2022-10-04
申请号:CN202080097660.X
申请日:2020-10-29
申请人: 株式会社村田制作所
IPC分类号: G01N27/00 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L29/786
摘要: 本发明的半导体设备具备:基板;多个电极,其配置在所述基板上;绝缘体,其设置有使所述多个电极中的至少一个电极在所述基板上露出的一个或多个开口,并且覆盖所述多个电极的至少一部分;以及半导体片,其配置于所述涂层部和在所述基板上从所述一个或多个开口露出的一个或多个露出部。
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