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公开(公告)号：CN106715749B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201580047418.0
申请日：2015-07-15
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种能够以良好的薄膜厚度分布均匀性形成结晶性进一步提高的绝缘材料膜的溅射装置。本发明的溅射装置(SM)具有在设置了绝缘材料靶(4)的真空室(1)内保持待处理基板(W)与该绝缘材料靶相对的台架(2)，设置有旋转驱动台架的驱动装置(3)，向绝缘材料靶施加高频电力的溅射电源(E1)，以及向真空室内导入稀有气体的气体导入装置(13，14)，在该溅射装置(SM)中，基板与绝缘材料靶的溅射面之间的间隔(d3)设置在40mm～150mm的范围内。
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公开(公告)号：CN102870205B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201180016263.6
申请日：2011-03-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831
Abstract: 提供一种基板保持装置（EC），用于在实施等离子处理的处理室内吸附基板。所述装置在等离子处理过程中也能掌握基板的翘曲，并且，以适当的吸附力吸附基板而不致基板破损或诱发异常放电。其包括：卡盘本体（1），其具有正负电极（3a、3b）；卡板（2），其具有可与基板的外周边部面接触的挡边部（2a）及在所述挡边部围绕出的内部空间（2b）中以规定间隔竖直设立的多个支持部（2c）；直流电源（E1），其在两电极间施加直流电压；提供流经卡板的静电电容的交流电流的电源（E2）及测量此时的交流电流的第一测量装置（M）。而且，设置有去除装置（F），其在等离子处理过程中，从发生在处理室内的等离子体去除与所述交流电流重叠的交流成分。
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公开(公告)号：CN102265390A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980151941.2
申请日：2009-12-09
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , H02N13/00
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/68757
Abstract: 提供一种静电卡盘用卡板的制造方法，具有从开始使用时使作为待处理基板的晶片W不易发生脱离不良的高生产效率。是覆盖具有电极(3a、3b)的卡盘主体(1)的表面的、用在静电卡盘(ES)上的由介电体制成的卡板(2)的制造方法，包括：将原料粉末压缩成指定形状后，烧结得到烧结体的工序；通过研磨加工，将烧结体中与应吸附基板接触的表面加工到指定的表面粗糙度及平坦度的工序；选择性地仅去除伴随研磨加工产生的准备脱出的粒子的喷砂处理的工序。
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公开(公告)号：CN102245798A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980150338.2
申请日：2009-12-08
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34 , H01L21/285
CPC classification number: H01J37/3405 , C23C14/046 , C23C14/3407 , C23C14/351 , C23C14/358 , H01J37/3447 , H01J37/3452 , H01J37/3458 , H01L21/2855
Abstract: 提供一种溅镀装置，对在基板表面上形成的长宽比很高的各微孔，可以覆盖性良好的成膜。该溅镀装置包括：配置有基板W的真空腔1；阴极单元C，面对基板安装在真空腔内，构成为将有底桶状的靶材4以靶材的底部侧先进入的方式安装在形成于托架2单侧上的至少一个凹部3内，同时组装上在靶材的内部空间产生磁场的磁场发生设备6；施加有正电压的阳极屏蔽层8；向真空腔内导入指定的溅射气体的气体导入设备12；向所述阴极单元中施加功率的电源；垂直磁场发生设备，其由在将所述阴极单元和基板连接起来的基准轴的周围，安装在真空腔壁上的线圈15，以及能向各线圈通电的电源构成；控制气体导入设备导入溅射气体的控制设备16。
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公开(公告)号：CN102046837A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980119324.4
申请日：2009-06-04
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35 , H01L21/285
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/3457 , C23C14/358 , H01J37/32633 , H01J37/3266 , H01J37/3408 , H01J37/3458 , H01L21/2855
Abstract: 本发明提供一种低成本的溅射装置，其可促进从靶上飞溅的原子的离子化以进行稳定的自溅射。其包括：与在真空腔(2)内应处理的基板W相对配置的靶(3)，在靶的溅射面的前方形成磁场的磁铁组合件(4)，以及向靶施加负的直流电位的DC电源(5)。在靶的溅射面的背面一侧的中央区域设置第一线圈(6)，所述第一线圈电连接在所述第一电源和所述靶的输出之间；当由所述溅射电源向所述靶施加负电位时，所述第一线圈被通电并在溅射面的前方产生磁场。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102265390B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN200980151941.2
申请日：2009-12-09
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , H02N13/00
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/68757
Abstract: 提供一种静电卡盘用卡板的制造方法，具有从开始使用时使作为待处理基板的晶片W不易发生脱离不良的高生产效率。是覆盖具有电极(3a、3b)的卡盘主体(1)的表面的、用在静电卡盘(ES)上的由介电体制成的卡板(2)的制造方法，包括：将原料粉末压缩成指定形状后，烧结得到烧结体的工序；通过研磨加工，将烧结体中与应吸附基板接触的表面加工到指定的表面粗糙度及平坦度的工序；选择性地仅去除伴随研磨加工产生的准备脱出的粒子的喷砂处理的工序。
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公开(公告)号：CN102870205A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201180016263.6
申请日：2011-03-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831
Abstract: 提供一种基板保持装置（ES），用于在实施等离子处理的处理室内吸附基板。所述装置在等离子处理过程中也能掌握基板的翘曲，并且，以适当的吸附力吸附基板而不致基板破损或诱发异常放电。其包括：卡盘本体，其具有正负电极（3a、3b）；卡板（2），其具有可与基板的外周边部面接触的挡边部（2a）及在所述挡边部围绕出的内部空间（2b）中以规定间隔竖直设立的多个支持部（2c）；直流电源（E1），其在两电极间施加直流电压；提供流经卡板的静电电容的交流电流的电源（E2）及测量此时的交流电流的第一测量装置（M）。而且，设置有去除装置（F），其在等离子处理过程中，从发生在处理室内的等离子体去除与所述交流电流重叠的交流成分。
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公开(公告)号：CN116802336A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202280013804.8
申请日：2022-09-27
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/06
Abstract: 本发明提供一种能够通过反应性溅射形成具有较强拉伸应力的氮化硅膜的氮化硅膜的成膜方法。本发明的氮化硅膜的成膜方法，其中，在真空室(1)内将硅材质靶(3)和成膜对象物(Sw)相对配置，向真空气氛的真空室内导入含有氮气的溅射气体，对硅材质靶施加负电位，在以电性浮置状态设置的成膜对象物的表面，通过反应性溅射形成具有拉伸应力的氮化硅膜；包括下述工序：将成膜对象物设置为偏压电位的非施加状态，控制氮气相对于溅射气体的流量比例和对硅材质靶施加的电位中的至少一方，以使硅材质靶表面维持在金属模式与化合物模式之间的过渡模式，在成膜对象物表面堆积β型氮化硅。
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公开(公告)号：CN102822380A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180016926.4
申请日：2011-03-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: H01J37/3438 , C23C14/34 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/50 , C23C14/542 , H01J37/3405 , H01L21/6833
Abstract: 提供一种溅镀装置，来抑制基板间薄膜厚度的参差不齐，所述溅镀装置具有配置了靶的真空室；向靶输入功率的电源；气体导入装置；排气装置；保持待处理基板的基板保持装置，基板保持装置具有卡盘本体，所述卡盘本体有正负电极；卡板，所述卡板具有与基板的外周边部能面接触的挡边部及在挡边部所围绕的内部空间里以规定间隔垂直设立的多个支持部；直流电源，所述直流电源向两电极间施加直流电压。所述控制装置具有流出通过卡板（62）的静电电容的交流电流的交流电源（64b）及测量该交流电流的测量装置（A），具有控制装置，控制真空室内的压力，以便在真空室（1）内导入规定气体，向靶（2）输入功率并溅镀靶，在基板表面形成规定薄膜时，保持测量装置测量出的交流电流值是规定值。
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公开(公告)号：CN102428209A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080021651.9
申请日：2010-05-20
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/38 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/2855 , C23C14/351 , H01J37/3402 , H01J37/3405 , H01J37/342 , H01L21/76843
Abstract: 一种在被处理体的表面形成覆膜的成膜方法。在腔室内对置配置靶与所述被处理体，产生使垂直的磁力线从所述靶的溅射面朝向所述被处理体的被成膜面以规定的间隔局部通过的磁场，所述靶成为所述覆膜的母材；并且向所述腔室内导入溅射气体，将所述腔室内的气压控制在0.3Pa以上且10.0Pa以下的范围内，且向所述靶施加负的直流电压，从而在所述靶与所述被处理体之间的空间产生等离子体；控制通过对所述靶进行溅射而产生的溅射粒子的飞行方向，并且将所述溅射粒子向所述被处理体诱导并使其沉积，以形成所述覆膜。
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