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公开(公告)号：CN112123063B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202010577921.X
申请日：2020-06-23
申请人： 株式会社迪思科
IPC分类号： B24B7/22 , B24B27/00 , B24B41/06 , B24B47/22 , B24B51/00 , B24B49/02 , B24B41/00 , H01L21/304
摘要： 提供被加工物的加工方法，即使控制单元功能停止，也不会过度磨削被加工物而导致磨削装置产生损伤。利用磨削装置对被加工物进行磨削，该磨削装置具有：卡盘工作台；主轴，其使磨削磨轮旋转；伺服电动机，其使主轴移动；伺服驱动器，其向伺服电动机发送信号；控制单元，其对伺服驱动器进行控制；和控制单元，其测量被加工物的厚度，磨削方法具有如下的步骤：磨削量指示步骤，从被加工物的厚度减去目标厚度来计算预定磨削量，并向伺服驱动器指示预定磨削量；和磨削步骤，通过伺服电动机使主轴移动，对被加工物进行磨削，在磨削步骤中，伺服驱动器在主轴移动了与预定磨削量对应的目标距离时结束卡盘工作台与主轴的相对移动。
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公开(公告)号：CN117103010A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310566558.5
申请日：2023-05-18
申请人： 株式会社迪思科
摘要： 本发明提供磨削装置和晶片的磨削方法，在通过第一磨具和第二磨具进行磨削的磨削装置中，使第二磨具进行磨削时的每个卡盘工作台的磨削时间和磨削量均匀化而实现有效的磨削。磨削装置具有配置多个卡盘工作台(31)的转台，控制部(80)将卡盘工作台定位于第一磨具(51)对晶片(90)进行磨削的第一磨削位置和第二磨具(61)对晶片进行磨削的第二磨削位置，第一倾斜控制部(81)控制倾斜调整机构(33)使定位于第一磨削位置的卡盘工作台的卡盘主轴(312)相对于第一主轴(52)成为预先设定的角度，第二倾斜控制部(82)控制倾斜调整机构使定位于第二磨削位置的卡盘工作台的卡盘主轴相对于第二主轴(62)成为预先设定的角度。
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公开(公告)号：CN107971895A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201710966474.5
申请日：2017-10-17
申请人： 株式会社迪思科
CPC分类号： B24B47/20 , B24B27/0076
摘要： 提供一种磨削装置，该磨削装置防止粗磨削构件侧的柱和精磨削构件侧的柱产生共振。磨削装置(1)具有对板状工件实施粗磨削的第1磨削构件(2)和对板状工件实施精磨削的第2磨削构件(3)，第1磨削构件(2)具有配设有第1磨削进给构件(24)的第1柱(25)，第2磨削构件(3)具有配设有第2磨削进给构件(34)的第2柱(35)，该磨削装置1具有连结构件(4)，该连结构件(4)能够对第1柱(25)与第2柱(35)连结的状态和第1柱(25)与第2柱(35)未连结的状态进行选择，因此例如在第1磨削加工位置(G1)和第2磨削加工位置(G2)被设定为对称位置的情况下，通过在利用连结构件(4)将第1柱(25)和第2柱(35)连结之后对板状工件进行粗磨削和精磨削，能够防止第1柱(25)和第2柱(35)产生共振。
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公开(公告)号：CN117620804A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311076630.2
申请日：2023-08-24
申请人： 株式会社迪思科
摘要： 提供晶片的磨削方法，能够在短时间内高效地将晶片磨削成均匀的厚度。使旋转的环状磨具(26b)与保持于卡盘工作台(10)的圆锥状的保持面(11a)并旋转的晶片(W)的半径部分接触而对晶片进行磨削的晶片的磨削方法经过如下工序对晶片进行磨削：保持工序，使晶片保持于保持面；第1磨削工序，使环状磨具(26b)的下表面与保持于保持面(11a)的晶片的半径部分接触而在晶片的中央部分(Wa)形成微小的凹陷(W1)，并且将晶片的外周部分(Wb)磨削为略厚；以及第2磨削工序，在该第1磨削工序之后，以环状磨具(26b)的下表面不与晶片的中心接触的方式使卡盘工作台(10)与环状磨具(26b)的倾斜度相对地改变而对晶片的中央部分(Wa)以外的部分进行磨削。
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公开(公告)号：CN111805374A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010223030.4
申请日：2020-03-26
申请人： 株式会社迪思科
摘要： 提供磨削装置，其使卡盘工作台的旋转轴与磨削磨轮的旋转轴之间的倾斜的调整作业容易。在磨削装置所具有的触摸面板上显示出：目标形状输入栏(122)，其输入与作为目标的晶片的剖面形状相关的信息；以及目标形状输入栏(121)，其输入与在工作台旋转轴的当前的倾斜下被磨削的晶片的剖面形状相关的信息，控制部对输入至目标形状输入栏(122)的与晶片的剖面形状相关的信息和输入至当前形状输入栏(121)的与晶片的剖面形状相关的信息进行比较，按照能够将晶片磨削成作为目标的形状的方式对倾斜调整单元进行控制，变更工作台旋转轴的倾斜。
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公开(公告)号：CN101434046A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810174043.6
申请日：2008-11-12
申请人： 株式会社迪思科
IPC分类号： B24B5/50 , B24B49/12 , H01L21/304
摘要： 本发明提供一种磨削装置，其能够以简单的结构将晶片的中心定位在卡盘工作台的中心。磨削装置包括中心对准构件。中心对准构件包括：摄像构件，其拍摄处于保持在保持臂上的状态的晶片的外周区域的一部分；和偏移量检测构件，其根据摄像构件所拍摄得到的图像信息，检测晶片的中心与保持臂的中心的偏移量。偏移量检测构件从拍摄得到的图像信息检测出晶片的外周缘的三个点以上的坐标以求出晶片的中心，并检测出晶片的中心与保持臂的中心的偏移量。保持臂进行与偏移量相应的修正，从而以将晶片的中心定位在临时放置工作台的中心的方式载置晶片，晶片搬入构件设置成能够以这样的方式转动：吸附部划出通过临时放置工作台的中心和卡盘工作台的中心的圆弧状轨迹，晶片搬入构件将晶片的中心定位在卡盘工作台的中心后解除吸附。
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公开(公告)号：CN111805374B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202010223030.4
申请日：2020-03-26
申请人： 株式会社迪思科
摘要： 提供磨削装置，其使卡盘工作台的旋转轴与磨削磨轮的旋转轴之间的倾斜的调整作业容易。在磨削装置所具有的触摸面板上显示出：目标形状输入栏(122)，其输入与作为目标的晶片的剖面形状相关的信息；以及目标形状输入栏(121)，其输入与在工作台旋转轴的当前的倾斜下被磨削的晶片的剖面形状相关的信息，控制部对输入至目标形状输入栏(122)的与晶片的剖面形状相关的信息和输入至当前形状输入栏(121)的与晶片的剖面形状相关的信息进行比较，按照能够将晶片磨削成作为目标的形状的方式对倾斜调整单元进行控制，变更工作台旋转轴的倾斜。
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公开(公告)号：CN111843621B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202010294888.X
申请日：2020-04-15
申请人： 株式会社迪思科
摘要： 提供保持面形成方法，使用磨削磨具对保持面(500)进行磨削而形成保持面，该方法具有：第1保持面形成工序，使卡盘工作台(5)倾斜，按照使作为磨削磨轮(34)的旋转轴的第1旋转轴与作为卡盘工作台的旋转轴的第2旋转轴形成规定大小的角(θ3)的方式进行调节，将两轴间的倾斜关系设为第1倾斜关系而对保持面进行磨削，形成具有圆锥面的形状的第1面(50C)；第2保持面形成工序，在第1保持面形成工序之后，按照使两轴所成的角成为比第1倾斜关系中的两轴间的角大的角(θ4)的方式使卡盘工作台进一步倾斜，将两轴间的倾斜关系设为第2倾斜关系而再次磨削保持面，形成具有与第1面的外周相连的圆锥台的侧面形状的第2面(50D)。
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公开(公告)号：CN117262728A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310739976.X
申请日：2023-06-20
申请人： 株式会社迪思科
发明人： 久保徹雄
IPC分类号： B65G47/91 , H01L21/677 , B65G43/08 , B65G47/22
摘要： 本发明提供搬送装置和位置信息的存储方法，能够容易地将搬送位置存储于存储部。搬送装置具有：保持部(6)，其保持被加工物(晶片(90))；移动机构(2)，其使该保持部移动；以及控制部(3)，其控制该移动机构。移动机构具有向伺服电动机(211)提供电力并且读取编码器(212)的数值的控制器(213)。在编码器与控制器连接的状态下切断伺服电动机与控制器的连接，并且，控制部具有：第1存储部(31)，通过作业者使保持部沿水平方向移动到第1场所(181)的正上方或者正下方的第1位置，其存储编码器的值；以及第2存储部(32)，通过作业者使保持部沿水平方向移动到第2场所(182)的正上方或者正下方的第2位置，其存储编码器的值。
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公开(公告)号：CN114425741A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202111209706.5
申请日：2021-10-18
申请人： 株式会社迪思科
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/005 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B47/20 , H01L21/304
摘要： 本发明提供晶片的磨削方法，在对晶片进行磨削的情况下，使磨削时间缩短，并且使磨削后的晶片的损伤层减小。晶片的磨削方法包含如下的工序：将晶片保持在卡盘工作台的保持面上；第1磨削工序，按照对载荷测量单元所测量的载荷值赋予强弱的方式通过控制单元控制磨削进给机构，将晶片磨削至未达到晶片的规定的完工厚度的厚度；以及第2磨削工序，在第1磨削工序之后，赋予预先设定的设定载荷值而利用磨削磨具将晶片磨削至规定的完工厚度。
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