公开(公告)号：CN1816502A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200480018771.8

申请日：2004-09-01

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 高田隆裕 ,  山元寿文 ,  景山惠介

IPC: C04B35/00 ,  C04B35/50 ,  C03C10/02 ,  H01B3/12 ,  H05K3/46

CPC classification number: H05K1/0306 ,  C03C3/15 ,  C03C10/00 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  Y10T428/24926

Abstract: 本发明提供一种能够与低熔点金属同时煅烧的即使在数十GHz的高频区域中也显示出优良的介电特性的陶瓷基板用组合物。陶瓷基板用组合物的特征是，将以aB2O3－bRe2O3－cZnO表示且其摩尔比(a、b、c)在三元组成图中处于由点A(0.4，0.595，0.005)、点B(0.4，0.25，0.35)、点C(0.52，0.01，0.47)、点D(0.9，0.005，0.095)及点E(0.9，0.09，0.01)包围的区域中的玻璃作为主成分。

公开(公告)号：CN100351203C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200480018771.8

申请日：2004-09-01

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 高田隆裕 ,  山元寿文 ,  景山惠介

IPC: C04B35/00 ,  C04B35/50 ,  C03C10/02 ,  H01B3/12 ,  H05K3/46

CPC classification number: H05K1/0306 ,  C03C3/15 ,  C03C10/00 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  Y10T428/24926

Abstract: 本发明提供一种能够与低熔点金属同时烧制的即使在数十GHz的高频区域中也显示出优良的介电特性的陶瓷基板用组合物。陶瓷基板用组合物的特征是，将以aB2O3-bRe2O3-cZnO表示且其摩尔比(a、b、c)在三元组成图中处于由点A(0.4，0.595，0.005)、点B(0.4，0.25，0.35)、点C(0.52，0.01，0.47)、点D(0.9，0.005，0.095)及点E(0.9，0.09，0.01)包围的区域中的玻璃作为主成分。