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公开(公告)号：CN115552053B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202180035097.8
申请日：2021-04-20
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种当在有机层表面形成透明导电氧化物膜时，可尽量抑制有机层受损的磁控溅射装置(SM1)。阴极单元Sc具有在X轴方向上以规定间隔并列设置的筒状靶(Tg1、Tg2)，设置有分别旋转驱动筒状靶围绕Y轴旋转的驱动装置(Db1、Db2)，且磁铁单元(Mu1、Mu2)分别装配在各筒状靶内，成对的磁铁单元各自具有中央磁铁(5a)和周边磁铁(5b)，在筒状靶和成膜面之间的空间内形成隧道状的磁场(Mf)，成对的磁铁单元各自被配置为使得当在成膜对象物(Sw)相对于阴极单元静止相对向的状态下成膜时，在经过成膜面内薄膜厚度最厚位置的Z轴上Z轴分量的磁场强度为零。
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公开(公告)号：CN102112638A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130513.1
申请日：2009-07-30
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C22B9/22 , B22D25/04 , B22D27/02 , B22D27/04 , C01B33/037
CPC classification number: B22D27/02 , B22D27/04 , C01B33/037 , C22B9/228 , C22B61/00
Abstract: 本发明的金属的精制方法，为对由金属形成的母材照射电子束使其熔解后，使该熔解的母材凝固，由此精制所述母材的金属的精制方法，该精制方法包括：对装填在水冷坩埚中的所述母材的表面的全部区域照射所述电子束，完全熔解所述母材的工序，其中，所述水冷坩埚配置在高真空气氛中；保持对所述熔解了的母材照射所述电子束的状态，并缓慢地减弱所述电子束的输出，从而使所述熔解了的所述母材由所述熔解了的母材的熔融金属底部向着所述电子束照射侧的熔融金属表面部缓慢地凝固的工序；和所述熔解了的母材的凝固进行至规定的比例之后，除去未凝固的熔融金属部的工序。
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公开(公告)号：CN103221340A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180057124.8
申请日：2011-11-28
Applicant: 株式会社爱发科
Inventor： 大久保裕夫
IPC: C01B33/037
CPC classification number: C01B33/037
Abstract: 提供从硅原料以低成本去除杂质的技术。将由金属硅构成的母材设置于熔解容器(31)内，在真空氛围中将设置于熔解容器(31)的母材加热并全部熔融，在将熔解容器(31)的外侧底面与冷却单元(21)分离并对面的状态下，冷却外侧底面并从熔解容器(31)的内部底面与熔融硅接触的部分开始凝固硅，使凝固硅向上方生长；将位于凝固硅的上部的未凝固硅从熔解容器(31)去除。
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公开(公告)号：CN102482105A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039072.7
申请日：2010-09-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C01B33/037
CPC classification number: C01B33/037 , H05H1/44
Abstract: 本发明的硅精制方法中，使用至少具备填充金属硅的坩埚和等离子体喷枪的硅精制装置，填充在所述坩埚中的金属硅的熔融金属面与由所述等离子体喷枪喷射的等离子体气体形成的角被设定为20度以上80度以下的状态下，向着所述熔融金属面喷射所述等离子体气体，由此精制所述金属硅。
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公开(公告)号：CN112144026A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010542198.1
申请日：2020-06-15
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明目的是使薄膜的面内的特性分布变得均匀的溅射装置的开闭作业变得容易。在由靶极侧真空槽（11a）与基板侧真空槽（11b）构成的真空槽（11）中，令电极板（28a、28b）的重量支承于靶极侧真空槽（11a），将电极板（28a、28b）配置于靶极13的短边上而缩短靶极（13）与接地电位之间的距离，令基板（16）上的等离子均匀化。基板侧真空槽（11b）的内部被轻量化，所以在令基板侧真空槽（11b）移动而开闭真空槽（11）时，开闭作业变得容易。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102123945A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200980131775.X
申请日：2009-08-12
Applicant: 株式会社爱发科
Inventor： 大久保裕夫
IPC: C01B33/037
CPC classification number: C01B33/037
Abstract: 一种硅精制方法，将由金属硅构成的原材料的母材(20a)装填到石墨坩埚(5)中，将配置在酸性的惰性气体气氛(8)中的所述母材全部加热熔融，将熔融的所述母材(20b)保持在所述石墨坩埚(5)中，从而氧化精制所述母材(20b)；将所述氧化精制的所述母材(20c)装填到水冷坩埚(10)中，将配置在高真空气氛(12)中的所述母材(20c)全部熔融之后，使其缓慢凝固并去除未凝固部(20f)；将配置在所述高真空气氛(12)中且去除了未凝固部(20f)的母材(20e)全部熔融，并保持在所述水冷坩埚(10)中。
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公开(公告)号：CN112144026B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202010542198.1
申请日：2020-06-15
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明目的是使薄膜的面内的特性分布变得均匀的溅射装置的开闭作业变得容易。在由靶极侧真空槽（11a）与基板侧真空槽（11b）构成的真空槽（11）中，令电极板（28a、28b）的重量支承于靶极侧真空槽（11a），将电极板（28a、28b）配置于靶极13的短边上而缩短靶极（13）与接地电位之间的距离，令基板（16）上的等离子均匀化。基板侧真空槽（11b）的内部被轻量化，所以在令基板侧真空槽（11b）移动而开闭真空槽（11）时，开闭作业变得容易。
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公开(公告)号：CN110344007A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910266341.6
申请日：2019-04-03
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明目的是使薄膜的面内的特性分布变得均匀。在配置于基板（16）的周围的阳极电极（17）的短边的部分之上配置块电极（18a、18b），使靶极（13）与接地电位之间的距离在块电极（18a、18b）上变短。在距跑道形形状的等离子区域（10）的两端附近较近的基板（16）上的部位容易形成强度较大的等离子，但由于在块电极（18a、18b）上形成强度较大的等离子，所以在基板（16）上等离子均匀化，在基板（16）上形成的薄膜的面内的特性分布变得均匀。
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公开(公告)号：CN102482105B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201080039072.7
申请日：2010-09-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C01B33/037
CPC classification number: C01B33/037 , H05H1/44
Abstract: 本发明的硅精制方法中，使用至少具备填充金属硅的坩埚和等离子体喷枪的硅精制装置，填充在所述坩埚中的金属硅的熔融金属面与由所述等离子体喷枪喷射的等离子体气体形成的角被设定为20度以上80度以下的状态下，向着所述熔融金属面喷射所述等离子体气体，由此精制所述金属硅。
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公开(公告)号：CN117642848A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202280047411.9
申请日：2022-09-26
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , H01L21/31 , C23C14/50
Abstract: 本发明提供一种带有台架的真空处理装置，在所述台架上被处理基板能够不发生位置偏移地错开其相位。所述真空处理装置具备设置有被处理基板(Sw)的台架(4)；还具备升降旋转机构(Rm)，其将台架上的被处理基板从台架上表面抬起到规定高度位置，可在这个抬起位置处使被处理基板绕其基板中心以规定的旋转角旋转，升降旋转机构具有：组装在台架内上下移动自如及旋转自如的驱动杆(5)；以及基板支撑体(6)，其包括能够与包含基板中心的被处理基板的中央区域抵接的基端板部(61)和从基端板部向其外侧延伸并能与被处理基板的沿径向的部分抵接的至少2个臂板部(62)；基板支撑体平时没入台架内，被处理基板由通过驱动杆的上移而被抬起的基端板部和臂板部支撑。
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