公开(公告)号：CN112673466B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201980058845.7

申请日：2019-08-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 赤井智喜 ,  利田祐麻 ,  妹尾贤 ,  大河原淳

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 将IGBT用第1沟槽(13a)中的最靠FWD用沟槽(13b)侧的沟槽(133a)的中心与FWD用第1沟槽(13b)中的最靠IGBT用沟槽侧(13a)的沟槽(133b)的中心之间的距离设为分离单元间距(W1)。将IGBT用第1沟槽彼此(131a)的中心间的最小距离设为IGBT用第1沟槽间距(D1a)，将相邻的IGBT用第2沟槽(132b)彼此的中心间的最小距离设为IGBT用第2沟槽间距(D2a)，将相邻的FWD用第1沟槽(131b)彼此的中心间的最小距离设为FWD用第1沟槽间距(D1b)，将相邻的FWD用第2沟槽132b彼此的中心间的最小距离设为FWD用第2(56)对比文件CN 105679814 A,2016.06.15CN 106463504 A,2017.02.22CN 103733344 A,2014.04.16US 2018047725 A1,2018.02.15CN 107534053 A,2018.01.02CN 104160512 A,2014.11.19US 2006286751 A1,2006.12.21JP 2017011171 A,2017.01.12JP 2009021557 A,2009.01.29JP 2014063960 A,2014.04.10Benedikt Gburek*, VeitWagner.Influence of the semiconductorthickness on the charge carrier mobilityin P3HT organic field-effect transistorsin top-gate architecture on flexiblesubstrates.Organic Electronics.2011,全文.翟东媛;赵毅;蔡银飞;施毅;郑有炓.沟槽形状对硅基沟槽式肖特基二极管电学特性的影响.物理学报.63(12),全文.

公开(公告)号：CN106972051B

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201611108931.9

申请日：2016-12-06

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 大河原淳 ,  妹尾贤

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供一种IGBT，具体提供一种使具有矩形沟槽的IGBT的饱和电流降低的技术。该IGBT具备：矩形沟槽，其具有第一沟槽～第四沟槽；栅电极，其被配置在矩形沟槽内。发射区具备：第一发射区，其与第一沟槽相接；第二发射区，其与第三沟槽相接。体接触区具备：第一体接触区，其与第二沟槽相接；第二体接触区，其与第四沟槽相接。表层体区在从各个连接部起至发射区的范围内与沟槽相接。

公开(公告)号：CN109599379B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN201811160907.9

申请日：2018-09-30

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 大河原淳

IPC: H01L23/485 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其抑制从三重接触部向工作区域延伸的裂纹产生。该半导体装置具备：半导体基板；层间绝缘膜，其设置在半导体基板上；接触栓塞，其贯穿层间绝缘膜；第一金属层，其覆盖层间绝缘膜的表面和接触栓塞的表面；保护绝缘膜，其覆盖第一金属层的表面的一部分；以及第二金属层，其覆盖第一金属层的表面，并且与保护绝缘膜的端部接触。半导体装置具备：设置有保护绝缘膜的外周区域、工作区域、以及位于外周区域与工作区域之间的中间区域。工作区域内的接触栓塞朝向保护绝缘膜的端部延伸。中间区域内的接触栓塞沿着保护绝缘膜的端部延伸。

公开(公告)号：CN110858611B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201910775969.9

申请日：2019-08-22

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 大河原淳

IPC: H01L29/739 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明提供半导体装置。半导体装置具备半导体基板、设置于半导体基板上的绝缘膜、设置于绝缘膜上的电力用的主电极、以及设置于绝缘膜上的信号用的垫。在设置有主电极的单元区域和设置有垫的垫区域的各个中，在绝缘膜形成有接触孔。位于垫区域的接触孔的高度位置高于位于单元区域的接触孔的高度位置，位于垫区域的接触孔的宽度大于位于单元区域的接触孔的宽度。

公开(公告)号：CN110034113B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201811640218.8

申请日：2018-12-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 妹尾贤 ,  大河原淳

IPC: H01L27/07

Abstract: 半导体装置包括半导体衬底，该半导体衬底设置有多个二极管范围和多个IGBT范围。在沿着半导体衬底的厚度方向的半导体衬底的平面图中，IGBT范围和二极管范围沿着第一方向交替排列。每一二极管范围在与下电极接触的范围内设置有多个n型的阴极区和多个p型的限流区。在每一二极范围内，阴极区和限流区沿着与第一方向相交的第二方向交替排列。每一IGBT范围在与下电极接触的范围内设置有p型的集电极区。每一IGBT范围内的集电极区与相邻的二极管范围内的每一阴极区接触。

公开(公告)号：CN112673466A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201980058845.7

申请日：2019-08-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 赤井智喜 ,  利田祐麻 ,  妹尾贤 ,  大河原淳

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 将IGBT用第1沟槽(13a)中的最靠FWD用沟槽(13b)侧的沟槽(133a)的中心与FWD用第1沟槽(13b)中的最靠IGBT用沟槽侧(13a)的沟槽(133b)的中心之间的距离设为分离单元间距(W1)。将IGBT用第1沟槽彼此(131a)的中心间的最小距离设为IGBT用第1沟槽间距(D1a)，将相邻的IGBT用第2沟槽(132b)彼此的中心间的最小距离设为IGBT用第2沟槽间距(D2a)，将相邻的FWD用第1沟槽(131b)彼此的中心间的最小距离设为FWD用第1沟槽间距(D1b)，将相邻的FWD用第2沟槽132b彼此的中心间的最小距离设为FWD用第2沟槽间距(D2b)。并且，分离单元间距(W1)比各沟槽间距(D1a、D2a、D1b、D2b)窄。