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公开(公告)号：CN104347500A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410383841.5
申请日：2014-08-06
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/02076 , H01L21/2686 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供晶片的分割方法，抑制裂纹的增长，并除去残留于芯片侧面的改质区域和碎片。晶片的分割方法包括：沿着切割道(75)照射激光，在晶片(W)的内部形成改质区域(77)的工序；以改质区域作为起点将晶片分割为一个个芯片(C)的工序；使投入了晶片的处理室内成为真空状态，将处理室内用惰性气体充满的工序；以及向充满了惰性气体的处理室内导入蚀刻气体，对芯片侧面(78)进行蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN104347500B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201410383841.5
申请日：2014-08-06
Abstract: 本发明提供晶片的分割方法，抑制裂纹的增长，并除去残留于芯片侧面的改质区域和碎片。晶片的分割方法包括：沿着切割道(75)照射激光，在晶片(W)的内部形成改质区域(77)的工序；以改质区域作为起点将晶片分割为一个个芯片(C)的工序；使投入了晶片的处理室内成为真空状态，将处理室内用惰性气体充满的工序；以及向充满了惰性气体的处理室内导入蚀刻气体，对芯片侧面(78)进行蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN101419936B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200810170884.X
申请日：2008-10-23
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供一种即使使层叠在半导体基板背面的金属层厚度变薄、也能防止在电极框架上接合有金属层的器件的半导体基板上产生裂纹的晶片的分割方法。包括：基准线形成工序，将晶片的背面侧保持在切削装置的卡盘工作台上，沿着形成在晶片的表面的最外侧的分割道切断而形成基准线；V槽形成工序，将晶片的表面侧保持在卡盘工作台上，以基准线为基准将分割道定位在具有截面形状为V字形的切削刃的切削刀片的切削位置上，通过从晶片的背面侧沿着分割道切削而将该金属层切断，形成V字形的切削槽；加工应变除去工序，将残留在形成于半导体基板上的V字形的切削槽的表面的加工应变除去；切断工序，将晶片沿着分割道将切削槽的底部与半导体基板的表面间切断。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101491880B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200810185058.2
申请日：2008-12-26
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: B24B37/042 , B24B27/0076
Abstract: 本发明提供一种晶片磨削方法，其在利用精磨构件对经粗磨构件磨削过的晶片进行磨削时，能够使对晶片的所谓锋利性良好，从而防止面烧伤的发生。上述晶片磨削方法包括以下工序：晶片保持工序，将晶片保持在具有圆锥状保持面的卡盘工作台的该保持面上；粗磨工序，将粗磨轮的磨削面定位成相对于上述卡盘工作台的上述保持面具有预定的倾斜角，并且使上述粗磨轮旋转，从而对保持在上述卡盘工作台的上述保持面上的晶片进行粗磨；以及精磨工序，将精磨轮的磨削面定位成相对于上述卡盘工作台的上述保持面平行，并且使上述精磨轮在磨轮的磨削区域中一边向朝向上述精磨轮的磨削面与晶片的被磨削面之间的接触角的顶点的方向旋转，一边对晶片进行精磨。
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公开(公告)号：CN101407035A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810168591.8
申请日：2008-10-10
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B24B7/22 , B24B3/18 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种晶片的磨削方法，即使对晶片的背面进行磨削，也不会降低器件的抗弯强度，产生吸杂效果。上述磨削方法对表面上形成有多个器件的晶片的背面进行磨削，通过吸杂效果抑制重金属的活动，并且使抗弯强度维持在1000MPa以上，在该方法中，使用将磨具紧固在基座的自由端部而构成的部件作为磨轮，所述磨具是利用陶瓷结合剂将粒径为1μm以下的金刚石磨粒固定起来而形成的，将保护部件粘贴在晶片的表面，通过卡盘工作台保持保护部件，一边使卡盘工作台旋转一边使磨轮旋转，通过磨具对晶片的背面进行磨削，使背面的表面粗糙度的平均值为0.003μm以下，使晶片的背面上残留的应变层的厚度为0.05μm。
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公开(公告)号：CN103972134A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410038811.0
申请日：2014-01-27
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/677 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/67742 , H01L21/68742
Abstract: 本发明提供减压处理装置，在相对于减压室搬入和搬出被加工物时能将减压室维持减压状态。一种在减压状态下处理被加工物的减压处理装置，具有：壳体，具有处理被加工物的第1减压室和与第1减压室被间隔壁隔开并经设置于间隔壁的连通开口而连通的第2减压室；挡板单元，开闭设置于间隔壁的连通开口；门单元，开闭与第2减压室连通的被加工物搬入搬出用开口；被加工物保持单元，配设于第1减压室，用于保持被加工物；处理单元，对由被加工物保持单元保持的被加工物实施处理；第1减压单元，对第1减压室进行减压；第2减压单元，对第2减压室进行减压；临时放置单元，配设于第2减压室，用于临时放置被加工物；和被加工物输送单元，在临时放置单元和被加工物保持单元之间输送被加工物。
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公开(公告)号：CN101491880A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200810185058.2
申请日：2008-12-26
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: B24B37/042 , B24B27/0076
Abstract: 本发明提供一种晶片磨削方法，其在利用精磨构件对经粗磨构件磨削过的晶片进行磨削时，能够使对晶片的所谓锋利性良好，从而防止面烧伤的发生。上述晶片磨削方法包括以下工序：晶片保持工序，将晶片保持在具有圆锥状保持面的卡盘工作台的该保持面上；粗磨工序，将粗磨轮的磨削面定位成相对于上述卡盘工作台的上述保持面具有预定的倾斜角，并且使上述粗磨轮旋转，从而对保持在上述卡盘工作台的上述保持面上的晶片进行粗磨；以及精磨工序，将精磨轮的磨削面定位成相对于上述卡盘工作台的上述保持面平行，并且使上述精磨轮在磨轮的磨削区域中一边向朝向上述精磨轮的磨削面与晶片的被磨削面之间的接触角的顶点的方向旋转，一边对晶片进行精磨。
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公开(公告)号：CN101419936A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810170884.X
申请日：2008-10-23
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供一种即使使层叠在半导体基板背面的金属层厚度变薄、也能防止在电极框架上接合有金属层的器件的半导体基板上产生裂纹的晶片的分割方法。包括：基准线形成工序，将晶片的背面侧保持在切削装置的卡盘工作台上，沿着形成在晶片的表面的最外侧的分割道切断而形成基准线；V槽形成工序，将晶片的表面侧保持在卡盘工作台上，以基准线为基准将分割道定位在具有截面形状为V字形的切削刃的切削刀片的切削位置上，通过从晶片的背面侧沿着分割道切削而将该金属层切断，形成V字形的切削槽；加工应变除去工序，将残留在形成于半导体基板上的V字形的切削槽的表面的加工应变除去；切断工序，将晶片沿着分割道将切削槽的底部与半导体基板的表面间切断。
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