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公开(公告)号：CN102906078A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201080066482.0
申请日：2010-04-30
Applicant: 株式会社杰希优
IPC: C07D295/08 , C25D3/38 , C25D7/00 , C25D7/12
CPC classification number: C07D295/08 , C07D295/088 , C25D3/38 , H01L21/2885 , H01L21/76898 , H05K3/421 , H05K3/423 , H05K3/4644 , H05K2201/09509 , H05K2201/09563
Abstract: 本发明的目的在于，提供可向半导体用硅基板、有机材料基板、陶瓷基板等基板填充高深宽比的通孔、穿孔等的镀铜技术。所述技术为叔胺化合物、其季铵化合物以及含有这些化合物的镀铜用添加剂、铜镀浴、镀铜方法，所述叔胺化合物是通过使杂环化合物与具有三个以上缩水甘油醚基的化合物中的缩水甘油醚基的环氧基反应而得的叔胺化合物。
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公开(公告)号：CN111108234A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201880017720.5
申请日：2018-08-28
Applicant: 株式会社杰希优
IPC: C25D3/38 , C07C217/28 , C08G59/50 , C08L63/00
Abstract: 一种硫酸铜镀液和使用该硫酸铜镀液的硫酸铜镀敷方法，所述硫酸铜镀液的特征在于，其为含有至少包含氮原子、氢原子、碳原子的化合物的硫酸铜镀液，上述化合物是去除全体或重复单元的氢原子后的分子式中，下述式(1)所示的总原子数中的氮原子数的比例(X)和相对分子量(Mw)满足下述式(2)或(3)的化合物。[数学式1]X＝(分子式中的氮原子数/分子式中的总原子数)×100…(1)；[数学式2]3≤X＜5且2000＜Mw…(2)；5≤X≤7且5000＜Mw…(3)。
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公开(公告)号：CN111108234B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201880017720.5
申请日：2018-08-28
Applicant: 株式会社杰希优
IPC: C25D3/38 , C07C217/28 , C08G59/50 , C08L63/00
Abstract: 一种硫酸铜镀液和使用该硫酸铜镀液的硫酸铜镀敷方法，所述硫酸铜镀液的特征在于，其为含有至少包含氮原子、氢原子、碳原子的化合物的硫酸铜镀液，上述化合物是去除全体或重复单元的氢原子后的分子式中，下述式(1)所示的总原子数中的氮原子数的比例(X)和相对分子量(Mw)满足下述式(2)或(3)的化合物。[数学式1]X＝(分子式中的氮原子数/分子式中的总原子数)×100…(1)[数学式2]3≤X＜5且2000＜Mw…(2)5≤X≤7且5000＜Mw…(3)。
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公开(公告)号：CN102906078B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201080066482.0
申请日：2010-04-30
Applicant: 株式会社杰希优
IPC: C07D295/08 , C25D3/38 , C25D7/00 , C25D7/12
CPC classification number: C07D295/08 , C07D295/088 , C25D3/38 , H01L21/2885 , H01L21/76898 , H05K3/421 , H05K3/423 , H05K3/4644 , H05K2201/09509 , H05K2201/09563
Abstract: 本发明的目的在于，提供可向半导体用硅基板、有机材料基板、陶瓷基板等基板填充高深宽比的通孔、穿孔等的镀铜技术。所述技术为叔胺化合物、其季铵化合物以及含有这些化合物的镀铜用添加剂、铜镀浴、镀铜方法，所述叔胺化合物是通过使杂环化合物与具有3个以上缩水甘油醚基的化合物中的缩水甘油醚基的环氧基反应而得的叔胺化合物。
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