压电陶瓷及其制备方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1064939C

    公开(公告)日:2001-04-25

    申请号:CN96113436.4

    申请日:1996-10-07

    摘要: 本发明提供了一种机械品质因子Qm小,耐热性优良的压电陶瓷,例如可适用于表面安装的滤波元件中所用的压电陶瓷,以及稳定地大量制造这种压电陶瓷的方法。所述压电陶瓷是至少含有铅、锆和钛的复合氧化物,其中锰的氧化物以高于其在该压电陶瓷晶粒中的密度分布于晶粒边界层,而且在晶粒边界层存在玻璃相。其制造方法是将锰化合物和玻璃材料沉积于包括至少含有铅、锆和钛的复合氧化物的压电陶瓷的表面,然后进行热处理,使沉积的物质扩散至该压电陶瓷的晶粒边界部分。

    压电陶瓷及其制备方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1153756A

    公开(公告)日:1997-07-09

    申请号:CN96113435.6

    申请日:1996-10-07

    摘要: 一种机械品质因子Qm小,耐热性优良的压电陶瓷,例如群延迟时间特性平坦和相位失真小并可适用于表面安装的滤波元件中所用的压电陶瓷,以及稳定地制造这种压电陶瓷的方法。使氧化锰和氧化铅以高浓度(相对于压电陶瓷晶体内的晶粒中而言)共存于至少含有铅、锆和钛的复合氧化物的压电陶瓷的晶粒边界部分。其制造方法是将锰化合物和铅化合物粘附于压电陶瓷的表面,然后进行热处理,使金属氧化物扩散至该压电陶瓷的晶粒边界部分。

    压电陶瓷及其制备方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1151981A

    公开(公告)日:1997-06-18

    申请号:CN96113436.4

    申请日:1996-10-07

    摘要: 本发明提供了一种机械品质因子Qm小,耐热性优良的压电陶瓷,例如可适用于表面安装的滤波元件中所用的压电陶瓷,以及稳定地大量制造这种压电陶瓷的方法。所述压电陶瓷是至少含有铅、锆和钛的复合氧化物,其中锰的氧化物以高于其在该压电陶瓷晶粒中的密度分布于晶粒边界层,而且在晶粒边界层存在玻璃相。其制造方法是将锰化合物和玻璃材料沉积于包括至少含有铅、锆和钛的复合氧化物的压电陶瓷的表面,然后进行热处理,使沉积的物质扩散至该压电陶瓷的晶粒边界部分。