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公开(公告)号：CN109415800A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780039108.3
申请日：2017-07-19
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： C23C14/24
摘要： 本发明提供一种可尽量减少粒子的影响的所谓向下沉积方式的真空蒸镀装置。其具有配置在真空室(1)内的蒸镀源(3)，蒸镀源具有容置蒸镀物质(Vm)的容置箱(31)和加热蒸镀物质使其升华或气化的加热装置(33)；容置箱中设置有升华或气化了的蒸镀物质的喷出部(32)，喷出部相对于真空室内的被成膜物(S)位于垂直方向上方，喷出部具有相对于垂直方向斜向下的喷出口(32b)，从该喷出口向被成膜物喷出蒸镀物质，容置箱偏移设置在远离被成膜物的端部的位置上。
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公开(公告)号：CN109423602B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201810788659.6
申请日：2018-07-18
申请人： 株式会社爱发科
摘要： 本发明提供一种掩膜板，其在通过磁铁阵列的吸引力将掩膜板紧密贴合在基板的下表面以使基板(Sw)夹隔在接触板(Tp)和掩膜板(MP)之间时，可尽量抑制在图案掩膜部(1)的透孔(11)周边的突起，并可防止已形成的薄膜上发生掩膜失效。本发明的掩膜板(MP)具有：图案掩膜部(1)，其由以规定的图案开设并贯通板厚度方向的多个透孔(11)构成；以及遮挡部(2)，其位于图案掩膜部的周围。至少在磁铁的并列设置方向上与图案掩膜部相邻的遮挡部的部分(21)形成为与图案掩膜部的磁导率相同。
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公开(公告)号：CN108239744A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711430447.2
申请日：2017-12-26
申请人： 株式会社爱发科
CPC分类号： C23C14/042 , C23C14/24 , C23C14/54
摘要： 一种间隙计量方法，包含：以从掩膜板向基板的方向为上，使基板和掩膜板上下对齐并重叠，并借助接触板将保持装置配置在基板上，从而以夹持该基板的方式将掩膜板保持在接触板上；以在基板的一面内彼此正交的两个方向为X轴方向和Y轴方向，将具有发光元件和受光元件的计量部隔开配置在计量对象物下方；以发光元件发出的光在基板下表面反射的位置为起点，从该起点开始使计量部对计量对象物在X向和Y向中的至少一个方向上相对进行扫描，在发光元件发出的光在掩膜板发生反射的计量位置从发光元件照射光并由受光元件接收该反射的光，从而取得掩膜板相对于计量部的位移量所对应的扫描数据；以及根据扫描数据和掩膜板的厚度计量基板和掩膜板间的间隙。
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公开(公告)号：CN109423602A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810788659.6
申请日：2018-07-18
申请人： 株式会社爱发科
摘要： 本发明提供一种掩膜板，其在通过磁铁阵列的吸引力将掩膜板紧密贴合在基板的下表面以使基板(Sw)夹隔在接触板(Tp)和掩膜板(MP)之间时，可尽量抑制在图案掩膜部(1)的透孔(11)周边的突起，并可防止已形成的薄膜上发生掩膜失效。本发明的掩膜板(MP)具有：图案掩膜部(1)，其由以规定的图案开设并贯通板厚度方向的多个透孔(11)构成；以及遮挡部(2)，其位于图案掩膜部的周围。至少在磁铁的并列设置方向上与图案掩膜部相邻的遮挡部的部分(21)形成为与图案掩膜部的磁导率相同。
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公开(公告)号：CN108239744B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711430447.2
申请日：2017-12-26
申请人： 株式会社爱发科
摘要： 一种间隙计量方法，包含：以从掩膜板向基板的方向为上，使基板和掩膜板上下对齐并重叠，并借助接触板将保持装置配置在基板上，从而以夹持该基板的方式将掩膜板保持在接触板上；以在基板的一面内彼此正交的两个方向为X轴方向和Y轴方向，将具有发光元件和受光元件的计量部隔开配置在计量对象物下方；以发光元件发出的光在基板下表面反射的位置为起点，从该起点开始使计量部对计量对象物在X向和Y向中的至少一个方向上相对进行扫描，在发光元件发出的光在掩膜板发生反射的计量位置从发光元件照射光并由受光元件接收该反射的光，从而取得掩膜板相对于计量部的位移量所对应的扫描数据；以及根据扫描数据和掩膜板的厚度计量基板和掩膜板间的间隙。
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公开(公告)号：CN109415800B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201780039108.3
申请日：2017-07-19
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： C23C14/24
摘要： 本发明提供一种可尽量减少粒子的影响的所谓向下沉积方式的真空蒸镀装置。其具有配置在真空室(1)内的蒸镀源(3)，蒸镀源具有容置蒸镀物质(Vm)的容置箱(31)和加热蒸镀物质使其升华或气化的加热装置(33)；容置箱中设置有升华或气化了的蒸镀物质的喷出部(32)，喷出部相对于真空室内的被成膜物(S)位于垂直方向上方，喷出部具有相对于垂直方向斜向下的喷出口(32b)，从该喷出口向被成膜物喷出蒸镀物质，容置箱偏移设置在远离被成膜物的端部的位置上。
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公开(公告)号：CN102132416A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980132750.1
申请日：2009-08-28
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/077 , C23C16/24 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L31/076 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 该光电转换装置的制造方法中，在各不相同的减压室内连续形成构成第一光电转换单元(3)的第一p型半导体层(31)、第一i型半导体层(32)和第一n型半导体层(33)以及构成第二光电转换单元(4)的第二p型半导体层(41)，将所述第二p型半导体层(41)暴露在大气气氛中，在相同的减压室内将构成所述第二光电转换单元的第二i型半导体层(42)和第二n型半导体层(43)形成在暴露在所述大气气氛中的所述第二光电转换单元(4)的所述p型半导体层(41)上。
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