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公开(公告)号：CN115945799A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211220832.5
申请日：2022-10-08
申请人： 株式会社电装 , 国立大学法人埼玉大学
摘要： 一种用于晶片的制造方法，包括：将激光束辐射到待切断该晶锭的计划切断表面上；以及利用该激光束的辐射，在该计划切断表面处形成多个改造部(31)，以从该改造部延伸裂纹，从而对晶片进行切割，其中，该激光束的能量密度超过改造阈值(Eth)。该能量密度满足以下条件中的至少一个：该能量密度的峰值(Ep)小于或等于44J/cm2；在与该能量密度达到该改造阈值Eth的最浅位置对应的部分处的该能量密度的上升率(α)大于或等于1000J/cm3；以及该能量密度超过该改造阈值的深度范围(W)小于或等于30μm。
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公开(公告)号：CN110301036B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201780086620.3
申请日：2017-10-26
申请人： 信越聚合物株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
IPC分类号： H01L21/306 , B23K26/53 , H01L21/308
摘要： 一种使用熔融碱来蚀刻基板的蚀刻方法，使用处于预定高温区域的熔融碱AL，一边在高温且含氧的环境下在基板PL的被蚀刻面形成氧化被膜，一边通过对被蚀刻面进行各向同性蚀刻从而除去氧化被膜。
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公开(公告)号：CN110313055A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201780086671.6
申请日：2017-10-26
申请人： 信越聚合物株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
IPC分类号： H01L21/308 , B23K26/53 , H01L21/306
摘要： 一种蚀刻方法，通过使用处于预定高温区域的熔融氢氧化钠(SHL)作为熔融碱，一边在高温且含氧的环境下，在基板面由Si面和C面构成的SiC基板(PL)的被蚀刻面上形成氧化被膜，一边以高于C面的速度除去被蚀刻面的Si面。
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公开(公告)号：CN110313055B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201780086671.6
申请日：2017-10-26
申请人： 信越聚合物株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
IPC分类号： H01L21/308 , B23K26/53 , H01L21/306
摘要： 一种蚀刻方法，通过使用处于预定高温区域的熔融氢氧化钠(SHL)作为熔融碱，一边在高温且含氧的环境下，在基板面由Si面和C面构成的SiC基板(PL)的被蚀刻面上形成氧化被膜，一边以高于C面的速度除去被蚀刻面的Si面。
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公开(公告)号：CN109659225A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811126804.0
申请日：2018-09-26
申请人： 信越聚合物株式会社 , 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/00 , B23K101/42
摘要： 本发明的课题在于提供能够容易地获得厚度薄的氧化镁单晶基板的基板制造方法。本发明的基板制造方法进行第1工序：在氧化镁单晶基板的被照射面上非接触地配置将激光聚光的激光聚光设备。然后进行第2工序：从氧化镁单晶基板的被照射面侧产生面状剥离。在该第2工序中，在预定照射条件下对单晶基板的表面照射激光，在将激光聚光于单晶基板内部的同时使激光聚光设备与单晶基板二维状地相对地移动，从而并列地形成将由热加工得到的加工痕迹在单晶构件内部形成为一列而成的加工痕迹列。此时，在加工痕迹列的至少一部分形成加工痕迹彼此产生重叠的重叠列部，从而从被照射面侧产生面状剥离。
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公开(公告)号：CN108788449A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810360957.5
申请日：2018-04-20
申请人： 信越聚合物株式会社 , 国立大学法人埼玉大学 , 信越化学工业株式会社
IPC分类号： B23K26/00 , B23K101/40
CPC分类号： H01L21/7813 , B23K26/0006 , B32B43/006 , C30B29/16 , C30B33/02 , C30B33/06 , H01L21/02414 , H01L21/02527 , B23K26/00
摘要： 本发明的课题在于提供一种基板制造方法，该方法可容易地获得晶格缺陷少的薄的氧化镁单晶基板。该基板制造方法具备：第一工序，将对激光进行聚光的激光聚光单元非接触地配置于氧化镁单晶基板(20)的被照射面(20r)上；以及第二工序，使用激光聚光单元，以预定的照射条件对氧化镁单晶基板(20)的表面照射激光，一边在单晶构件内部对激光进行聚光一边使激光聚光单元与氧化镁单晶基板(20)以二维状相对地移动，从而在单晶构件内部依次逐渐形成加工痕迹而使其依次逐渐发生面状剥离。
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公开(公告)号：CN115555744A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210774721.2
申请日：2022-07-01
申请人： 信越聚合物株式会社 , 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
摘要： 本发明提供一种金刚石基板制造方法，能够降低将单晶金刚石加工成金刚石基板时的损失量。金刚石基板制造方法包括：将使激光(B)聚光的激光聚光部(190)配置为面对单晶金刚石晶块(10)的上表面(10a)的工序；以及使用激光聚光部(190)以规定照射条件朝晶块(10)的上表面(10a)照射激光(B)，使激光(B)聚光于晶块(10)的内部，同时使激光聚光部(190)和晶块(10)以二维状相对移动，从而从晶块(10)的上表面(10a)至规定深度沿着单晶金刚石的(111)面形成包含石墨加工痕(21b)和从该加工痕(21b)开始沿着(111)面延伸的裂纹(22b)的改性层(20)的工序。
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公开(公告)号：CN108788449B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN201810360957.5
申请日：2018-04-20
申请人： 信越聚合物株式会社 , 国立大学法人埼玉大学 , 信越化学工业株式会社
IPC分类号： B23K26/00 , B23K101/40
摘要： 本发明的课题在于提供一种基板制造方法，该方法可容易地获得晶格缺陷少的薄的氧化镁单晶基板。该基板制造方法具备：第一工序，将对激光进行聚光的激光聚光单元非接触地配置于氧化镁单晶基板(20)的被照射面(20r)上；以及第二工序，使用激光聚光单元，以预定的照射条件对氧化镁单晶基板(20)的表面照射激光，一边在单晶构件内部对激光进行聚光一边使激光聚光单元与氧化镁单晶基板(20)以二维状相对地移动，从而在单晶构件内部依次逐渐形成加工痕迹而使其依次逐渐发生面状剥离。
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公开(公告)号：CN103380482B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201180067352.3
申请日：2011-02-10
申请人： 信越聚合物株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
IPC分类号： H01L21/02 , B23K26/40 , B28D5/00 , H01L21/268 , H01L21/301 , H01L21/304
CPC分类号： B28D5/0011 , B23K26/0613 , B23K26/0617 , B23K26/0648 , B23K26/0665 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K26/55 , B23K2103/50 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L21/268 , H01L31/1892 , Y02E10/50
摘要： 本发明的目的在于提供能够容易地制造比较大且较薄的单结晶基板的单结晶基板制造方法及内部改质层形成单结晶部件。单结晶基板制造方法具有下述工序：在单结晶部件（10）上非接触地配置激光聚光单元的工序；向上述单结晶部件（10）的表面（10t）照射激光（B），在单结晶部件（10）内部对激光（B）进行聚光的工序；使激光聚光单元与单结晶部件（10）相对移动，在单结晶部件（10）内部形成平面状的改质层（12）的工序；以及通过将由改质层（12）分隔的单结晶层（10u）从单结晶层（10u）与改质层（12）的界面剥离，形成单结晶基板（10s）的工序。
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公开(公告)号：CN102388422A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201080002883.X
申请日：2010-05-28
申请人： 信越聚合物株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
CPC分类号： G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103 , G06F2203/04112
摘要： 本发明提供一种透明导电膜，该透明导电膜包括：具有绝縁性的透明基体(2)、与包括具有导电性金属并配置在上述透明基体(2)内的网状构件的透明导电膜(12、22)，上述透明基体(2)中设有配置上述网状构件的导电部以及配置了通过去除上述网状构件而形成的空隙(5)的绝缘部(I)。
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