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发明公开
半导体装置的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN116646306A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310136493.0

申请日：2023-02-20

申请人： 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社

发明人： 高畑弘幸 , 南云裕司 , 植茶雅史

IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/683

摘要： 一种半导体装置的制造方法，包括：制备具有其上形成多个半导体元件(3)并且支撑板(12)通过粘合剂(11)附着到其上的第一表面(2a)的晶圆(2)；在所述支撑板附接至所述晶圆的第一表面的状态下，对所述晶圆的与所述第一表面相反的第二表面(2b)进行研磨；通过将刻划轮(32)沿着所述相邻半导体元件之间的边界压靠所述晶圆，在所述晶圆内部并沿着所述边界形成竖直裂纹；将所述支撑板与所述晶圆分离，同时将所述粘合剂留在所述晶圆的所述第一表面上；通过在所述粘合剂上方沿着所述边界将分断杆压靠所述晶圆，以沿着所述边界劈开所述晶圆；从已经通过所述劈开从所述晶圆分开的至少一个所述半导体元件去除所述粘合剂。