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公开(公告)号：CN116802336A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202280013804.8
申请日：2022-09-27
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/06
Abstract: 本发明提供一种能够通过反应性溅射形成具有较强拉伸应力的氮化硅膜的氮化硅膜的成膜方法。本发明的氮化硅膜的成膜方法，其中，在真空室(1)内将硅材质靶(3)和成膜对象物(Sw)相对配置，向真空气氛的真空室内导入含有氮气的溅射气体，对硅材质靶施加负电位，在以电性浮置状态设置的成膜对象物的表面，通过反应性溅射形成具有拉伸应力的氮化硅膜；包括下述工序：将成膜对象物设置为偏压电位的非施加状态，控制氮气相对于溅射气体的流量比例和对硅材质靶施加的电位中的至少一方，以使硅材质靶表面维持在金属模式与化合物模式之间的过渡模式，在成膜对象物表面堆积β型氮化硅。
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