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公开(公告)号：CN115702343A
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202180044764.9
申请日：2021-06-10
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： G01N27/414
摘要： 本发明的半导体传感器具备：基板；电介质层，配置在所述基板上；第1电极，配置在所述电介质层上；第2电极，与所述第1电极具有间隔地配置在所述电介质层上；半导体片，在所述电介质层上配置于所述第1电极与所述第2电极之间，将所述第1电极和所述第2电极电连接；第3电极，至少一部分被所述电介质层覆盖，隔着所述电介质层与所述半导体片对置；和多个第1吸附部，配置在所述第3电极的表面和配置于所述第3电极的表面的所述电介质层中的至少一者，对检测对象物进行吸附。
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公开(公告)号：CN115151813A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202080097660.X
申请日：2020-10-29
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： G01N27/00 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L29/786
摘要： 本发明的半导体设备具备：基板；多个电极，其配置在所述基板上；绝缘体，其设置有使所述多个电极中的至少一个电极在所述基板上露出的一个或多个开口，并且覆盖所述多个电极的至少一部分；以及半导体片，其配置于所述涂层部和在所述基板上从所述一个或多个开口露出的一个或多个露出部。
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公开(公告)号：CN113454799A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202080015673.8
申请日：2020-02-04
申请人： 株式会社村田制作所 , 国立大学法人大阪大学
IPC分类号： H01L51/30 , G01N27/414 , H01L29/16 , H01L29/66 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
摘要： 一种石墨烯晶体管，其包含：由至少一层石墨烯组成的石墨烯层、与前述石墨烯层电连接的漏电极和源电极、以及存在于前述石墨烯层的至少一个主表面上且包含杂质电荷的电荷供体，所述石墨烯晶体管还包含抗衡离子，所述抗衡离子是具有与前述杂质电荷的符号不同的电荷的离子。
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公开(公告)号：CN113454799B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202080015673.8
申请日：2020-02-04
申请人： 株式会社村田制作所 , 国立大学法人大阪大学
IPC分类号： H10K85/20 , G01N27/414 , H01L29/16 , H01L29/66 , H01L29/786 , H10K10/46 , H10K71/00
摘要： 一种石墨烯晶体管，其包含：由至少一层石墨烯组成的石墨烯层、与前述石墨烯层电连接的漏电极和源电极、以及存在于前述石墨烯层的至少一个主表面上且包含杂质电荷的电荷供体，所述石墨烯晶体管还包含抗衡离子，所述抗衡离子是具有与前述杂质电荷的符号不同的电荷的离子。
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公开(公告)号：CN118355269A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202280079574.5
申请日：2022-11-18
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： G01N27/28 , G01N27/30 , G01N27/327 , G01N27/414
摘要： 电极基板具备绝缘基板(110)和参比电极(120)。参比电极(120)形成在绝缘基板(110)上。参比电极(120)包括银层(121)、第1氯化银层(122)、和第2氯化银层(123)。银层(121)形成在绝缘基板(110)上。第1氯化银层(122)从银层(121)上一直形成到绝缘基板(110)上，覆盖银层(121)。第2氯化银层(123)从第1氯化银层(122)上一直形成到绝缘基板(110)上，覆盖第1氯化银层(122)。在任意的纵剖面中，第1氯化银层(122)的面积空隙率比第2氯化银层(123)的面积空隙率大。
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