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公开(公告)号：CN105264351B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201480022887.2
申请日：2014-04-22
申请人： 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司
发明人： 尼尔斯·波纳特 , 安德烈亚斯·罗斯贝格
IPC分类号： G01L9/00
CPC分类号： G01L9/0075 , B23K35/0238 , B23K35/3606 , C04B37/006 , C04B2237/122 , C04B2237/127 , C04B2237/343 , C04B2237/592 , C04B2237/62
摘要： 本发明涉及一种压力测量单元(1)，包括：陶瓷测量膜片(2)和陶瓷对应物(4)，其中测量膜片以气密的方式接合到对应物，借助活性铜焊料(6)形成在测量膜片和对应物之间的压力腔，其中压力测量单元(1)还具有焊接停止层，该焊接停止层在测量膜片(2)和/或对应物(4)的表面上，其中焊接停止层具有金属氧化物或者金属氧化物的还原形式，其中金属氧化物具有至少一个氧化阶段，假定8·104/K的逆温下Rakt＝1的活度系数，其具有不小于1‑23MPa(10‑23·bar)并且不大于1‑12MPa(10‑12·bar)的氧气共存分解压力，并且假定9·10‑4/K的逆温下Rakt＝1的活度系数，其具有不少于1‑27MPa(10‑27bar)并且不大于1‑15MPa(10‑15bar)的氧气共存分解压力，适合的金属氧化物例如为铬氧化物，钨氧化物或钛氧化物。
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公开(公告)号：CN104470666B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201380036655.8
申请日：2013-06-07
申请人： 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司
发明人： 尼尔斯·波纳特 , 安德烈亚斯·罗斯贝格 , 埃尔克·施密特
CPC分类号： G01L9/0072 , B23K1/0008 , B23K1/0016 , B23K1/19 , C04B37/006 , C04B2237/12 , C04B2237/122 , C04B2237/126 , C04B2237/343 , C04B2237/55 , C04B2237/597 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , G01L9/0044 , G01L9/0075 , Y10T403/479
摘要： 本发明涉及一种组件，其包括：利用活性硬焊料或钎焊料(5)的接缝连接的第一陶瓷体和第二陶瓷体(1，2)，其中所述活性硬焊料或钎焊料(5)在连续主体积上均分，所述主体积包括至少50％的所述接缝体积，具有有液相线温度Tl(CM)的平均组成CM。其中，根据本发明，所述接缝的边缘区域具有有液相线温度Tl(CE)的平均组成CE，所述接缝的边缘区域接触所述陶瓷体(1，2)中的至少一个，所述液相线温度Tl(CE)比所述主体积的平均组成CM的液相线温度Tl(CM)高至少20K、优选地至少50K且特别优选地至少100K。
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公开(公告)号：CN106747426A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611136551.6
申请日：2016-12-12
申请人： 东莞市佳乾新材料科技有限公司
发明人： 王海燕
IPC分类号： C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B37/00
CPC分类号： C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B37/006 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/666 , C04B2235/77 , C04B2235/781 , C04B2237/123 , C04B2237/348
摘要： 本发明提供一种基于金属粘结层的多层纳晶致密锆酸钆陶瓷绝缘层从外至内依次包括纳晶致密锆酸钆陶瓷层、金属粘结层和包括钇氧化锆陶瓷层，纳晶致密锆酸钆陶瓷层由粒径为6‑12nm，比表面积不低于87m2/g的锆酸钆纳米粉末经放电等离子体烧结得到，金属粘接层包括钴、铬、铝、钇、銤和镍，本发明制备基于金属粘结层的多层纳晶致密锆酸钆陶瓷绝缘层热绝缘性能优异，密度高，不开裂，机械性能好，在高温下性能稳定性好，可用于催化剂、热障涂层、固体电解质、高放废物固化等方面。
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公开(公告)号：CN104254913B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201480001099.5
申请日：2014-03-06
申请人： 日本碍子株式会社
IPC分类号： H01L21/683 , C04B35/565
CPC分类号： H01L21/67109 , B21D53/02 , B32B9/005 , B32B37/10 , B32B38/0012 , B32B2311/00 , B32B2311/24 , B32B2315/02 , C04B35/5615 , C04B35/575 , C04B35/62635 , C04B37/006 , C04B2235/3826 , C04B2235/3843 , C04B2235/3891 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/708 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/68757 , Y10T29/4935
摘要： 半导体制造装置用部件(10)具有AlN制静电卡盘(20)、冷却板(30)、以及冷却板?卡盘接合层(40)。冷却板(30)具有第1～第3基板(31～33)、形成于第1以及第2基板(31、32)之间的第1金属接合层(34)、形成于第2以及第3基板(32、33)之间的第2金属接合层(35)、以及制冷剂通路(36)。第1～第3基板(31～33)由致密质复合材料形成，所述致密质复合材料从含量多的起依次包含SiC、Ti3SiC2以及TiC。金属接合层(34、35)通过在第1以及第2基板(31、32)之间和第2以及第3基板(32、33)之间夹持Al?Si?Mg系接合材料并将各基板(31～33)进行热压接合而形成。
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公开(公告)号：CN103596904B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201380001642.7
申请日：2013-02-27
申请人： 美浓窑业株式会社
CPC分类号： B32B37/06 , C04B35/563 , C04B35/645 , C04B37/006 , C04B2235/3821 , C04B2235/3895 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/72 , C04B2235/722 , C04B2235/77 , C04B2235/963 , C04B2237/121 , C04B2237/124 , C04B2237/125 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/365 , C04B2237/592 , C04B2237/64 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , F41H5/0421
摘要： 本发明涉及冲击吸收部件（50），其具备陶瓷接合体（15），该陶瓷接合体（15）具有：由含有60质量%以上的碳化硼的陶瓷形成的厚度为0.1～50mm的多个第1片状部件（5），和配置于邻接的第1片状部件（5）之间、将邻接的第1片状部件（5）的对置的接合面彼此接合的接合层；接合层由含有选自由铝、铜、银及金组成的组中的至少一种金属的接合材料形成。
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公开(公告)号：CN105585326A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510983420.0
申请日：2015-12-24
申请人： 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院
IPC分类号： C04B37/00
CPC分类号： C04B37/006 , C04B2237/121 , C04B2237/122 , C04B2237/36 , C04B2237/363 , C04B2237/365
摘要： 本发明涉及一种纳米箔带扩散连接碳化硅陶瓷基复合材料的工艺，属于焊接制造技术领域。由于陶瓷及陶瓷基复合材料的加工性能较差、耐热冲击能力弱，国内外在陶瓷或陶瓷基复合材料的连接中，普遍使用传统的Ag-Cu-Ti、Cu-Ti系活性钎料进行钎焊连接，但相应的接头耐热温度很难超过500℃。本发明提供一种可用于SiC陶瓷基复合材料的低温活化连接、接头耐高温的连接方法，通过采用纳米级厚度的Ti和Al金属层交替叠加的箔带作为焊料，经过热压烧结方法，实现碳化硅陶瓷基复合材料的连接，获得的连接接头不仅室温强度高，而且室温接头强度的75％以上可以稳定至1100℃的高温。
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公开(公告)号：CN105556354A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480050094.1
申请日：2014-08-15
申请人： 日本碍子株式会社
CPC分类号： G02F1/3775 , C04B37/006 , C04B2237/123 , C04B2237/125 , C04B2237/34 , C04B2237/592 , C04B2237/704 , C04B2237/72 , G02B6/00 , G02B6/12 , G02F1/3501 , G02F1/377 , G02F2001/3505
摘要： 光学部件21A包括：具有接合面3b和进行了光学研磨的端面3d的光学元件1、以及形成于光学元件1的接合面且用于将光学元件接合于基板的金属膜。金属膜包括：覆盖接合面3b的除端面3d一侧的端部以外的区域的主覆盖部6、在端部内覆盖接合面的端部覆盖部7。在主覆盖部6与端部覆盖部7之间设置有未被金属膜覆盖的非覆盖部8。
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公开(公告)号：CN105374558A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510984758.8
申请日：2012-03-08
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H01L21/64 , B26D1/04 , B32B37/00 , B32B37/02 , B32B37/10 , B32B37/12 , B32B37/16 , B32B38/0004 , B32B38/04 , B32B2038/042 , C04B35/00 , C04B35/468 , C04B37/00 , C04B37/006 , C04B2237/12 , C04B2237/32 , H01G4/06 , H01G4/12 , H01G4/30 , H01G4/308 , H01G13/00 , H05K3/0058 , Y10T156/1052 , Y10T156/1348
摘要： 本发明提供一种层叠陶瓷电子部件的制造方法。该方法在得到使内部电极在侧面露出的状态的未加工芯片中，由于在内部电极的侧部形成保护区域，因此在进行在未加工芯片的侧面粘贴陶瓷生片的工序时，能够以不使未加工芯片产生所不希望的变形的方式处理未加工芯片。作为扩宽了相互之间的间隔的状态而使截断母板后的呈按行及列方向排列的状态的多个未加工芯片(19)转动，由此，将多个未加工芯片(19)各自的侧面(20)一齐作为开放面，而后对侧面(20)赋予粘接剂，接着，在粘贴用弹性体(48)上放置侧面用陶瓷生片(47)，通过将未加工芯片(19)的侧面(20)按压于侧面用陶瓷生片(47)，从而打穿侧面用陶瓷生片(47)，且处于附着于侧面(20)的状态。
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公开(公告)号：CN104520044A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201380036987.6
申请日：2013-06-07
申请人： 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司
发明人： 尼尔斯·波纳特 , 安德烈亚斯·罗斯贝格 , 埃尔克·施密特
CPC分类号： G01L9/0075 , B23K1/0008 , B23K1/19 , C04B37/003 , C04B37/006 , C04B2237/122 , C04B2237/126 , C04B2237/343 , C04B2237/55 , C04B2237/597 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , Y10T403/479
摘要： 本发明涉及一种组件，该组件包括通过接合部(3-5)连接的两个陶瓷体(1、2)，该接合部具有活性硬焊料(5)，所述活性硬焊料(5)具有结合性的核心体积，该核心提及与各陶瓷体(1、2)距离至少1μm，特别是至少2μm，接合部(3-5)具有边界层(3、4)，边界层邻接陶瓷体(1、2)。包括接合部(3-5)的体积的至少50％的核心体积没有尺寸大于6μm的结晶相，特别是没有大于4μm的结晶相，优选没有大于2μm的结晶相。
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公开(公告)号：CN104254913A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201480001099.5
申请日：2014-03-06
申请人： 日本碍子株式会社
IPC分类号： H01L21/683 , C04B35/565
CPC分类号： H01L21/67109 , B21D53/02 , B32B9/005 , B32B37/10 , B32B38/0012 , B32B2311/00 , B32B2311/24 , B32B2315/02 , C04B35/5615 , C04B35/575 , C04B35/62635 , C04B37/006 , C04B2235/3826 , C04B2235/3843 , C04B2235/3891 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/708 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/68757 , Y10T29/4935
摘要： 半导体制造装置用部件(10)具有AlN制静电卡盘(20)、冷却板(30)、以及冷却板-卡盘接合层(40)。冷却板(30)具有第1～第3基板(31～33)、形成于第1以及第2基板(31、32)之间的第1金属接合层(34)、形成于第2以及第3基板(32、33)之间的第2金属接合层(35)、以及制冷剂通路(36)。第1～第3基板(31～33)由致密质复合材料形成，所述致密质复合材料从含量多的起依次包含SiC、Ti3SiC2以及TiC。金属接合层(34、35)通过在第1以及第2基板(31、32)之间和第2以及第3基板(32、33)之间夹持Al-Si-Mg系接合材料并将各基板(31～33)进行热压接合而形成。
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