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公开(公告)号:CN106463608B
公开(公告)日:2019-07-12
申请号:CN201580034198.8
申请日:2015-06-11
申请人: 株式会社爱发科
IPC分类号: H01L41/319 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L41/047 , H01L41/29 , H01L41/316
CPC分类号: H01L41/0477 , C23C14/08 , C23C14/088 , C23C14/165 , C23C14/34 , C23C14/3464 , H01L41/0815 , H01L41/29 , H01L41/316 , H01L41/319
摘要: 本发明提供一种在通过溅射形成PZT薄膜时在不使用以往的种子层的情况下抑制作为杂质相的烧绿石相的生成的技术。本发明是具有在Si基板10上经由作为铂紧贴层的TiOX层4而设置的Pt电极层5、在Pt电极层5上形成的Ti薄膜层6、以及在Ti薄膜层6上形成的PZT薄膜层7的PZT薄膜层叠体。能够使Ti薄膜层6的厚度为1nm以上10nm以下。
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公开(公告)号:CN106463608A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201580034198.8
申请日:2015-06-11
申请人: 株式会社爱发科
IPC分类号: H01L41/319 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L41/047 , H01L41/29 , H01L41/316
CPC分类号: H01L41/0477 , C23C14/08 , C23C14/088 , C23C14/165 , C23C14/34 , C23C14/3464 , H01L41/0815 , H01L41/29 , H01L41/316 , H01L41/319
摘要: 本发明提供一种在通过溅射形成PZT薄膜时在不使用以往的种子层的情况下抑制作为杂质相的烧绿石相的生成的技术。本发明是具有在Si基板10上经由作为铂紧贴层的TiOX层4而设置的Pt电极层5、在Pt电极层5上形成的Ti薄膜层6、以及在Ti薄膜层6上形成的PZT薄膜层7的PZT薄膜层叠体。能够使Ti薄膜层6的厚度为1nm以上10nm以下。
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