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公开(公告)号：CN119741367A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411349338.8
申请日：2024-09-26
IPC: G06T7/73 , G06T7/80 , G06V10/46 , G06V20/56 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/0455
Abstract: 一种推断装置以及推断方法。推断装置(100)具备：位置计算部(210)，基于由同一相机(300A)拍摄的以时间序列连续的二维图像，作为自身位置推断方法使用视觉里程计来计算二维图像内的物体的三维坐标，该位置计算部基于由车辆上所设置的多个相机中的至少一个相机拍摄车辆的外部而得的二维图像，计算车辆的位置以及姿态；特征量取得部，使用用于取得BEV空间中的特征量即BEV特征量的BEV推断的算法，基于拍摄车辆的外部而得的所述二维图像，取得BEV特征量，该BEV为鸟瞰视图；以及校正部，使用表示位置以及姿态的信息，对由特征量取得部取得的BEV特征量进行校正。由此，能够降低调整BEV特征量时的同步误差的影响。
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公开(公告)号：CN119663427A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411283636.1
申请日：2024-09-13
Inventor： 植松大辅
Abstract: 碳化硅单晶制造装置(1)具备测定供给到坩埚(9)内的包含碳化硅原料气体的供给气体(20)的气体压力(Pobs)的压力传感器(14)。此外，碳化硅单晶制造装置(1)具备运算器(15)，该运算器(15)基于通过使用了根据碳化硅单晶(3)的生长的仿真及实验结果计算出的数据的机器学习而制作的学习模型、以及压力传感器(14)测定出的气体压力(Pobs)，预测到气体导入管(4)被固体附着物(30)堵塞为止的时间即堵塞时间。
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公开(公告)号：CN115144613B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202210313131.X
申请日：2022-03-28
IPC: G01P15/125 , G01C21/16 , B81B3/00 , B81C1/00
Abstract: 本申请涉及一种惯性传感器及其制造方法，所述惯性传感器包括微振动体，所述微振动体(2)包括具有环形曲面的曲面部(21)和从曲面部凹入的凹部(22)。安装基板(3)包括内框架部(51)和环绕内框架部的电极部(53)。接合构件(52)设置在所述安装基板的被内框架部环绕的内部区域中。微振动体的凹部具有底面，所述底面限定位于所述内部区域中的被安装表面(22b)并通过接合构件接合于安装基板。曲面部具有边沿(211)，所述边沿包括曲面部的与所述凹部相反的一侧上的端部。所述边沿具有边沿下表面(211c)，其位于与被安装表面或被安装表面的梢端部(28)相同的平面上。
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公开(公告)号：CN119316110A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410912513.3
申请日：2024-07-09
Inventor： 泷泽哲郎
Abstract: 一种在两个电子设备(21、22)间双向传送数据的数据传送系统(10)，具备：第一单向传送路径(110，300，210)，进行从一方的电子设备向另一方的电子设备的向第一方向的数据传送；第二单向传送路径(120，400，220)，在两个电子设备间进行向与第一方向相反的第二方向的数据传送；双向传送路径(130，500，230)，在两个电子设备间，在第一方向和第二方向中的所设定的方向上进行数据传送；以及传送方向设定部(152，252)，对双向传送路径中的数据传送方向进行设定。
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公开(公告)号：CN119133117A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202410669421.7
申请日：2024-05-28
Inventor： 神谷真行
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 半导体模块(1)具备散热板(20)与半导体元件(10)。散热板(20)具有包含导热率具有各向异性的材料而形成的第1散热部(21)以及第2散热部(22)。第1散热部(21)包含在散热板(20)的厚度方向上与半导体元件(10)对置的位置而设置，在与散热板(20)的厚度方向平行的任意的第1虚拟面的面内方向上具有高导热性。第2散热部(22)在与第1虚拟面的面内方向平行且与散热板(20)的厚度方向垂直的方向上连接于第1散热部(21)，在与散热板(20)的厚度方向垂直的第2虚拟面的面内方向上具有高导热性。
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公开(公告)号：CN119108361A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202410720132.5
申请日：2024-06-05
IPC: H01L23/373
Abstract: 半导体装置具备：芯片状的半导体元件(10)；以及各向异性石墨(30)，具有配置半导体元件的一面(31)，将沿着该一面的一个方向作为c轴方向；经由第1接合层(20)在各向异性石墨的一面上接合半导体元件。此外，隔着各向异性石墨而在半导体元件的相反侧配置陶瓷基板(70)。并且，在各向异性石墨与陶瓷基板之间配置由金属制的板状部件构成的金属板(50)。
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公开(公告)号：CN118770276A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410318254.1
申请日：2024-03-20
Inventor： 平井雅尊
IPC: B60W60/00
Abstract: 本发明涉及一种车辆控制系统(100、101、102、103)，搭载于由自动驾驶系统执行自动驾驶的车辆，具备：举动调整部(22)，调整上述自动驾驶的执行中的上述车辆的举动，该举动包含车道内的上述车辆的宽度方向的行驶位置、上述车辆的速度和上述车辆的加速度中的至少一个；以及信息取得部(21)，取得举动要求关联信息，该举动要求关联信息是与上述车辆的搭乘者对上述举动的要求即举动要求相关联的信息，上述举动调整部根据由上述信息取得部取得的上述举动要求关联信息来调整由上述自动驾驶系统预先决定的上述举动。
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公开(公告)号：CN118741043A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410340484.8
申请日：2024-03-25
IPC: H04N7/18 , H04N5/91 , G06N3/063 , G06N3/0455 , G06N3/0464
Abstract: 本公开提供一种图像处理装置，其具备：拍摄部(10)，其生成包含对象物的图像；一个以上的要素获取部(20)，其获取表示车辆的周围的环境的一个以上的要素各自的强度的数值；第一图像处理部；第二图像处理部(40)；以及处理选择部(50)，其在第一图像处理部和第二图像处理部中选择对图像执行运算处理的图像处理部；关于一部分要素，在强度的第一范围内，第一图像处理部的精度比第二图像处理部的精度高，在比第一范围低的第二范围内，第二图像处理部的精度比第一图像处理部的精度高，处理选择部基于由一个以上的要素获取部获取到的表示要素的强度的数值，选择执行运算处理的图像处理部。
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公开(公告)号：CN118693155A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410311909.2
申请日：2024-03-19
Inventor： 铃木龙太
Abstract: 在场效应晶体管中，沟槽下层配置于沟槽的下部。p型深层在从上侧观察半导体基板时沿着与沟槽交叉的第一方向延伸，且沿着与第一方向正交的第二方向隔开间隔地配置。漏极侧n型层从与体层的下表面相接的位置通过各p型深层之间的各间隔分布至比各p型深层的下端靠下侧的位置。漏极侧n型层具有高浓度层和中浓度层。高浓度层分布于存在各p型深层与各沟槽下层双方的深度范围的至少一部分。中浓度层分布于高浓度层的下端与各p型深层的下端之间的深度范围的至少一部分。
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公开(公告)号：CN118610080A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410240748.2
申请日：2024-03-04
IPC: H01L21/263 , H01L21/02
Abstract: 半导体装置的制造方法进行以下工序：准备由β－氧化镓构成的半导体衬底；将半导体衬底(30)配置在配置于腔室(10)内的基座(20)上；将腔室(10)密闭；通过调整基座(20)的温度，进行通过传热而在使半导体衬底升温后使半导体衬底(30)降温的加热处理；将腔室(10)的密闭解除而设为能够从腔室(10)将半导体衬底(30)取出的状态。在准备半导体衬底(30)的工序中，准备一面(30a)或另一面(30b)相对于(100)面或(001)面处于45～90°的范围内的衬底，在加热处理中，通过以基座(20)的升温速率为100℃/min以下的条件使基座(20)升温，使半导体衬底(30)升温到300℃以上。能够使得使用β－氧化镓作为半导体衬底、即使进行了加热处理也难以断裂。
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