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公开(公告)号:CN102102183A
公开(公告)日:2011-06-22
申请号:CN201010597854.4
申请日:2010-12-16
摘要: 提供一种Al基合金溅射靶,其能够消除在溅射的初期阶段发生的问题(例如飞溅的个数的增加和所形成的薄膜的电阻的上升),可以缩短预溅射时间。本发明涉及一种Al基合金溅射靶,其中,以JIS B0601(2001)所规定的方法测量溅射面的表面粗糙度时,算术平均粗糙度Ra为1.50μm以下,以及最大高度Rz为10μm以下,并且,将从粗糙度曲线的中心线至波峰或波谷的高度超过0.25×Rz的峰值高度分别设为P或Q,跨越基准长度100mm,依次计数P和Q时,P到紧邻其后出现的Q再到紧邻该Q后出现的P之间的间隔L的平均值为0.4mm以上。
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公开(公告)号:CN102041479B
公开(公告)日:2013-08-28
申请号:CN201010522145.X
申请日:2010-10-22
摘要: 本发明提供一种技术,其在使用Al-(Ni、Co)-(La、Nd)系合金或Al-(Ni、Co)-(La、Nd)-(Cu、Ge)系合金作为溅射靶时,能够降低飞溅、特别是初期飞溅的发生。本发明涉及一种Al基合金溅射靶,其含有从由Ni和Co构成的A组中选出的至少一种,和从由La和Nd构成的B组中选出的至少一种,测量在与所述溅射靶的轧制面垂直的截面中、与轧制方向平行的面中的轧制方向的晶粒直径时,平均晶粒直径为500μm以下,并且最大晶粒直径为1500μm以下。
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公开(公告)号:CN103154308B
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:CN201180048311.X
申请日:2011-10-05
CPC分类号: C23C14/3414 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/24 , C22C1/0416 , C22C21/00 , C22F1/04 , C23C16/45504 , C23C16/4585 , C23C16/4586
摘要: 本发明提供使用了溅射靶时的成膜速度(溅射速率)被提高、理想的是能够防止飞溅的发生的Al基合金溅射靶。本发明的Al基合金溅射靶含有Ta。优选的是含有Al及Ta的Al-Ta系金属间化合物的平均粒子直径为0.005μm以上且1.0μm以下,且Al-Ta系金属间化合物的平均粒子间距离满足0.01μm以上且10.0μm以下。
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公开(公告)号:CN102102183B
公开(公告)日:2013-10-09
申请号:CN201010597854.4
申请日:2010-12-16
摘要: 提供一种Al基合金溅射靶,其能够消除在溅射的初期阶段发生的问题(例如飞溅的个数的增加和所形成的薄膜的电阻的上升),可以缩短预溅射时间。本发明涉及一种Al基合金溅射靶,其中,以JIS B0601(2001)所规定的方法测量溅射面的表面粗糙度时,算术平均粗糙度Ra为1.50μm以下,以及最大高度Rz为10μm以下,并且,将从粗糙度曲线的中心线至波峰或波谷的高度超过0.25×Rz的峰值高度分别设为P或Q,跨越基准长度100mm,依次计数P和Q时,P到紧邻其后出现的Q再到紧邻该Q后出现的P之间的间隔L的平均值为0.4mm以上。
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公开(公告)号:CN103154308A
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN201180048311.X
申请日:2011-10-05
CPC分类号: C23C14/3414 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/24 , C22C1/0416 , C22C21/00 , C22F1/04 , C23C16/45504 , C23C16/4585 , C23C16/4586
摘要: 本发明提供使用了溅射钯时的成膜速度(溅射速率)被提高、理想的是能够防止飞溅的发生的Al基合金溅射钯。本发明的Al基合金溅射钯含有Ta。优选的是含有Al及Ta的Al-Ta系金属间化合物的平均粒子直径为0.005μm以上且1.0μm以下,且Al-Ta系金属间化合物的平均粒子间距离满足0.01μm以上且10.0μm以下。
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公开(公告)号:CN102770576A
公开(公告)日:2012-11-07
申请号:CN201180010694.1
申请日:2011-02-25
CPC分类号: C23C14/3414 , C22C21/00
摘要: 本发明提供一种技术,其在使用Al基合金溅射靶时,即使进行高速成膜也能够抑制飞溅的发生。本发明涉及一种Al基合金溅射靶,其含有Ni和稀土元素,在利用背散射电子衍射像法对上述Al基合金溅射靶的表层部、1/4×t(t:Al基合金溅射靶的厚度)部、1/2×t部的各溅射面的法线方向的结晶方位 、 、 、 及 进行观察时,满足以下要件:(1)在将上述 ±15°、上述 ±15°及上述 ±15°的总面积率设为R(各处的R中,上述表层部为Ra,上述1/4×t部为Rb,上述1/2×t部为Rc)时,R为0.35以上且0.80以下,并且,(2)上述Ra、上述Rb及上述Rc在R平均值[Rave=(Ra+Rb+Rc)/3]的±20%的范围内。
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公开(公告)号:CN102041479A
公开(公告)日:2011-05-04
申请号:CN201010522145.X
申请日:2010-10-22
摘要: 本发明提供一种技术,其在使用Al-(Ni、Co)-(La、Nd)系合金或Al-(Ni、Co)-(La、Nd)-(Cu、Ge)系合金作为溅射靶时,能够降低飞溅、特别是初期飞溅的发生。本发明涉及一种Al基合金溅射靶,其含有从由Ni和Co构成的A组中选出的至少一种,和从由La和Nd构成的B组中选出的至少一种,测量在与所述溅射靶的轧制面垂直的截面中、与轧制方向平行的面中的轧制方向的晶粒直径时,平均晶粒直径为500μm以下,并且最大晶粒直径为1500μm以下。
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