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公开(公告)号：CN116325180A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180054341.5
申请日：2021-10-05
Applicant: 株式会社钟化
Inventor： 福田将典
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明为大致矩形的太阳电池单元，具有大致矩形的半导体基板和形成在该半导体基板上的多个集电极，其通过穿过所述半导体基板的第一边的中央且与所述半导体基板的第二边大致平行的第1大区划线(41)和穿过所述半导体基板的第二边的中央且与所述半导体基板的第一边大致平行的第2大区划线(42)被划分成沿顺时针排列且相互相邻的第1大分区(51)、第2大分区(52)、第3大分区(53)、及第4大分区(54)，多个集电极包括多个指状电极(63)，该指状电极(63)在第1大分区(51)、第2大分区(52)、第3大分区(53)、及第4大分区(54)的各自的表面侧各设置有至少一个，分别设在所述第1大分区(51)及所述第3大分区(53)的所述至少一个指状电极(63)在第一方向上延伸，分别设在所述第2大分区(52)及所述第4大分区(54)的所述至少一个指状电极(63)在第二方向上延伸。
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公开(公告)号：CN110392934A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201880017225.4
申请日：2018-03-28
Applicant: 株式会社钟化
Inventor： 福田将典
IPC: H01L31/0224 , H01L21/288 , H01L31/0747
Abstract: 本公开的光电转换元件的制造方法包括：准备半导体基板的工序，上述半导体基板具有n型半导体部和与上述n型半导体部一起构成二极管的p型半导体部；在上述n型半导体部的至少一部分形成n侧基底导电层的工序；在上述p型半导体部的至少一部分形成p侧基底导电层的工序；以及将上述n侧基底导电层和上述p侧基底导电层浸渍于电镀液中，并在上述n侧基底导电层和上述p侧基底导电层仅通过上述二极管电连接的状态下，通过对上述n侧基底导电层进行供电，从而在上述n侧基底导电层的至少一部分和上述p侧基底导电层的至少一部分形成镀层的工序。
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公开(公告)号：CN115398652A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180024877.2
申请日：2021-03-29
Applicant: 株式会社钟化
Inventor： 福田将典
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/05
Abstract: 本发明为太阳电池的电池单元集合体（100），具有通过分别被分割而成为多个太阳电池单元的多个小区划（10）、且具有俯视呈直线状的一边，所述多个小区划（10）分别通过与所述电池单元集合体（100）的所述直线状的一边大致平行的直线即划分线（11）被划分，所述电池单元集合体具有：具有主面的光电转换部（2）；透明导电层（3），设在所述光电转换部（2）的主面中与所述多个小区划（10）分别对应的区域，且具有第一区域及与该第一区域位置不同的第二区域；集电电极（4），设于所述透明导电层（3）的所述第一区域上，包括电镀层；透明绝缘层（5），设在所述透明导电层（3）的所述第二区域上，所述光电转换部（2）在沿所述划分线（11）且包含该划分线的区域即划分区域（111）中露出。
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公开(公告)号：CN110998869A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880051001.5
申请日：2018-05-29
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/18 , C23C16/44 , C23C16/50 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/683 , H01L31/0747
Abstract: 本公开的光电转换元件的制造方法是具有第一主面、第二主面，并包含形成于半导体基板的第一主面侧的第一薄膜、以及形成于半导体基板的上述第二主面侧的第二薄膜的光电转换元件的制造方法，包含：将未形成第一薄膜以及第二薄膜的第一半导体基板配置于第一制膜室(61)中的第一制膜位置(81)的第一配置步骤；将在第一主面侧至少形成有第一薄膜，在第二主面侧未形成第二薄膜的第二半导体基板配置于第一制膜室(61)中的第二制膜位置(82)的第二配置步骤；以及在第一制膜室(61)中，在同一期间内，在第一半导体基板的第一主面侧形成第一薄膜、在第二半导体基板的第二主面侧形成第二薄膜的第一制膜步骤。
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公开(公告)号：CN110731015B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201880036819.X
申请日：2018-05-29
Applicant: 株式会社钟化
Inventor： 福田将典
IPC: H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/0747
Abstract: 本公开所涉及的太阳能电池模块包括光电转换部、与上述光电转换部电连接的集电电极、以及与上述集电电极电连接的布线件(3)，上述太阳能电池模块构成为，上述集电电极包括：第一电极膜(9A)，其设置于上述光电转换部侧；和第二电极膜(9B)，其配置于上述第一电极膜(9A)的至少上述布线件侧，并设置为将上述第一电极膜(9A)的至少上述布线件侧的表面的一部分露出，通过与从上述第二电极膜(9B)露出的上述第一电极膜(9A)的上述表面、和上述第二电极膜(9B)的表面连接的焊料(11)，将上述集电电极与上述布线件(3)电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110998869B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN201880051001.5
申请日：2018-05-29
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/18 , C23C16/44 , C23C16/50 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/683 , H01L31/0747
Abstract: 本公开的光电转换元件的制造方法是具有第一主面、第二主面，并包含形成于半导体基板的第一主面侧的第一薄膜、以及形成于半导体基板的上述第二主面侧的第二薄膜的光电转换元件的制造方法，包含：将未形成第一薄膜以及第二薄膜的第一半导体基板配置于第一制膜室(61)中的第一制膜位置(81)的第一配置步骤；将在第一主面侧至少形成有第一薄膜，在第二主面侧未形成第二薄膜的第二半导体基板配置于第一制膜室(61)中的第二制膜位置(82)的第二配置步骤；以及在第一制膜室(61)中，在同一期间内，在第一半导体基板的第一主面侧形成第一薄膜、在第二半导体基板的第二主面侧形成第二薄膜的第一制膜步骤。
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公开(公告)号：CN110392934B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201880017225.4
申请日：2018-03-28
Applicant: 株式会社钟化
Inventor： 福田将典
IPC: H01L31/0224 , H01L21/288 , H01L31/0747
Abstract: 本公开的光电转换元件的制造方法包括：准备半导体基板的工序，上述半导体基板具有n型半导体部和与上述n型半导体部一起构成二极管的p型半导体部；在上述n型半导体部的至少一部分形成n侧基底导电层的工序；在上述p型半导体部的至少一部分形成p侧基底导电层的工序；以及将上述n侧基底导电层和上述p侧基底导电层浸渍于电镀液中，并在上述n侧基底导电层和上述p侧基底导电层仅通过上述二极管电连接的状态下，通过对上述n侧基底导电层进行供电，从而在上述n侧基底导电层的至少一部分和上述p侧基底导电层的至少一部分形成镀层的工序。
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公开(公告)号：CN110731015A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201880036819.X
申请日：2018-05-29
Applicant: 株式会社钟化
Inventor： 福田将典
IPC: H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/0747
Abstract: 本公开所涉及的太阳能电池模块包括光电转换部、与上述光电转换部电连接的集电电极、以及与上述集电电极电连接的布线件(3)，上述太阳能电池模块构成为，上述集电电极包括：第一电极膜(9A)，其设置于上述光电转换部侧；和第二电极膜(9B)，其配置于上述第一电极膜(9A)的至少上述布线件侧，并设置为将上述第一电极膜(9A)的至少上述布线件侧的表面的一部分露出，通过与从上述第二电极膜(9B)露出的上述第一电极膜(9A)的上述表面、和上述第二电极膜(9B)的表面连接的焊料(11)，将上述集电电极与上述布线件(3)电连接。
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公开(公告)号：CN209859956U
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201920749182.0
申请日：2019-05-23
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/05
Abstract: 本实用新型的课题为提供能够在搭迭连接的实施时缩短事先的工序而有助于生产效率的提高的太阳能电池单元以及太阳能电池模块。本实用新型提供以下这种太阳能电池单元，即、在大致矩形形状的半导体基板上形成多个汇流条电极，上述半导体基板被与一个边大致平行的直线划分为四个以上的小分区，在各小分区中的包含上述一个边的第一小分区的表面侧，沿着上述一个边设置汇流条电极，在包含上述一个边的对边的第二小分区的表面侧，沿着上述对边设置汇流条电极，在不包含上述一个边以及上述对边这两者中的任一个的第三小分区的表面侧，沿着划分该小分区的一对边中的靠近上述一个边的边设置有汇流条电极。
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公开(公告)号：CN212199396U
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202020150757.X
申请日：2020-02-03
Applicant: 株式会社钟化
Inventor： 福田将典
Abstract: 本实用新型为掩膜托架，在通过向上沉积方式进行制膜时能防止半导体衬底中在应被掩膜托架遮挡的区域形成不希望的制膜。用于太阳能电池单元的制造工序中，太阳能电池单元具有矩形的半导体衬底、透明导电层和多个集电电极，透明导电层在半导体衬底中的至少一侧的主面中除了外缘区域以外的区域及除了通过与一边大致平行的直线划定多个矩形的小方框的边界线区域以外的区域通过向上沉积方式制膜形成，多个集电电极形成在透明导电层上，掩膜托架具有在进行制膜时该开口部被半导体衬底覆盖并具有在上下方向延伸的空间的开口部，开口部具有从下方对半导体衬底的外缘区域进行保持的外缘保持部；从下方对半导体衬底的边界线区域进行保持的边界线区域保持部。
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