公开(公告)号：CN104347500A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410383841.5

申请日：2014-08-06

Applicant: 株式会社迪思科 ,  岩谷产业株式会社

Inventor： 松崎荣 ,  增田隆俊 ,  前本希 ,  吉野裕 ,  妹尾武彦 ,  相田敏广 ,  枇榔智也

IPC: H01L21/78 ,  B23K26/36

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/02076 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供晶片的分割方法，抑制裂纹的增长，并除去残留于芯片侧面的改质区域和碎片。晶片的分割方法包括：沿着切割道(75)照射激光，在晶片(W)的内部形成改质区域(77)的工序；以改质区域作为起点将晶片分割为一个个芯片(C)的工序；使投入了晶片的处理室内成为真空状态，将处理室内用惰性气体充满的工序；以及向充满了惰性气体的处理室内导入蚀刻气体，对芯片侧面(78)进行蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN104347500B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201410383841.5

申请日：2014-08-06

Applicant: 株式会社迪思科 ,  岩谷产业株式会社

Inventor： 松崎荣 ,  增田隆俊 ,  前本希 ,  吉野裕 ,  妹尾武彦 ,  相田敏广 ,  枇榔智也

IPC: H01L21/78 ,  B23K26/36

Abstract: 本发明提供晶片的分割方法，抑制裂纹的增长，并除去残留于芯片侧面的改质区域和碎片。晶片的分割方法包括：沿着切割道(75)照射激光，在晶片(W)的内部形成改质区域(77)的工序；以改质区域作为起点将晶片分割为一个个芯片(C)的工序；使投入了晶片的处理室内成为真空状态，将处理室内用惰性气体充满的工序；以及向充满了惰性气体的处理室内导入蚀刻气体，对芯片侧面(78)进行蚀刻的工序。