公开(公告)号：CN102770391B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201080061590.9

申请日：2010-12-24

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 金豊 ,  邹弘纲 ,  桥口正一 ,  三岛隆则 ,  荻沢隆俊 ,  井手上涉

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  H01M4/525

CPC classification number: C04B35/01 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/40 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01M4/0426 ,  H01M4/525 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明提供一种可以稳定地制造高密度烧结体的LiCoO2烧结体的制造方法及溅射靶材。本发明的实施方式涉及的LiCoO2烧结体的制造方法包括在模具中填充LiCoO2粉末的工序。对所述模具内进行减压，并在所述模具内在800℃以上880℃以下的温度下对所述LiCoO2粉末进行加压烧结。根据所述制造方法，可以稳定地制造具有95％以上的相对密度、10μm以上30μm以下的平均粒径的LiCoO2烧结体。

公开(公告)号：CN102770391A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201080061590.9

申请日：2010-12-24

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 金豊 ,  邹弘纲 ,  桥口正一 ,  三岛隆则 ,  荻沢隆俊 ,  井手上涉

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/34 ,  H01M4/525

CPC classification number: C04B35/01 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/40 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01M4/0426 ,  H01M4/525 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明提供一种可以稳定地制造高密度烧结体的LiCoO2烧结体的制造方法及溅射靶材。本发明的实施方式涉及的LiCoO2烧结体的制造方法包括在模具中填充LiCoO2粉末的工序。对所述模具内进行减压，并在所述模具内在800℃以上880℃以下的温度下对所述LiCoO2粉末进行加压烧结。根据所述制造方法，可以稳定地制造具有95％以上的相对密度、10μm以上30μm以下的平均粒径的LiCoO2烧结体。