Al基合金溅射靶
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102102183A

    公开(公告)日:2011-06-22

    申请号:CN201010597854.4

    申请日:2010-12-16

    IPC分类号: C23C14/34 C23C14/14

    摘要: 提供一种Al基合金溅射靶,其能够消除在溅射的初期阶段发生的问题(例如飞溅的个数的增加和所形成的薄膜的电阻的上升),可以缩短预溅射时间。本发明涉及一种Al基合金溅射靶,其中,以JIS B0601(2001)所规定的方法测量溅射面的表面粗糙度时,算术平均粗糙度Ra为1.50μm以下,以及最大高度Rz为10μm以下,并且,将从粗糙度曲线的中心线至波峰或波谷的高度超过0.25×Rz的峰值高度分别设为P或Q,跨越基准长度100mm,依次计数P和Q时,P到紧邻其后出现的Q再到紧邻该Q后出现的P之间的间隔L的平均值为0.4mm以上。

    Al基合金溅射靶
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102102183B

    公开(公告)日:2013-10-09

    申请号:CN201010597854.4

    申请日:2010-12-16

    IPC分类号: C23C14/34 C23C14/14

    摘要: 提供一种Al基合金溅射靶,其能够消除在溅射的初期阶段发生的问题(例如飞溅的个数的增加和所形成的薄膜的电阻的上升),可以缩短预溅射时间。本发明涉及一种Al基合金溅射靶,其中,以JIS B0601(2001)所规定的方法测量溅射面的表面粗糙度时,算术平均粗糙度Ra为1.50μm以下,以及最大高度Rz为10μm以下,并且,将从粗糙度曲线的中心线至波峰或波谷的高度超过0.25×Rz的峰值高度分别设为P或Q,跨越基准长度100mm,依次计数P和Q时,P到紧邻其后出现的Q再到紧邻该Q后出现的P之间的间隔L的平均值为0.4mm以上。

    Al基合金溅射靶
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102770576A

    公开(公告)日:2012-11-07

    申请号:CN201180010694.1

    申请日:2011-02-25

    IPC分类号: C23C14/34 C22C21/00

    CPC分类号: C23C14/3414 C22C21/00

    摘要: 本发明提供一种技术,其在使用Al基合金溅射靶时,即使进行高速成膜也能够抑制飞溅的发生。本发明涉及一种Al基合金溅射靶,其含有Ni和稀土元素,在利用背散射电子衍射像法对上述Al基合金溅射靶的表层部、1/4×t(t:Al基合金溅射靶的厚度)部、1/2×t部的各溅射面的法线方向的结晶方位 、 、 、 及 进行观察时,满足以下要件:(1)在将上述 ±15°、上述 ±15°及上述 ±15°的总面积率设为R(各处的R中,上述表层部为Ra,上述1/4×t部为Rb,上述1/2×t部为Rc)时,R为0.35以上且0.80以下,并且,(2)上述Ra、上述Rb及上述Rc在R平均值[Rave=(Ra+Rb+Rc)/3]的±20%的范围内。