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公开(公告)号：CN109415800A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780039108.3
申请日：2017-07-19
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/24
Abstract: 本发明提供一种可尽量减少粒子的影响的所谓向下沉积方式的真空蒸镀装置。其具有配置在真空室(1)内的蒸镀源(3)，蒸镀源具有容置蒸镀物质(Vm)的容置箱(31)和加热蒸镀物质使其升华或气化的加热装置(33)；容置箱中设置有升华或气化了的蒸镀物质的喷出部(32)，喷出部相对于真空室内的被成膜物(S)位于垂直方向上方，喷出部具有相对于垂直方向斜向下的喷出口(32b)，从该喷出口向被成膜物喷出蒸镀物质，容置箱偏移设置在远离被成膜物的端部的位置上。
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公开(公告)号：CN114381693A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110967499.3
申请日：2021-08-23
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种可尽量抑制蒸镀中被处理基板和掩模板的温度上升的真空蒸镀装置用的蒸镀源。配置在真空室内用于对被处理基板进行蒸镀的真空蒸镀装置用的蒸镀源(DS)，其具有填充蒸镀材料(Vm)的容器(41)和加热该容器内的蒸镀材料的加热装置(43)，容器具有排放部(44)，其可排放通过加热而在该容器内气化或升华了的蒸镀材料，在由于伴随由加热装置进行的蒸镀材料的加热而被加热，所以对被处理基板辐射热线的容器部分(41a，44a，44b)上，设置比该容器的母材辐射率低的低辐射率层(Le)。
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公开(公告)号：CN109328244B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201780038523.7
申请日：2017-07-19
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种可有效地抑制掩膜效应，并使蒸镀物质附着效率良好地成膜的真空蒸镀装置。其具有：蒸镀源(3)，其配置在真空室(1)内；移动装置，其使基板(S)相对于蒸镀源在一个方向上相对移动；以及掩膜材料(4)。以基板相对于蒸镀源的相对移动方向作为X轴方向，基板的宽度方向作为Y轴方向，在蒸镀源的容置箱(31)上喷嘴(32)以规定的间隔在Y轴方向上排列设置。分别位于Y轴方向两端的喷嘴彼此间的间隔根据喷嘴和被成膜物之间的距离(NS)设置为比基板的宽度(Ws)窄。以位于Y轴方向中央区域的各喷嘴作为主喷嘴(32m)，以位置比其更靠Y轴方向各侧的外侧的喷嘴作为副喷嘴(32s)，主喷嘴的喷嘴孔具有与基板(S)相交叉的孔轴(33)，并且副喷嘴的喷嘴孔带有相对于主喷嘴的孔轴向Y轴方向外侧倾斜的孔轴(34)。
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公开(公告)号：CN109415800B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201780039108.3
申请日：2017-07-19
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/24
Abstract: 本发明提供一种可尽量减少粒子的影响的所谓向下沉积方式的真空蒸镀装置。其具有配置在真空室(1)内的蒸镀源(3)，蒸镀源具有容置蒸镀物质(Vm)的容置箱(31)和加热蒸镀物质使其升华或气化的加热装置(33)；容置箱中设置有升华或气化了的蒸镀物质的喷出部(32)，喷出部相对于真空室内的被成膜物(S)位于垂直方向上方，喷出部具有相对于垂直方向斜向下的喷出口(32b)，从该喷出口向被成膜物喷出蒸镀物质，容置箱偏移设置在远离被成膜物的端部的位置上。
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公开(公告)号：CN109328244A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201780038523.7
申请日：2017-07-19
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种可有效地抑制掩膜效应，并使蒸镀物质附着效率良好地成膜的真空蒸镀装置。其具有：蒸镀源(3)，其配置在真空室(1)内；移动装置，其使基板(S)相对于蒸镀源在一个方向上相对移动；以及掩膜材料(4)。以基板相对于蒸镀源的相对移动方向作为X轴方向，基板的宽度方向作为Y轴方向，在蒸镀源的容置箱(31)上喷嘴(32)以规定的间隔在Y轴方向上排列设置。分别位于Y轴方向两端的喷嘴彼此间的间隔根据喷嘴和被成膜物之间的距离(NS)设置为比基板的宽度(Ws)窄。以位于Y轴方向中央区域的各喷嘴作为主喷嘴(32m)，以位置比其更靠Y轴方向各侧的外侧的喷嘴作为副喷嘴(32s)，主喷嘴的喷嘴孔具有与基板(S)相交叉的孔轴(33)，并且副喷嘴的喷嘴孔带有相对于主喷嘴的孔轴向Y轴方向外侧倾斜的孔轴(34)。
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