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公开(公告)号：CN114425741A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202111209706.5
申请日：2021-10-18
申请人： 株式会社迪思科
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/005 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B47/20 , H01L21/304
摘要： 本发明提供晶片的磨削方法，在对晶片进行磨削的情况下，使磨削时间缩短，并且使磨削后的晶片的损伤层减小。晶片的磨削方法包含如下的工序：将晶片保持在卡盘工作台的保持面上；第1磨削工序，按照对载荷测量单元所测量的载荷值赋予强弱的方式通过控制单元控制磨削进给机构，将晶片磨削至未达到晶片的规定的完工厚度的厚度；以及第2磨削工序，在第1磨削工序之后，赋予预先设定的设定载荷值而利用磨削磨具将晶片磨削至规定的完工厚度。
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公开(公告)号：CN117340781A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310801826.7
申请日：2023-06-30
申请人： 株式会社迪思科
摘要： 本发明提供晶片的磨削方法，能够按照厚度遍及整面而均匀的方式对晶片的两个面进行磨削。晶片的磨削方法包含如下的工序：保护部件形成工序，在晶片的一个面上形成保护部件；第1磨削工序，将卡盘旋转轴与磨具旋转轴设定成考虑了磨削中的保护部件的压缩所导致的晶片的下沉的第1倾斜关系而对晶片的另一个面的整面进行磨削；保护部件剥离工序，将保护部件剥离；以及第2磨削工序，将晶片的另一个面保持于保持面，将卡盘旋转轴与磨具旋转轴设定成与晶片接触的部分的环状磨具的下表面与保持面平行那样的第2倾斜关系，使环状磨具的下表面与晶片的一个面的半径部分接触而将晶片的一个面的整面磨削成规定的厚度。
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公开(公告)号：CN114121721A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110993339.6
申请日：2021-08-27
申请人： 株式会社迪思科
发明人： 中山英和
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供加工装置，其在能够切换显示多个操作画面的情况下能够提高操作者的操作性。加工装置的控制单元使显示部显示选择画面，该选择画面包含：画面列表；能够从画面列表选择第1操作画面的选择按钮；以及将利用画面列表选择的第1操作画面作为第2操作画面而输出至外部存储装置的输出按钮。当在相同机型的加工装置中将存储了第2操作画面的外部存储装置连接于连接部时，不经过按照既定的顺序设定的第1操作画面而使显示部显示外部存储装置的第2操作画面。
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公开(公告)号：CN111590416A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010095643.4
申请日：2020-02-17
申请人： 株式会社迪思科
IPC分类号： B24B7/22 , B24B27/00 , B24B49/10 , B24B51/00 , B24B47/20 , B24B41/06 , B24B41/00 , H01L21/67
摘要： 提供磨削装置，缩短空切的时间以提高生产效率。该装置(1)具有：单元(31)，其利用磨削磨具(314b)对保持单元(5)所保持的被加工物(W)进行磨削；磨削进给单元(21)，其使磨削单元和保持单元相对地接近/远离；单元(37B)，其配设于磨削单元，对磨削磨具与被加工物接触时的负荷进行检测；和控制单元(9)，磨削装置将磨削单元向被加工物接近至磨削磨具的磨削面与被加工物的上表面之间成为微小的距离(L3)为止的高度位置作为空切开始位置(Z3)，控制单元使从空切开始位置至磨削磨具的磨削面与被加工物的上表面接触为止的距离内的空切进给速度(V3)比对被加工物进行磨削时的磨削加工进给速度快，若检测到负荷，则将空切进给速度切换成磨削加工进给速度而进行磨削。
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公开(公告)号：CN110561208A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910405752.9
申请日：2019-05-16
申请人： 株式会社迪思科
摘要： 提供加工装置，能够容易地掌握产生了错误的晶片和装置内的错误部位。加工装置包含第1辨别显示部，在使保持力或加工力作用于被加工物的机构中产生了错误的情况下，该第1辨别显示部将表示产生了该错误的该保持力或加工力所作用的被加工物的被加工物插图(A3)以能够与其他的被加工物插图(A1、A2、A4、A5和A6)辨别的方式进行显示。由此，能够容易地辨别出被产生错误的单元作用了保持力或加工力的被加工物。
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