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公开(公告)号：CN105324344B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201480034402.1
申请日：2014-06-13
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: H01L31/02366 , B24C1/06 , B24C11/00 , C03C17/25 , C03C2204/08 , C03C2217/73 , H01L31/02168 , H01L31/048 , H01L31/18 , H02S40/22 , Y02E10/52
Abstract: 本发明的课题在于提供一种具有防眩性、且能表现出高防污性的太阳能电池组件。在太阳能电池组件中，使玻璃制的板体的表面呈凹凸状，再叠层防反射膜。而且，在沿板体厚度方向切断的截面上存在表面轮廓线的坡度骤变的拐点。另外，陡坡部与大型裂纹的分布状态为在58微米的划分范围内其数量总计小于5个。在所述陡坡部中，以拐点为界，使该点与轮廓线上一侧相距0.7微米处之间平直地模拟成一侧模拟直线，使该点与轮廓线上另一侧相距0.7微米处之间平直地模拟成另一侧模拟直线，此时两条模拟直线所成角度为135度以下。
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公开(公告)号：CN105393367A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201480034658.2
申请日：2014-06-13
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/18 , H01L31/046
CPC classification number: H01L31/02168 , C03C2204/08 , H01L31/02366 , H01L31/046 , H01L31/048 , H01L31/18 , H01L31/186 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的课题在于提供一种既具有高防眩性，又能够保持高输出的太阳能电池组件。在玻璃制的板体(2)上叠层防反射膜(19)而形成入光面的太阳能电池组件中，使板体(2)的表面凹凸化。而且，使用于形成防反射膜(19)的物质填入位于比凹凸化的表面稍微内侧的裂纹(18)的内部所形成的空间中。通过使裂纹(18)的内部不形成空气层，可以在形成了裂纹(18)的部分抑制光的反射。
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公开(公告)号：CN1826699B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200480021059.3
申请日：2004-07-12
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/075
CPC classification number: H01L31/077 , H01L31/056 , H01L31/075 , H01L31/076 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供一种硅类薄膜太阳能电池，该电池是，通过不使用与光电转换层的形成不同种的设备将具有比光电转换层的折射率低的层设置在从光入射侧观察时位于光电转换层后方的部位，可以发挥充分的吸光效果，且即使设置了具有这样低的折射率的层也可以保持太阳能电池的串联电阻为小的电阻的、高效率且低成本的硅类薄膜太阳能电池。
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公开(公告)号：CN102770966B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201180010565.2
申请日：2011-01-27
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0368 , H01L31/0376 , H01L31/0747 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/03682 , H01L31/03762 , H01L31/0747 , H01L31/076 , H01L31/1804 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的在于改善含有结晶锗光电转换层的薄膜光电转换装置的开路电压、曲线因子、以及对于长波长光的光电转换效率。本发明的光电转换装置是在基板上依次配置第一电极层、一个以上的光电转换单元、以及第二电极层而成，光电转换单元在p型半导体层与n型半导体层之间具备光电转换层。至少一个光电转换单元的光电转换层是由实质上是本征或者弱n型且实质上不含硅原子的结晶锗半导体形成的结晶锗光电转换层。在p型半导体层与结晶锗光电转换层之间配置有实质上是本征的非晶硅半导体层的第一界面层。
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公开(公告)号：CN102037566A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200980118847.7
申请日：2009-05-15
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/03921 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/076 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种薄膜光电转换装置用基板，能够以低成本且高效率地生产具有被改善的特性的薄膜光电转换装置。薄膜光电转换装置用基板的特征在于，包括透明基体、以及在其一个主面上依次层叠的透明衬底层和透明电极层，该衬底层包括透明绝缘微粒和透明粘合剂，这些透明绝缘微粒分散为以30％以上且小于80％的覆盖率覆盖该透明基体的一个主面，透明基体的另一个主面上具有反射防止层，该反射防止层包括透明绝缘微粒和透明粘合剂，这些透明绝缘微粒分散为以比衬底层高的覆盖率覆盖另一个主面，透明电极层包括通过低压CVD而沉积的氧化锌。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100485973C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200480004033.8
申请日：2004-05-28
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/046 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供一种薄膜光电转换装置，特别是提供一种集成化薄膜光电转换装置，其在包含结晶硅光电转换单元的薄膜光电转换装置中，通过不使开放端电压和填充因数变小来改善光电转换效率。本发明的薄膜光电转换装置，是在透明基板一侧的主面上至少把透明电极膜、结晶硅光电转换单元和背面电极膜顺序形成的薄膜光电转换装置，形成所述结晶硅光电转换单元后，在其表面的一部分上具有白浊变色区域。所述白浊变色区域最好是小于或等于光电转换区域面积的5%。而且最好是制成集成化薄膜光电转换装置。
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公开(公告)号：CN105393367B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201480034658.2
申请日：2014-06-13
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/18 , H01L31/046
CPC classification number: H01L31/02168 , C03C2204/08 , H01L31/02366 , H01L31/046 , H01L31/048 , H01L31/18 , H01L31/186 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的课题在于提供一种既具有高防眩性，又能够保持高输出的太阳能电池组件。在玻璃制的板体(2)上叠层防反射膜(19)而形成入光面的太阳能电池组件中，使板体(2)的表面凹凸化。而且，使用于形成防反射膜(19)的物质填入位于比凹凸化的表面稍微内侧的裂纹(18)的内部所形成的空间中。通过使裂纹(18)的内部不形成空气层，可以在形成了裂纹(18)的部分抑制光的反射。
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公开(公告)号：CN103797590B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201280043703.1
申请日：2012-09-04
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/076 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及含有非晶质锗光电转换层（53）的薄膜光电转换装置。本发明的薄膜光电转换装置包含非晶质锗光电转换单元（5），其在p型半导体层（51）和n型半导体层（54）之间具有实质上本征的、且实质上不含硅原子的非晶质锗光电转换层（53）。在一种实施方式所涉及的本发明的薄膜光电转换装置中，在比非晶质锗光电转换单元（5）更接近光入射侧，配置了具有晶质硅光电转换层（43）的晶质硅光电转换单元（4）。在一种实施方式中，优选非晶质锗光电转换单元（5）在波长900nm的量子效率为30%以上。
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公开(公告)号：CN103797590A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201280043703.1
申请日：2012-09-04
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/075 , H01L31/076
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1808 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及含有非晶质锗光电转换层（53）的薄膜光电转换装置。本发明的薄膜光电转换装置包含非晶质锗光电转换单元（5），其在p型半导体层（51）和n型半导体层（54）之间具有实质上本征的、且实质上不含硅原子的非晶质锗光电转换层（53）。在一种实施方式所涉及的本发明的薄膜光电转换装置中，在比非晶质锗光电转换单元（5）更接近光入射侧，配置了具有晶质硅光电转换层（43）的晶质硅光电转换单元（4）。在一种实施方式中，优选非晶质锗光电转换单元（5）在波长900nm的量子效率为30%以上。
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公开(公告)号：CN102138221A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200980133876.0
申请日：2009-08-24
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/028 , H01L31/076 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 在以往的将非晶锗或者结晶硅用于光电转换层的薄膜光电转换装置中，存在无法将1100nm以上的长波长光利用于光电转换、转换效率的提高不充分的课题。本发明利用薄膜光电转换装置来解决所述课题，其特征在于：所述薄膜光电转换装置包括1个以上在p型半导体层与n型半导体层之间具备光电转换层的光电转换单元，至少一个光电转换单元的光电转换层包括本征或者弱n型的结晶锗半导体，并且所述结晶锗半导体的波数为935±5cm-1的红外吸收峰值的吸收系数不足6000cm-1。另外，通过特征在于所述结晶锗半导体的波数为960±5cm-1的红外吸收峰值的吸收系数不足3500cm-1的薄膜光电转换装置来解决所述课题。
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