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公开(公告)号：CN115945799A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211220832.5
申请日：2022-10-08
申请人： 株式会社电装 , 国立大学法人埼玉大学
摘要： 一种用于晶片的制造方法，包括：将激光束辐射到待切断该晶锭的计划切断表面上；以及利用该激光束的辐射，在该计划切断表面处形成多个改造部(31)，以从该改造部延伸裂纹，从而对晶片进行切割，其中，该激光束的能量密度超过改造阈值(Eth)。该能量密度满足以下条件中的至少一个：该能量密度的峰值(Ep)小于或等于44J/cm2；在与该能量密度达到该改造阈值Eth的最浅位置对应的部分处的该能量密度的上升率(α)大于或等于1000J/cm3；以及该能量密度超过该改造阈值的深度范围(W)小于或等于30μm。
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公开(公告)号：CN115763218A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211070800.1
申请日：2022-09-02
申请人： 株式会社电装
摘要： 一种半导体晶片的制造方法包括：准备具有第一主表面和在第一主表面的背面的第二主表面的锭，剥离层沿着第一主表面形成在锭中；以及相对于沿第一主表面的表面方向从锭的外部向锭施加负荷，使得具有作为锭在表面方向上的第一端的支承点的力矩作用在锭上，从而从锭剥离晶片前体。此外，可以对锭施加动态力，使得沿着锭厚度方向的拉伸应力作用在锭沿表面方向的整个区域上，从而从锭剥离晶片前体。
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公开(公告)号：CN118402044A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280081615.4
申请日：2022-11-08
申请人： 株式会社电装
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/53 , B24B7/22 , B28D5/04
摘要： 本发明涉及晶圆制造方法。从c轴以将中心轴(L)向偏离角方向(Dθ)上倾斜超过0度的偏离角后的状态设置的锭(2)得到晶圆的晶圆制造方法包含以下的过程、工序、或处理。通过对锭的高度方向上的一端侧的表面(21)照射具有透过性的激光束，在从表面起与晶圆的厚度对应的深度形成剥离层(25)。通过在偏离角方向上的锭的一端(23)沿一个方向施加负载，从而将作为锭的表面与剥离层之间的部分的晶圆前躯体(26)在剥离层从锭剥离。通过使通过从锭剥离晶圆前躯体从而得到的板状的剥离体的主面平坦化，从而得到晶圆。
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公开(公告)号：CN118402043A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280081607.X
申请日：2022-11-08
申请人： 株式会社电装
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/36 , B23K26/082 , B23K26/70
摘要： 通过对锭的高度方向上的一端侧的表面照射具有透过性的激光束(B)，在与晶圆的厚度对应的深度形成剥离层。在剥离层的形成中，在第二方向(Df)上改变位置的同时进行多次激光扫描，该激光扫描是在使激光束的照射位置(PR)在第一方向(Ds)上移动的同时照射激光束的激光扫描。通过一次的激光扫描，照射第一方向以及第二方向上的照射位置不同的多个激光束(B1、B2、B3)。
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公开(公告)号：CN118369747A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202280081488.8
申请日：2022-11-08
申请人： 株式会社电装
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/53
摘要： 本发明涉及晶片制造方法。从锭(2)得到晶片的晶片制造方法包含以下的步骤、工序或者处理。通过对锭的高度方向上的一端侧的表面(21)照射具有透过性的激光束，从而在距离表面与晶片的厚度对应的深度形成剥离层(25)。此时，以小面区域(RF)的照射频率比非小面区域(RN)的照射频率高的方式照射激光束。在剥离层从锭剥离锭的表面与剥离层之间的部分亦即晶片前驱体(26)。以电化学和机械的方式将通过从锭剥离晶片前驱体得到的板状的剥离体的主面平坦化，得到晶片。
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