公开(公告)号：CN115552053B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202180035097.8

申请日：2021-04-20

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 松崎淳介 ,  氏原祐辅 ,  长谷川丈之 ,  大久保裕夫

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/34 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明提供一种当在有机层表面形成透明导电氧化物膜时，可尽量抑制有机层受损的磁控溅射装置(SM1)。阴极单元Sc具有在X轴方向上以规定间隔并列设置的筒状靶(Tg1、Tg2)，设置有分别旋转驱动筒状靶围绕Y轴旋转的驱动装置(Db1、Db2)，且磁铁单元(Mu1、Mu2)分别装配在各筒状靶内，成对的磁铁单元各自具有中央磁铁(5a)和周边磁铁(5b)，在筒状靶和成膜面之间的空间内形成隧道状的磁场(Mf)，成对的磁铁单元各自被配置为使得当在成膜对象物(Sw)相对于阴极单元静止相对向的状态下成膜时，在经过成膜面内薄膜厚度最厚位置的Z轴上Z轴分量的磁场强度为零。

公开(公告)号：CN115552053A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202180035097.8

申请日：2021-04-20

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 松崎淳介 ,  氏原祐辅 ,  长谷川丈之 ,  大久保裕夫

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/34 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明提供一种当在有机层表面形成透明导电氧化物膜时，可尽量抑制有机层受损的磁控溅射装置(SM1)。阴极单元Sc具有在X轴方向上以规定间隔并列设置的筒状靶(Tg1、Tg2)，设置有分别旋转驱动筒状靶围绕Y轴旋转的驱动装置(Db1、Db2)，且磁铁单元(Mu1、Mu2)分别装配在各筒状靶内，成对的磁铁单元各自具有中央磁铁(5a)和周边磁铁(5b)，在筒状靶和成膜面之间的空间内形成隧道状的磁场(Mf)，成对的磁铁单元各自被配置为使得当在成膜对象物(Sw)相对于阴极单元静止相对向的状态下成膜时，在经过成膜面内薄膜厚度最厚位置的Z轴上Z轴分量的磁场强度为零。